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公開番号2024123171
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-10
出願番号2024100595,2024082632
出願日2024-06-21,2022-09-01
発明の名称リードフレーム及びその製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20240903BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子の電極まで空気中の水分の浸入を抑制可能な半導体装置を製造できるリードフレーム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム(100)は、複数のリード部(110)を備え、リード部(110)の上面の少なくとも一部及びリード部(110)の側壁面は、粗化された粗面であり、粗面のCIELab色空間のうちのa^*値が12～19の範囲であり、b^*値が12～17の範囲である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
リードフレームであって、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に位置するリード部と、を備え、
前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、
前記インナーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、
前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分には、外部端子が形成され、
前記インナーリード表面の少なくとも一部と、前記インナーリード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面となっており、
前記外部端子が平滑面となっており、
前記粗面は、前記リードフレームを構成する金属材料からなる面である、リードフレーム。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記インナーリード表面の全体が粗面となっている、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記インナーリード表面上に金属層が形成され、前記インナーリード表面のうち金属層が形成される部分は平滑面となっている、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
リードフレームの製造方法において、
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード部とを有する金属基板を準備する工程と、
前記金属基板のうち、表面の少なくとも一部を除く外周に、めっき層を形成する工程と、
前記金属基板の少なくとも裏面に存在するめっき層を残し、他のめっき層を除去する工程と、
前記金属基板のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、
前記めっき層を除去する工程と、を備えた、リードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記めっき層を形成する工程において、前記めっき層は、前記金属基板の表面全域に形成されない、請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記めっき層を形成する工程において、前記めっき層は、前記リード部の表面の一部に形成され、
前記他のめっき層を除去する工程において、前記リード部の表面の一部に存在する前記めっき層を残す、請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記めっき層を除去する工程の後、前記金属基板の表面の一部上に金属層を形成する工程を更に備えた、請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上である、請求項４乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、リードフレーム及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導体装置が種々提案されている。ＱＦＮタイプの半導体装置は、リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成されたものである。
【０００３】
従来、フリップチップタイプの半導体装置が知られている（特許文献１参照）。フリップチップタイプの半導体装置は、実装基板上に半導体素子を実装する際、半導体素子と実装基板とをバンプによって互いに接続するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００２－１１０８４９号公報
特開２０１９－４０９９４号公報
【０００５】
一般にフリップチップタイプの半導体装置は、半導体装置の外周から半導体素子の電極までの距離であって、外気（空気）に含まれる水分が浸入可能な経路が短くなりやすい。
このため、半導体装置の外周から半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するおそれがある。
【０００６】
また従来、車載向け又は高信頼性が要求される半導体パッケージを作製する場合、ダイアタッチフィルムを用いて半導体素子をダイパッドに搭載している。近年、このような半導体パッケージにおいて、半導体素子をダイパッド上に搭載する際、より安価なダイアタッチペーストも用いられている。
【０００７】
しかしながら、従来、ダイアタッチペーストをダイパッドに塗布し、半導体素子を搭載した後に加熱硬化させたとき、ダイアタッチペースト中のエポキシ樹脂成分が毛細管現象により滲み出す現象（ブリードアウト）が生じている（特許文献２参照）。
【０００８】
本実施形態は、半導体素子の電極まで空気中の水分の浸入を抑制可能な半導体装置を製造できるリードフレーム及びその製造方法を提供する。
【０００９】
本実施形態は、バンプとリードフレームと良好に接続させるとともに、半導体装置の外周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
【００１０】
本実施形態は、粗面が形成されたリードフレームを低コストで製造することが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
（【００１１】以降は省略されています）

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