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公開番号
2024096715
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-07-17
出願番号
2024047859,2023025042
出願日
2024-03-25,2013-09-18
発明の名称
表示装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
G02F
1/1368 20060101AFI20240709BHJP(光学)
要約
【課題】活性層が形成されていない領域を有効利用する。
【解決手段】半導体装置は絶縁表面上に第1の導電層及び第2の導電層を有し、第1の導電層上及び第2の導電層上に第1の絶縁層を有し、第1の絶縁層上に第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を有し、第1の酸化物半導体層上に第3の導電層を有し、第1の酸化物半導体層上に第4の導電層を有し、第3の導電層上及び第4の導電層上に第2の絶縁層を有し、第2の絶縁層上に第5の導電層を有し、第3の導電層は、第2の導電層と電気的に接続されており、第5の導電層は、第4の導電層と電気的に接続されており、第1の酸化物半導体層は、第1の導電層と重なる領域を有し、第2の酸化物半導体層は、第5の導電層と重なる領域を有し、第2の酸化物半導体層は、第2の導電層と交差する領域を有する。
【選択図】図25
特許請求の範囲
【請求項1】
トランジスタのゲート電極として機能する領域と、走査線として機能する領域と、を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に位置する領域を有しかつ前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記第1の導電層と重なる領域を有する第2の半導体層と、
前記第1の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第2の導電層と、
前記第1の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第3の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域を有しかつ前記第2の半導体層上に接する領域を有する第4の導電層と、
前記第2の導電層と電気的に接続されかつ画素電極として機能する領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第2の半導体層と前記第1の導電層とが重なる領域の面積は、前記第4の導電層と前記第1の導電層とが重なる領域の面積よりも大きい表示装置。
続きを表示(約 710 文字)
【請求項2】
トランジスタのゲート電極として機能する領域と、走査線として機能する領域と、を有する第1の導電層と、
前記第1の導電層の上方に位置する領域を有しかつ前記トランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、
前記絶縁層上に接する領域を有しかつ前記第1の導電層と重なる領域を有する第2の半導体層と、
前記第1の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第2の導電層と、
前記第1の半導体層上に接する領域を有しかつ前記トランジスタのソース又はドレインの他方として機能する領域を有する第3の導電層と、
前記第1の導電層と重なる領域を有しかつ前記第2の半導体層上に接する領域を有する第4の導電層と、
前記第2の導電層と電気的に接続されかつ画素電極として機能する領域を有する第5の導電層と、を有し、
前記第1の導電層の長軸に延伸する方向において、前記第2の半導体層と前記第1の導電層とが重なる領域の幅は、前記第4の導電層と前記第1の導電層とが重なる領域の幅よりも大きい表示装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2において、
前記第4の導電層は、全体が前記第1の導電層と重なるように配置されている表示装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1乃至第4の導電層は、モリブデンと、アルミニウムと、を有する表示装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
技術分野は半導体装置に関する。
続きを表示(約 740 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1及び特許文献2には酸化物半導体層を有する活性層を有するトランジスタを
有する半導体装置が記載されている。
【0003】
活性層は、少なくともチャネル形成領域を有する半導体層である。
【0004】
チャネル形成領域は、チャネルを形成することができる領域である。
【0005】
特許文献1の段落0010には「成膜された酸化物半導体膜に含まれるH
2
Oに代表さ
れる水素原子を含有する化合物や、アルカリ金属を含有する化合物、もしくはアルカリ土
類金属を含有する化合物等の不純物は、酸化物半導体膜のキャリア密度を高める。」と記
載されている。
【0006】
特許文献2の段落0010には「水素元素は酸化物半導体層中においてキャリア(ドナ
ー)となる。」と記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特開2012-072493号公報
特開2011-142311号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
活性層が形成されていない領域を有効利用することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
活性層が形成されていない領域に、半導体層を有する電極を形成すると好ましい。
【0010】
電極は、例えば、容量素子の電極、表示素子の電極、記憶素子の電極、光電変換素子の
電極等があるが限定されない。
(【0011】以降は省略されています)
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