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公開番号2025165639
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-05
出願番号2024069829
出願日2024-04-23
発明の名称フォトレジスト除去用組成物およびフォトレジストの除去方法
出願人三菱瓦斯化学株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/42 20060101AFI20251028BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】フォトレジストを効率的に除去することができ、装置のノズルやフィルター詰まりの発生を抑えることができるフォトレジスト除去用組成物を提供すること。
【解決手段】上記課題は、銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストを、前記パターンの形成後に剥離するための組成物であって、前記組成物に対し、目開き2000μmのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過しない剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して55質量%以上である、組成物によって解決することができる。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストを、前記パターンの形成後に剥離するための組成物であって、
前記組成物に対し、目開き２０００μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過しない剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して５５質量％以上である、組成物。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記組成物に対し、目開き４５μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過する剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して９質量％以下である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
アルカノールアミン、第４級アンモニウムヒドロキシド、および無機アルカリからなる群から選択される少なくとも１種を含むアルカリ剤と、有機溶剤と、アゾール化合物とを含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物が、前記組成物の全量基準で、３．０～５０質量％の前記アルカリ剤、０．１～３０質量％の前記有機溶剤、及び、０．００１～１．０質量％の前記アゾール化合物を含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記パターンが、銅配線を少なくとも一部に有する絶縁層上に形成される前記銅配線の接続端子部となる回路パターンである、請求項１～４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストに対して、請求項１～５のいずれかに記載の組成物を接触させるフォトレジスト除去工程を含む、フォトレジストの除去方法。
【請求項７】
銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストに対して、請求項１～５のいずれかに記載の組成物を接触させるフォトレジスト除去工程を含む、プリント配線板、半導体素子、又は半導体パッケージの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト除去用組成物、それを用いるフォトレジストの除去方法などに関するものである。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化、高機能化が進んでおり、当該電子デバイスに用いられるプリント配線板においても、小型化、高機能化が求められている。
このような要望を満たすためのプリント配線板などを製造するために、以下のような方法が採用されている。例えば、銅配線を一部に有する絶縁層上にシード層と呼ばれる金属層を形成し、その表面にフォトレジスト層を形成し、露光現像してレジストパターンを形成したのち、パターン開口部に銅メッキを施し、次いで、フォトレジストおよびシード層を除去して銅配線の接続端子部となる回路パターンを形成する方法である。
【０００３】
上述のように、プリント配線板などの製造方法においては、フォトレジストを除去する工程が含まれることが多く、フォトレジスト除去工程では、通常、様々な成分を有する水溶液が使用されている（特許文献１など）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０２０／０２２４９１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトレジストを除去する工程において、従来の処理液が用いられると、剥離片サイズが小さくなり、メッシュの大きなフィルターでは回収できないため、装置のノズル詰まりが発生してしまうという問題があった。
また、フォトレジストを除去する工程において、従来の処理液が用いられると、イエロースカムが発生することがあり、このイエロースカムが装置のノズルやフィルター詰まりの原因となることがあった。
【０００６】
以上のことから、例えばプリント配線板などの製造工程の一環としてフォトレジストを除去する性能に優れているとともに、装置のノズルやフィルター詰まりの発生を抑えることができる手段が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、例えば、以下の態様を含む。
＜１＞銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストを、前記パターンの形成後に剥離するための組成物であって、
前記組成物に対し、目開き２０００μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過しない剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して５５質量％以上である、組成物である。
＜２＞前記組成物に対し、目開き４５μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過する剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して９質量％以下である、上記＜１＞に記載の組成物である。
＜３＞アルカノールアミン、第４級アンモニウムヒドロキシド、および無機アルカリからなる群から選択される少なくとも１種を含むアルカリ剤と、有機溶剤と、アゾール化合物とを含む、上記＜１＞または＜２＞に記載の組成物である。
＜４＞前記組成物が、前記組成物の全量基準で、３．０～５０質量％の前記アルカリ剤、０．１～３０質量％の前記有機溶剤、及び、０．００１～１．０質量％の前記アゾール化合物を含む、上記＜３＞に記載の組成物である。
＜５＞前記パターンが、銅配線を少なくとも一部に有する絶縁層上に形成される前記銅配線の接続端子部となる回路パターンである、上記＜１＞～＜４＞のいずれかに記載の組成物である。
＜６＞銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストに対して、上記＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の組成物を接触させるフォトレジスト除去工程を含む、フォトレジストの除去方法である。
＜７＞銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストに対して、上記＜１＞～＜５＞のいずれかに記載の組成物を接触させるフォトレジスト除去工程を含む、プリント配線板、半導体素子、又は半導体パッケージの製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、フォトレジストを効率的に除去することができ、装置のノズルやフィルター詰まりの発生を抑えることができるフォトレジスト除去用組成物等が提供される。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、銅を含むパターンを形成するためのフォトレジストを、前記パターンの形成後に剥離するための組成物であって、前記組成物に対し、目開き２０００μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過しない剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して５５質量％以上である、組成物である。
フォトレジストを除去する工程において、本発明のフォトレジスト除去用組成物を用いると、比較的剥離片サイズが大きくなり、メッシュの大きなフィルターで回収可能であるため、装置のノズル詰まりが発生し難いというメリットがある。
また、フォトレジストを除去する工程において、本発明のフォトレジスト除去用組成物を用いると、イエロースカムが発生し難いため、装置のノズルやフィルター詰まりが発生し難いというメリットがある。
本発明において、剥離片の重量分布の測定方法や、イエロースカムの発生有無の確認方法は、後述する実施例に記載の方法を採用することができる。
【００１０】
本発明において、前記組成物に対し、目開き２０００μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過しない剥離後の剥離片は、前記組成物の全質量に対して７０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましい。
一方、本発明において、前記組成物に対し、目開き４５μｍのふるいで分離した際に、当該ふるいを通過する剥離後の剥離片が、前記組成物の全質量に対して９質量％以下であることが好ましく、７質量％以下であることがより好ましく、５質量％以下であることが特に好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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