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公開番号
2025088183
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-11
出願番号
2023202722
出願日
2023-11-30
発明の名称
光電変換装置
出願人
キヤノン株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H10F
39/18 20250101AFI20250604BHJP()
要約
【課題】 フローティングディフュージョンに発生する寄生容量をさらに低減し、クロストークを抑制することができる光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 それぞれが、光電変換部、フローティングディフュージョン部、ゲートを含む増幅トランジスタ、及び、選択トランジスタを含む複数の画素を備え、平面視で、前記ゲートの少なくとも一部を覆うように配置されたシールド配線と、第1拡散領域と、第2拡散領域と、1以上の第1コンタクトと、1以上の第2コンタクトと、を含み、前記ゲート、前記第1拡散領域、前記第2拡散領域は、第1の方向において一直線上に隣り合って配置されており、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記1以上の第1コンタクトの幅の総和が前記1以上の第2コンタクトの幅法の総和よりも大きい。
【選択図】 図4
特許請求の範囲
【請求項1】
それぞれが、光電変換部、フローティングディフュージョン部、前記フローティングディフュージョン部に基づく信号を増幅して画素信号として出力し、ゲートを含む増幅トランジスタ、及び、前記増幅トランジスタで増幅された画素信号の出力を制御する選択トランジスタを含む複数の画素を備え、
複数の画素が配置された面に対して直交する方向から視た平面視で、前記ゲートの少なくとも一部を覆うように配置されたシールド配線と、
前記増幅トランジスタのソースまたはドレインである第1拡散領域と、
前記選択トランジスタのソースまたはドレインである第2拡散領域と、
前記第1拡散領域に接続される1以上の第1コンタクトと、
前記第2拡散領域に接続される1以上の第2コンタクトと、を含み、
前記ゲート、前記第1拡散領域、前記第2拡散領域は、第1の方向において一直線上に隣り合って配置されており、
前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記1以上の第1コンタクトの幅の総和が前記1以上の第2コンタクトの幅の総和よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
続きを表示(約 1,200 文字)
【請求項2】
それぞれが、光電変換部、フローティングディフュージョン部、前記フローティングディフュージョン部に基づく信号を増幅して画素信号として出力し、ゲートを含む増幅トランジスタ、及び、前記増幅トランジスタで増幅された画素信号の出力を制御する選択トランジスタを含む複数の画素と、主たる成分として銅を含む配線とを備え、
前記増幅トランジスタのソースまたはドレインである第1拡散領域と、
前記選択トランジスタのソースまたはドレインである第2拡散領域と、
前記第1拡散領域と前記配線に接続される1以上の第1コンタクトと、
前記第2拡散領域に接続される1以上の第2コンタクトと、を含み、
前記ゲート、前記第1拡散領域、前記第2拡散領域は、第1の方向において一直線上に隣り合って配置されており、
前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記1以上の第1コンタクトの幅の総和が前記1以上の第2コンタクトの幅の総和よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項3】
前記1以上の第1コンタクトは、1つの第1コンタクトにより構成されており、
前記1以上の第2コンタクトは、1つの第2コンタクトにより構成されており、
前記第2の方向において、1つの第1コンタクトの幅は、前記第2コンタクトの幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項4】
前記第2の方向における前記第1コンタクトの幅は、前記第1の方向における前記第1コンタクトの長さよりも長いことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
【請求項5】
前記1以上の第1コンタクトは、1つの第1コンタクトにより構成されており、
前記1以上の第2コンタクトは、1つの第2コンタクトにより構成されており、
前記第2の方向において、1つの第1コンタクトの幅は、前記第2コンタクトの幅よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
【請求項6】
前記第2の方向における前記第1コンタクトの幅は、前記第1の方向における前記第1コンタクトの長さよりも長いことを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。
【請求項7】
前記第1コンタクトの数は、前記第2コンタクトの数よりも多いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項8】
前記第1コンタクトの数は、前記第2コンタクトの数よりも多いことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
【請求項9】
2以上の前記第1コンタクトは、前記第2の方向に一直線上に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。
【請求項10】
