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公開番号2025176521
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-04
出願番号2024082729
出願日2024-05-21
発明の名称半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20251127BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】放熱性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、前記半導体チップと、前記ダイパッドの一部とを封止する封止材と、を有し、前記ダイパッドは、前記半導体チップが搭載された第1主面と、前記第1主面とは反対の第2主面とを有する基部を有し、前記第2主面に、底面を有するリセスが形成され、前記ダイパッドは、前記底面から突出する突出部を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと、前記ダイパッドの一部とを封止する封止材と、
を有し、
前記ダイパッドは、前記半導体チップが搭載された第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有する基部を有し、
前記第２主面に、底面を有するリセスが形成され、
前記ダイパッドは、前記底面から突出する突出部を有する、半導体装置。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記ダイパッドは、前記突出部を複数有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１主面に垂直な平面視で、前記半導体チップは、少なくとも一つの前記突出部と重なり合う、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
隣り合う前記突出部の間の距離は前記半導体チップの幅の１／２以下である、請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リセスの深さは、前記基部の厚さの２／３以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突出部は、前記第２主面と面一の端面を有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記突出部は、前記第２主面よりも前記第１主面から離れた端面を有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記端面と前記第１主面との間の距離は、前記基部の厚さの１．５倍以上である、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記突出部の平面形状は、正方形、長方形、円形、三角形または六角形である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記基部と前記突出部とは一つの金属材から形成されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ダイパッドに半導体チップが搭載され、封止材により半導体チップと、ダイパッドの一部とが封止された半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－０２７８７８号公報
特開２００７－３１７７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置はヒートシンクに取り付けて使用されている。ヒートシンクに取り付けずに半導体装置を使用しようとすると、放熱性が低く、半導体装置が高温になりやすい。
【０００５】
本開示は、放熱性を向上できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、前記半導体チップと、前記ダイパッドの一部とを封止する封止材と、を有し、前記ダイパッドは、前記半導体チップが搭載された第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有する基部を有し、前記第２主面に、底面を有するリセスが形成され、前記ダイパッドは、前記底面から突出する突出部を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、放熱性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。
図２は、第１実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図３は、ダイパッドを示す下面図である。
図４は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
図５は、ダイパッドの変形例を示す下面図（その１）である。
図６は、ダイパッドの変形例を示す下面図（その２）である。
図７は、ダイパッドの変形例を示す下面図（その３）である。
図８は、ダイパッドの変形例を示す下面図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
【００１０】
〔１〕本開示の一態様に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに搭載された半導体チップと、前記半導体チップと、前記ダイパッドの一部とを封止する封止材と、を有し、前記ダイパッドは、前記半導体チップが搭載された第１主面と、前記第１主面とは反対の第２主面とを有する基部を有し、前記第２主面に、底面を有するリセスが形成され、前記ダイパッドは、前記底面から突出する突出部を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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