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公開番号2024096715
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-17
出願番号2024047859,2023025042
出願日2024-03-25,2013-09-18
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20240709BHJP(光学)
要約【課題】活性層が形成されていない領域を有効利用する。
【解決手段】半導体装置は絶縁表面上に第1の導電層及び第2の導電層を有し、第1の導電層上及び第2の導電層上に第1の絶縁層を有し、第1の絶縁層上に第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を有し、第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、第1の酸化物半導体層上に第4の導電層を有し、第3の導電層上及び第4の導電層上に第2の絶縁層を有し、第2の絶縁層上に第5の導電層を有し、第3の導電層は、第2の導電層と電気的に接続されており、第5の導電層は、第4の導電層と電気的に接続されており、第1の酸化物半導体層は、第1の導電層と重なる領域を有し、第2の酸化物半導体層は、第5の導電層と重なる領域を有し、第2の酸化物半導体層は、第2の導電層と交差する領域を有する。
【選択図】図25
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタのゲート電極として機能する領域と、走査線として機能する領域と、を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に位置する領域を有しかつ前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記第１の導電層と重なる領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第３の導電層と、
前記第１の導電層と重なる領域を有しかつ前記第２の半導体層上に接する領域を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層と電気的に接続されかつ画素電極として機能する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第２の半導体層と前記第１の導電層とが重なる領域の面積は、前記第４の導電層と前記第１の導電層とが重なる領域の面積よりも大きい表示装置。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
トランジスタのゲート電極として機能する領域と、走査線として機能する領域と、を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方に位置する領域を有しかつ前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記第１の導電層と重なる領域を有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記第１の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第３の導電層と、
前記第１の導電層と重なる領域を有しかつ前記第２の半導体層上に接する領域を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層と電気的に接続されかつ画素電極として機能する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第１の導電層の長軸に延伸する方向において、前記第２の半導体層と前記第１の導電層とが重なる領域の幅は、前記第４の導電層と前記第１の導電層とが重なる領域の幅よりも大きい表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第４の導電層は、全体が前記第１の導電層と重なるように配置されている表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１乃至第４の導電層は、モリブデンと、アルミニウムと、を有する表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
技術分野は半導体装置に関する。
続きを表示（約 740 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１及び特許文献２には酸化物半導体層を有する活性層を有するトランジスタを
有する半導体装置が記載されている。
【０００３】
活性層は、少なくともチャネル形成領域を有する半導体層である。
【０００４】
チャネル形成領域は、チャネルを形成することができる領域である。
【０００５】
特許文献１の段落００１０には「成膜された酸化物半導体膜に含まれるＨ
２
Ｏに代表さ
れる水素原子を含有する化合物や、アルカリ金属を含有する化合物、もしくはアルカリ土
類金属を含有する化合物等の不純物は、酸化物半導体膜のキャリア密度を高める。」と記
載されている。
【０００６】
特許文献２の段落００１０には「水素元素は酸化物半導体層中においてキャリア（ドナ
ー）となる。」と記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１２－０７２４９３号公報
特開２０１１－１４２３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
活性層が形成されていない領域を有効利用することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
活性層が形成されていない領域に、半導体層を有する電極を形成すると好ましい。
【００１０】
電極は、例えば、容量素子の電極、表示素子の電極、記憶素子の電極、光電変換素子の
電極等があるが限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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