2以上の前記第1コンタクトは、前記第2の方向に一直線上に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換装置に関する。
続きを表示(約 2,300 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置には、高速読み出しに適したCMOSイメージセンサが広く用いられている。例えば、フローティングディフュージョンに接続された配線と転送制御線との間に増幅トランジスタの出力電位が供給されるシールド配線を配置することで、クロストークを抑制するCMOSイメージセンサが提案されている(特許文献1)。特許文献1ではフローティングディフュージョンに接続された配線と転送制御線との間に増幅トランジスタの出力電位が供給されるシールド配線を配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2023-84462号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら特許文献1において、レイアウトによってはクロストーク抑制が不十分になることがある。
【0005】
本発明の目的は、フローティングディフュージョンに発生する寄生容量をさらに低減し、クロストークを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一つの側面は、光電変換装置であって、それぞれが、光電変換部、フローティングディフュージョン部、前記フローティングディフュージョン部に基づく信号を増幅して画素信号として出力し、ゲートを含む増幅トランジスタ、及び、前記増幅トランジスタで増幅された画素信号の出力を制御する選択トランジスタを含む複数の画素を備え、平面視で、前記ゲートの少なくとも一部を覆うように配置されたシールド配線と、前記増幅トランジスタのソースまたはドレインである第1拡散領域と、前記選択トランジスタのソースまたはドレインである第2拡散領域と、前記第1拡散領域に接続される1以上の第1コンタクトと、前記第2拡散領域に接続される1以上の第2コンタクトと、を含み、前記ゲート、前記第1拡散領域、前記第2拡散領域は、第1の方向において一直線上に隣り合って配置されており、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記1以上の第1コンタクトの幅の総和が前記1以上の第2コンタクトの幅の総和よりも大きい。
【0007】
本発明の一つの側面は、光電変換装置であって、それぞれが、光電変換部、フローティングディフュージョン部、前記フローティングディフュージョン部に基づく信号を増幅して画素信号として出力し、ゲートを含む増幅トランジスタ、及び、前記増幅トランジスタで増幅された画素信号の出力を制御する選択トランジスタを含む複数の画素と、主たる成分として銅を含む配線とを備え、前記増幅トランジスタのソースまたはドレインである第1拡散領域と、前記選択トランジスタのソースまたはドレインである第2拡散領域と、前記第1拡散領域と前記配線に接続される1以上の第1コンタクトと、前記第2拡散領域に接続される1以上の第2コンタクトと、を含み、前記ゲート、前記第1拡散領域、前記第2拡散領域は、第1の方向において一直線上に隣り合って配置されており、前記第1の方向に直交する第2の方向において、前記1以上の第1コンタクトの幅の総和が前記1以上の第2コンタクトの幅の総和よりも大きい。
【発明の効果】
【0008】
フローティングディフュージョンに発生する寄生容量をさらに低減し、クロストークを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
実施形態1にかかる光電変換装置のブロック図である。
実施形態1にかかる画素の回路図である。
実施形態1にかかる各制御線のタイミングチャート図である。
実施形態1にかかる画素の平面図である。
実施形態1にかかる画素の断面図である。
実施形態2にかかる画素の平面図である。
実施形態3にかかる画素の平面図である。
実施形態4にかかる画素の回路図である。
実施形態4にかかる画素の平面図である。
実施形態5にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態6にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態7にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態8にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態9にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態10にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
実施形態11にかかる原稿読み取り装置100の内部構成を示す断面図である。
実施形態11にかかる原稿読み取り装置の制御部の構成を示すブロック図である。
実施形態11にかかるCPUの制御フローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照しながら各実施形態を説明する。以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を限定するものではない。各図面が示す部材の大きさや位置関係は、説明を明確にするために誇張していることがある。以下の説明において、同一の構成については同一の番号を付して説明を省略することがある。以下の説明において、同一の構成については同一の番号を付して説明を省略することがある。本明細書において、構成が同様であるものについては、符号の末尾に-1、-2、-3等の「-」と「数字」を付して説明を省略することがある。
(【0011】以降は省略されています)
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