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公開番号2024082801
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022196906
出願日2022-12-09
発明の名称複合基板の製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H05K 3/46 20060101AFI20240613BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ビア形成性に優れる複合基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本開示に係る複合基板の製造方法は、フッ素樹脂基板と、接着層と、コア基板とをこの順に備えるフッ素樹脂基板積層体を準備する工程と、フッ素樹脂基板積層体をレーザー加工して、開口部を形成する工程と、開口部の底部に発生したスミアをドライデスミア処理又はウェットデスミア処理により除去することで、フッ素樹脂基板及び接着層を貫通するビアをコア基板上に形成する工程と、ビアに導体層を形成する工程とを含み、接着層が、(A)飽和又は不飽和の2価の炭化水素基を有するマレイミド化合物と、(B)芳香族マレイミド化合物とを含有する樹脂組成物の硬化物を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
フッ素樹脂基板と、接着層と、コア基板とをこの順に備えるフッ素樹脂基板積層体を準備する工程と、
前記フッ素樹脂基板積層体をレーザー加工して、開口部を形成する工程と、
前記開口部の底部に発生したスミアをドライデスミア処理又はウェットデスミア処理により除去することで、前記フッ素樹脂基板及び前記接着層を貫通するビアを前記コア基板上に形成する工程と、
前記ビアに導体層を形成する工程と、を含み、
前記接着層が、（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物と、（Ｂ）芳香族マレイミド化合物と、を含有する樹脂組成物の硬化物を含む、複合基板の製造方法。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記フッ素樹脂基板が、ポリテトラフルオロエチレンを含む基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コア基板が、金属張積層板である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）芳香族マレイミド化合物が、マレイミド基が芳香環に結合した構造を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記飽和又は不飽和の２価の炭化水素基の炭素数が８～１００である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記飽和又は不飽和の２価の炭化水素基が、下記式（ＩＩ）で表される基である、請求項１又は２に記載の方法。
TIFF
2024082801000021.tif
28
148
［式（ＩＩ）中、Ｒ
２
及びＲ
３
は各々独立に炭素数４～５０のアルキレン基を示し、Ｒ
４
は炭素数４～５０のアルキル基を示し、Ｒ
５
は炭素数２～５０のアルキル基を示す。］
【請求項７】
前記（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物が、少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基を更に有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基が、下記式（Ｉ）で表される基である、請求項７に記載の方法。
TIFF
2024082801000022.tif
29
148
［式（Ｉ）中、Ｒ
１
は４価の有機基を示す。］
【請求項９】
前記（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物の重量平均分子量が、５００～１００００である、請求項１又は２に記載の方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表される移動体通信機器、その基地局装置、サーバー、ルーター等のネットワークインフラ機器、大型コンピュータなどの電子機器では使用する信号の高速化及び大容量化が年々進んでいる。これに伴い、これらの電子機器に搭載されるプリント配線板には高周波化対応が必要となり、伝送損失の低減を可能とする低比誘電率及び低誘電正接の基板材料が求められている。近年、このような高周波信号を扱うアプリケーションとして、上述した電子機器のほかに、ＩＴＳ分野（自動車、交通システム関連）及び室内の近距離通信分野でも高周波無線信号を扱う新規システムの実用化及び実用計画が進んでおり、今後、これらの機器に搭載するプリント配線板に対しても、低伝送損失基板材料が更に要求されると予想される。
【０００３】
従来、低伝送損失が要求されるプリント配線板には、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリイミド（ＰＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ素樹脂等の樹脂が使用されている（例えば、特許文献１～４参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭５８－６９０４６号公報
特開２０１２－２５５０５９号公報
特開２０１４－６０４４９号公報
特開２００３－１７１４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂は、優れた低誘電率及び低誘電正接を有する材料であることが知られている。しかしながら、フッ素樹脂基板は、難接着性であるため、他の材料と積層することが難しく、また、フッ素樹脂基板を備える積層体をレーザー加工してビアを有する複合基板を作製することも難しい。そこで、本開示は、ビア形成性に優れる複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様は、以下の複合基板の製造方法に関する。
【０００７】
［１］フッ素樹脂基板と、接着層と、コア基板とをこの順に備えるフッ素樹脂基板積層体を準備する工程と、前記フッ素樹脂基板積層体をレーザー加工して、開口部を形成する工程と、前記開口部の底部に発生したスミアをドライデスミア処理又はウェットデスミア処理により除去することで、前記フッ素樹脂基板及び前記接着層を貫通するビアを前記コア基板上に形成する工程と、前記ビアに導体層を形成する工程と、を含み、前記接着層が、（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物と、（Ｂ）芳香族マレイミド化合物と、を含有する樹脂組成物の硬化物を含む、複合基板の製造方法。
［２］前記フッ素樹脂基板が、ポリテトラフルオロエチレンを含む基板である、上記［１］に記載の方法。
［３］前記コア基板が、金属張積層板である、上記［１］又は［２］に記載の方法。
［４］前記（Ｂ）芳香族マレイミド化合物が、マレイミド基が芳香環に結合した構造を有する、上記［１］～［３］のいずれかに記載の方法。
［５］前記飽和又は不飽和の２価の炭化水素基の炭素数が８～１００である、上記［１］～［４］のいずれかに記載の方法。
［６］前記飽和又は不飽和の２価の炭化水素基が、下記式（ＩＩ）で表される基である、上記［１］～［５］のいずれかに記載の方法。
TIFF
2024082801000002.tif
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148
［式（ＩＩ）中、Ｒ
２
及びＲ
３
は各々独立に炭素数４～５０のアルキレン基を示し、Ｒ
４
は炭素数４～５０のアルキル基を示し、Ｒ
５
は炭素数２～５０のアルキル基を示す。］
［７］前記（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物が、少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基を更に有する、上記［１］～［６］のいずれかに記載の方法。
［８］前記少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基が、下記式（Ｉ）で表される基である、上記［７］に記載の方法。
TIFF
2024082801000003.tif
29
148
［式（Ｉ）中、Ｒ
１
は４価の有機基を示す。］
［９］前記（Ａ）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を有するマレイミド化合物の重量平均分子量が、５００～１００００である、上記［１］～［８］のいずれかに記載の方法。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、ビア形成性に優れる複合基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示に係る複合基板の製造工程の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されない。本明細書において、「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。本明細書において、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書において、高周波領域とは、０．３ＧＨｚ～３００ＧＨｚの領域を指し、特に３ＧＨｚ～３００ＧＨｚを指すものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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