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公開番号2024041992
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-27
出願番号2024006896,2023007765
出願日2024-01-19,2018-01-05
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20240319BHJP(光学)
要約【課題】大型化に適した表示装置を実現する。
【解決手段】第1乃至第3の配線と、第1のトランジスタと、第1乃至第3の導電層と、
第1の画素電極と、を有し、第1の配線は、第1の方向に延在し、かつ、第2および第3
の配線と交差し、第2および第3の配線は、それぞれ第1の方向と交差する第2の方向に
延在し、第1のトランジスタのゲートは、第1の配線と電気的に接続され、第1のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方は、第1乃至第3の導電層を介して第2の配線と電
気的に接続され、第2の導電層は、第3の配線と重なる領域を有し、第1の導電層、第3
の導電層、および第1の画素電極は、同一の材料を含み、第1の配線、および第2の導電
層は、同一の材料を含み、第1の配線は、選択信号が供給され、第2および第3の配線は
、それぞれ異なる信号が供給される表示装置。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
第１のソース線と、
第２のソース線と、
第１のゲート線と、
第２のゲート線と、
平面視において前記第１のゲート線の延伸方向と同じ方向に延伸する領域を有し、且つ、容量電極として機能する領域を有する、第１の配線及び第２の配線と、
前記第１のソース線及び前記第１のゲート線と電気的に接続する第１のトランジスタと、前記第１の配線と電気的に接続する第１の容量素子と、第１の画素電極とを有する第１の画素と、
前記第１の画素と同じ列に設けられ、且つ、前記第２のソース線及び前記第２のゲート線と電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２の配線と電気的に接続する第２の容量素子と、第２の画素電極とを有する第２の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層は、第１の導電層を介して、前記第１のソース線と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１のゲート線の延伸方向と交差する方向に延伸した形状を有し、
前記第１のソース線は、部分的に拡幅した第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１のゲート線は、前記第１の配線と前記第２の配線との間で、前記第２の配線よりも前記第１の配線に近い位置に設けられ、
平面視において、前記第２の配線は、前記第１のゲート線と前記第２のゲート線との間で、前記第１のゲート線よりも前記第２のゲート線に近い位置に設けられ、
平面視において、前記第１の配線及び前記第２の配線の各々は、部分的に拡幅した第２の領域を有し、
前記第１の配線の第２の領域は、第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記半導体層と、前記第１の画素電極とに電気的に接続する、表示装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示装置であって、
第１のソース線と、
第２のソース線と、
第１のゲート線と、
第２のゲート線と、
平面視において前記第１のゲート線の延伸方向と同じ方向に延伸する領域を有し、且つ、容量電極として機能する領域を有する、第１の配線及び第２の配線と、
前記第１のソース線及び前記第１のゲート線と電気的に接続する第１のトランジスタと、前記第１の配線と電気的に接続する第１の容量素子と、第１の画素電極とを有する第１の画素と、
前記第１の画素と同じ列に設けられ、且つ、前記第２のソース線及び前記第２のゲート線と電気的に接続する第２のトランジスタと、前記第２の配線と電気的に接続する第２の容量素子と、第２の画素電極とを有する第２の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層は、第１の導電層を介して、前記第１のソース線と電気的に接続され、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１のゲート線の延伸方向と交差する方向に延伸した形状を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第１のソース線と前記第２のソース線との間に位置する領域を有し、
前記第１のソース線は、部分的に拡幅した第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電層と重なりを有し、
平面視において、前記第１のゲート線は、前記第１の配線と前記第２の配線との間で、前記第２の配線よりも前記第１の配線に近い位置に設けられ、
平面視において、前記第２の配線は、前記第１のゲート線と前記第２のゲート線との間で、前記第１のゲート線よりも前記第２のゲート線に近い位置に設けられ、
平面視において、前記第１の配線及び前記第２の配線の各々は、部分的に拡幅した第２の領域を有し、
前記第１の配線の第２の領域は、第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記半導体層と、前記第１の画素電極とに電気的に接続する、表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の導電層は、前記第１のソース線と同じ材料を有する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様
である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等
を含む）、および電子機器は半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
近年、高解像度の表示装置が求められている。例えば家庭用のテレビジョン装置（テレビ
、またはテレビジョン受信機ともいう）では、解像度がフルハイビジョン（画素数１９２
０×１０８０）であるものが主流となっているが、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）や
、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）のように、高解像度な表示装置の開発が進められて
いる。
【０００５】
また、表示装置の一つに、液晶表示装置が知られている。透過型の液晶表示装置は、液晶
の光学変調作用を利用してバックライトからの光の透過量を制御することでコントラスト
を表現し、画像表示を行うものである。
【０００６】
また、電界効果トランジスタの一種として、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体
膜を用いてチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタが知られている。特許文献１
には、薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いられる半導体膜に、非晶質シリコンを
用いる技術が開示されている。例えば液晶表示装置の場合、薄膜トランジスタは各画素の
スイッチングトランジスタとして用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００１－０５３２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
テレビジョン装置やモニタ装置等の表示装置の場合、解像度が高いほど、または画面サイ
ズが大きいほど、当該表示装置が有するトランジスタ等の負荷の増大が顕著となる。これ
により、特にトランジスタの電界効果移動度が低い場合は、高い駆動周波数で動作させる
ことが難しくなる場合がある。
【０００９】
本発明の一態様は、高解像度な表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一と
する。または、大型化に適した表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一と
する。または、低価格の表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。
または、生産性の高い表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。ま
たは、信頼性の高い表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とする。また
は、非晶質シリコン等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一と
する。または、金属酸化物等を用いた表示装置およびその作製方法を提供することを課題
の一とする。または、新規な表示装置およびその作製方法を提供することを課題の一とす
る。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項等の記載から抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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