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公開番号2024085482
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-27
出願番号2022199996
出願日2022-12-15
発明の名称半導体処理用組成物及び処理方法
出願人JSR株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240620BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】被処理体の金属配線材、バリアメタル材、絶縁材等の各種基板へのダメージを抑制するとともに、被処理体の表面より汚染を効果的に除去することができる半導体表面処理用組成物、及び該組成物を用いた半導体表面の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体処理用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される化合物と、(B)水溶性高分子と、(C)アミノ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種の構造と、カルボキシ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種の構造と、を有する化合物と、(D)液状媒体と、を含有し、前記(A)成分の含有量をM_A[質量%]、前記(C)成分の含有量をM_C[質量%]としたときに、M_A/M_C=5～200である。
R₄N⁺F^- ・・・・(1)
(上記式(1)中、Rは各々独立に水素原子あるいは炭素数1～4のアルキル基を表す。)。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、
（Ｂ）水溶性高分子と、
（Ｃ）アミノ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造と、カルボキシ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造と、を有する化合物と、
（Ｄ）液状媒体と、
を含有し、
前記（Ａ）成分の含有量をＭ
Ａ
［質量％］、前記（Ｃ）成分の含有量をＭ
Ｃ
［質量％］としたときに、Ｍ
Ａ
／Ｍ
Ｃ
＝５～２００である、半導体処理用組成物。
Ｒ
４
Ｎ
＋
Ｆ
－
・・・・（１）
（上記式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子あるいは炭素数１～４のアルキル基を表す。）
続きを表示（約 250 文字）【請求項２】
前記（Ｂ）成分が、スルホ基、カルボキシ基、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造を有する、請求項１に記載の半導体処理用組成物。
【請求項３】
前記（Ｄ）成分が、水系媒体である、請求項１に記載の半導体処理用組成物。
【請求項４】
ｐＨが３～６である、請求項１に記載の半導体処理用組成物。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体処理用組成物を用いて半導体基板を処理する工程を含む、処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理用組成物及びそれを用いた処理方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に活用されるＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）に用いられる化学機械研磨用分散体（以下、「ＣＭＰスラリー」ともいう。）には、研磨砥粒の他、エッチング剤等の化学薬品が含有されているため、ＣＭＰ後には被処理体の表面を洗浄用組成物で洗浄する工程が必須である。
【０００３】
被処理体の表面には、銅やタングステン、コバルト等の金属配線材、酸化シリコン等の絶縁材、窒化タンタルや窒化チタン等のバリアメタル材等が露出している。このような異種材料が被処理体の表面に共存する場合、研磨後に被処理体から汚染だけを除去し、被処理体に腐食等のダメージを与えずに洗浄する必要がある。例えば特許文献１には、酸性洗浄剤を用いて金属配線材とバリアメタル材が露出した被処理体の腐食を抑制する技術が記載されている。また、例えば特許文献２や特許文献３には、中性からアルカリ性の洗浄剤を用いて金属配線材とバリアメタル材が露出した被処理体を洗浄する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１０－２５８０１４号公報
特開２００９－０５５０２０号公報
特開２０１３－１５７５１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の更なる回路構造の微細化に伴い、被処理体の金属配線材、バリアメタル材、絶縁材等の各種基板へのダメージを更に抑制するとともに、被処理体の表面より汚染を効果的に除去することができる半導体表面処理用組成物、及び該組成物を用いた半導体基板の処理方法が要求されている。
【０００６】
本発明に係る幾つかの態様は、上記課題の少なくとも一部を解決することで、被処理体の各種基板へのダメージを抑制するとともに、被処理体の表面より汚染を効果的に除去することができる半導体処理用組成物、及びそれを用いた処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。
【０００８】
本発明に係る半導体処理用組成物の一態様は、
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、
（Ｂ）水溶性高分子と、
（Ｃ）アミノ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造と、カルボキシ基及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造と、を有する化合物と、
（Ｄ）液状媒体と、
を含有し、
前記（Ａ）成分の含有量をＭ
Ａ
［質量％］、前記（Ｃ）成分の含有量をＭ
Ｃ
［質量％］としたときに、Ｍ
Ａ
／Ｍ
Ｃ
＝５～２００である。
Ｒ
４
Ｎ
＋
Ｆ
－
・・・・（１）
（上記式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子あるいは炭素数１～４のアルキル基を表す。）
【０００９】
前記半導体処理用組成物の一態様において、
前記（Ｂ）成分が、スルホ基、カルボキシ基、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種の構造を有してもよい。
【００１０】
前記半導体処理用組成物の一態様において、
前記（Ｄ）成分が、水系媒体であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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