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公開番号2024043290
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-29
出願番号2022148395
出願日2022-09-16
発明の名称磁気記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類H10B 61/00 20230101AFI20240322BHJP()
要約【課題】優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、第1の方向に延伸する第1の配線10と、第1の配線の上層側に設けられ、第1の方向と交差する第2の方向に延伸する第2の配線20と、第1の配線と第2の配線との間に設けられ、第1の方向及び第2の方向と交差する第3の方向に積層された磁気抵抗効果素子40及びスイッチング素子50を含むメモリセル30とを備え、第1の配線は、第1の導電層11と、第1の導電層上に設けられ且つカーボン(C)を含有する材料で形成された第2の導電層12とを含む。
【選択図】図2A
特許請求の範囲【請求項１】
第１の方向に延伸する第１の配線と、
前記第１の配線の上層側に設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線と、
前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられ、前記第１の方向及び前記第２の方向と交差する第３の方向に積層された磁気抵抗効果素子及びスイッチング素子を含むメモリセルと、
を備える磁気記憶装置であって、
前記第１の配線は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられ且つカーボン（Ｃ）を含有する材料で形成された第２の導電層とを含む
ことを特徴とする磁気記憶装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記第１の導電層の抵抗率は、前記第２の導電層の抵抗率よりも低い
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第１の導電層は、金属元素を含有する金属材料で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記金属元素は、タングステン（Ｗ）又は銅（Ｃｕ）である
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記第１の方向から見て、前記第１の導電層のパターンと前記第２の導電層のパターンとは互いに整合している
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子は、前記磁気抵抗効果素子の下層側に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子は、その２端子間に印加される電圧が閾電圧以上になるとオフ状態からオン状態に移行する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子は、絶縁性のスイッチング材料層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記スイッチング材料層の主成分は、シリコン酸化物である
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記スイッチング材料層は、ヒ素（Ａｓ）を含有する
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に磁気抵抗効果素子及びセレクタ（スイッチング素子）を含む複数のメモリセルが集積化された磁気記憶装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０４９８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
優れた特性を有する磁気記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気記憶装置は、第１の方向に延伸する第１の配線と、前記第１の配線の上層側に設けられ、前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられ、前記第１の方向及び前記第２の方向と交差する第３の方向に積層された磁気抵抗効果素子及びスイッチング素子を含むメモリセルと、を備える磁気記憶装置であって、前記第１の配線は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられ且つカーボン（Ｃ）を含有する材料で形成された第２の導電層とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る磁気記憶装置の基本的な構成を模式的に示した斜視図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の詳細な構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の詳細な構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の磁気抵抗効果素子の基本的な構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置のセレクタの基本的な構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置のセレクタの電流－電圧特性を模式的に示した図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る磁気記憶装置の基本的な構成を模式的に示した斜視図である。
【０００９】
図１に示した磁気記憶装置は、半導体基板（図示せず）を含む下部構造（図示せず）上に設けられており、複数の第１の配線１０と、複数の第２の配線２０と、複数のメモリセル３０とを含んでいる。
【００１０】
第１の配線１０は、Ｘ方向に延伸しており、ワード線に対応している。第２の配線２０は、第１の配線１０の上層側に設けられ、Ｙ方向に延伸している。第２の配線２０は、ビット線に対応している。
（【００１１】以降は省略されています）

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