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公開番号2025177001
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-05
出願番号2024083459
出願日2024-05-22
発明の名称増幅回路
出願人住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H03F 1/52 20060101AFI20251128BHJP(基本電子回路)
要約【課題】抵抗において生じる熱に対する放熱性を高め得る増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅回路は、アンプ、第1抵抗、第2抵抗、第1キャパシタおよび第2キャパシタを備える。アンプは、高周波信号を増幅し、増幅した高周波信号を出力端子に出力する。第1抵抗の第1端は、アンプと出力端子との間の配線または出力端子に接続されている。第2抵抗の第1端は、第1抵抗の第2端に接続されている。第1キャパシタの第1電極は、第1抵抗の第2端と第2抵抗の第1端との間のノードに接続されている。第1キャパシタの第2電極は基準電位に接続されている。第2キャパシタの第1電極は、第2抵抗の第2端に接続されている。第2キャパシタの第2電極は基準電位に接続されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
高周波信号を増幅し、増幅した前記高周波信号を出力端子に出力するアンプと、
第１端および第２端を有し、前記アンプと前記出力端子との間の配線に前記第１端が接続された第１抵抗と、
第１端および第２端を有し、前記第１端が前記第１抵抗の前記第２端に接続された第２抵抗と、
第１電極および第２電極を有し、前記第１抵抗の前記第２端と前記第２抵抗の前記第１端との間のノードに前記第１電極が接続され、前記第２電極が基準電位に接続された第１キャパシタと、
第１電極および第２電極を有し、前記第１電極が前記第２抵抗の前記第２端に接続され、前記第２電極が基準電位に接続された第２キャパシタと、
を備える、増幅回路。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記第１抵抗の抵抗値は前記第２抵抗の抵抗値よりも小さい、請求項１に記載の増幅回路。
【請求項３】
前記第１抵抗、前記第２抵抗、前記第１キャパシタ、および前記第２キャパシタが設けられる主面を有する基材を更に備え、
前記主面上において、前記第１キャパシタ、前記第２キャパシタ、または前記第１キャパシタおよび前記第２キャパシタの両方が、前記第１抵抗と前記第２抵抗との間に配置されている、請求項１または２に記載の増幅回路。
【請求項４】
前記主面の平面形状は、第１方向に長い長方形であり、
前記第１抵抗および前記第２抵抗の平面形状は、前記第１方向と交差する第２方向に長い長方形である、請求項３に記載の増幅回路。
【請求項５】
前記主面上に設けられ、前記第１抵抗の前記第１端に接続されたワイヤボンディングパッドと、
前記ワイヤボンディングパッドを前記配線と接続するボンディングワイヤと、
を備え、
前記第１抵抗は前記ワイヤボンディングパッドと前記第１キャパシタとの間に配置されている、請求項３に記載の増幅回路。
【請求項６】
前記第１抵抗、前記第２抵抗、前記第１キャパシタ、および前記第２キャパシタが設けられる主面を有する基材を更に備え、
前記第１抵抗および前記第２抵抗は、前記主面に形成された膜抵抗である、請求項１または２に記載の増幅回路。
【請求項７】
前記第１抵抗、前記第２抵抗、前記第１キャパシタ、および前記第２キャパシタが設けられる主面を有する基材を更に備え、
前記第１抵抗および前記第２抵抗は、前記基材に形成された拡散抵抗である、請求項１または２に記載の増幅回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、増幅回路に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、パッケージに収納されたＲＦパワーデバイスを開示する。ＲＦパワーデバイスは、少なくとも一つのトランジスタ、ＲＦ信号入力リード線、ＲＦ信号出力リード線、出力マッチング回路、およびビデオバイパス回路を備える。ＲＦ信号入力リード線およびＲＦ信号出力リード線は、トランジスタに結合されている。出力マッチング回路はＲＦ信号出力リード線に結合されている。トランジスタは、出力マッチング回路を介してＲＦ信号出力リード線に結合されている。ビデオバイパス回路は、出力マッチング回路を介してＲＦ信号出力リード線に結合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００４／０３２１８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高周波の増幅回路は、例えば携帯電話の基地局において用いられる。高周波の増幅回路では、通信周波数の広帯域化に伴い、信号周波数だけでなくベースバンドの周波数もノイズとして増幅されてしまう。そのようなノイズを抑制するために、ベースバンドの周波数を含む低周波数帯を低減する回路が増幅回路内に設けられることがある。一例では、その低周波数帯低減回路はキャパシタおよび抵抗を含み、低周波数帯のノイズ成分を吸収する。このとき、抵抗が発熱し、抵抗付近の温度が上昇する。抵抗付近の温度が過度に上昇すると抵抗の動作及び寿命に影響するので、抵抗において生じる熱に対する放熱性を高めることが望まれる。
