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公開番号2024047172
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-05
出願番号2022152645
出願日2022-09-26
発明の名称洗浄液及び半導体装置の製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類C11D 7/32 20060101AFI20240329BHJP(動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく)
要約【課題】解決しようとする課題は、高温高湿環境下で不良が発生するのを抑制することが可能な洗浄液と、この洗浄液を用いた半導体装置の製造方法とを提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、グリコールエーテル系洗浄剤と、下記(1)式(ここで、Rは、NH₂基またはHであり、nは1以上である)で表される化合物とを含む、洗浄液が提供される。
【化1】
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特許請求の範囲【請求項１】
グリコールエーテル系洗浄剤と、
下記（１）式で表される化合物とを含む、洗浄液。
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2024047172000019.jpg
58
167
但し、Ｒは、ＮＨ
2
基またはＨであり、ｎは１以上である。
続きを表示（約 350 文字）【請求項２】
前記ｎは３以上５以下である、請求項１に記載の洗浄液。
【請求項３】
前記グリコールエーテル系洗浄剤は、下記（２）式で表される、請求項１に記載の洗浄液。
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2024047172000020.jpg
16
123
但し、ｘは１以上、ｙは１以上、Ａは、ヒドロキシ基、あるいはエーテル結合とヒドロキシ基を含む基である。
【請求項４】
導電部材に半導体チップをはんだにより接合すること、
前記導電部材及び前記半導体チップを、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄液で洗浄すること、
前記導電部材の少なくとも一部と前記半導体チップを樹脂封止すること
を含む、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、洗浄液及び半導体装置の製造方法である。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の高信頼化への要求が増加している。半導体装置は、例えば熱ストレス、高温高湿環境等により、モールド樹脂とフレーム間で剥がれるのがきっかけで故障となり、高信頼性要求を満足できないことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－１２４９４８号公報
特開２００６－１１９３４１号公報
ＵＳ２００６／００１６７８５号公報
【非特許文献】
【０００４】
二木鋭雄，神谷佳男，ブチルエーテルの酸素酸化反応、石油学会誌Ｊ．ＪａｐａｎＰｅｔｒｏｌ．Ｉｎｓｔ．，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．６，４０３－４０７頁、１９８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする課題は、高温高湿下で不良が発生するのを抑制することが可能な洗浄液と、この洗浄液を用いた半導体装置の製造方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、グリコールエーテル系洗浄剤と、下記（１）式で表される化合物とを含む、洗浄液が提供される。
【０００７】
JPEG
2024047172000001.jpg
59
166
【０００８】
但し、Ｒは、ＮＨ
2
基またはＨであり、ｎは１以上である。
【０００９】
また、実施形態によれば、半導体装置の製造方法を提供することができる。実施形態に係る半導体装置の製造方法は、導電部材に半導体チップをはんだにより接合すること、導電部材及び半導体チップを、実施形態に係る洗浄液で洗浄すること、導電部材の少なくとも一部と半導体チップを樹脂封止することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態の洗浄液で洗浄される半導体装置の一例を模式的に示す断面図。
はんだ層とモールド樹脂の間にカルボン酸塩が存在した状態を示す模式図。
耐久試験においてカルボン酸塩が軽石状の物質に変化した状態を示す模式図。
耐久試験において軽石状の物質に水分が蓄積される状態を示す模式図。
耐久試験において水蒸気爆発が発生した状態を示す模式図。
ジエチレングリコールモノブチルエーテルが過酸化物を形成することによって分解する反応のメカニズム例を示す模式図。
フラックス洗浄の洗浄サイクル数と洗浄液中のギ酸濃度との関係を示すグラフ。
実施形態の方法のフローチャートの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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