【０００５】
本開示は、抵抗において生じる熱に対する放熱性を高めることができる増幅回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態による増幅回路は、アンプ、第１抵抗、第２抵抗、第１キャパシタ、および第２キャパシタを備える。アンプは、高周波信号を増幅し、増幅した高周波信号を出力端子に出力する。第１抵抗は、第１端および第２端を有する。第１抵抗の第１端は、アンプと出力端子との間の配線に接続されている。第２抵抗は、第１端および第２端を有する。第２抵抗の第１端は、第１抵抗の第２端に接続されている。第１キャパシタは、第１電極および第２電極を有する。第１キャパシタの第１電極は、第１抵抗の第２端と第２抵抗の第１端との間のノードに接続されている。第１キャパシタの第２電極は基準電位に接続されている。第２キャパシタは、第１電極および第２電極を有する。第２キャパシタの第１電極は、第２抵抗の第２端に接続されている。第２キャパシタの第２電極は基準電位に接続されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、抵抗において生じる熱に対する放熱性を高めることができる増幅回路を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、一実施形態に係る増幅回路の構成を模式的に示す図である。
図２は、一実施形態における半導体装置の回路図である。
図３は、半導体装置の平面図である。
図４は、半導体装置の側面図である。
図５は、図３に示されたＶ－Ｖ線に沿った半導体装置の断面図である。
図６は、図３に示されたＶＩ－ＶＩ線に沿った半導体装置の断面図である。
図７は、図３に示されたＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った半導体装置の断面図である。
図８は、ベースバンド終端回路の斜視図である。
図９は、図８のＩＸ－ＩＸ線に沿ったベースバンド終端回路の断面図である。
図１０は、ベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
図１１は、ベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
図１２は、ベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
図１３は、比較列に係るベースバンド終端回路の斜視図である。
図１４は、ベースバンド終端回路の回路図である。
図１５は、ベースバンド終端回路の電気特性の効果を確認するためのシミュレーションに使用された回路を示す図である。
図１６は、シミュレーション結果を示すグラフである。
図１７は、一変形例であるベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
図１８は、一変形例であるベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
図１９は、一変形例であるベースバンド終端回路の作製工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。［１］本開示の一実施形態による増幅回路は、アンプ、第１抵抗、第２抵抗、第１キャパシタ、および第２キャパシタを備える。アンプは、高周波信号を増幅し、増幅した高周波信号を出力端子に出力する。第１抵抗は、第１端および第２端を有する。第１抵抗の第１端は、アンプと出力端子との間の配線に接続されている。第２抵抗は、第１端および第２端を有する。第２抵抗の第１端は、第１抵抗の第２端に接続されている。第１キャパシタは、第１電極および第２電極を有する。第１キャパシタの第１電極は、第１抵抗の第２端と第２抵抗の第１端との間のノードに接続されている。第１キャパシタの第２電極は基準電位に接続されている。第２キャパシタは、第１電極および第２電極を有する。第２キャパシタの第１電極は、第２抵抗の第２端に接続されている。第２キャパシタの第２電極は基準電位に接続されている。
【００１０】
上記［１］の増幅回路では、第１抵抗および第２抵抗といった少なくとも２つの抵抗が設けられている。この場合、抵抗が一つのみである場合と比べて、発熱箇所を分散させることができる。従って、抵抗において生じる熱に対する放熱性を高めることができる。加えて、第１抵抗が設けられることにより、第１キャパシタを通過する周波数帯域の減衰率を高めることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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