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公開番号2025144914
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-03
出願番号2024044834
出願日2024-03-21
発明の名称半導体処理装置および半導体処理方法、並びに、半導体装置
出願人リンテック株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】新たな方法によって半導体装置の個別認識が行える半導体処理装置および半導体処理方法を提供すること。
【解決手段】マーキング材IKによって半導体装置SDに所定の印MKを付与するマーキング手段10を備えた半導体処理装置EAにおいて、マーキング手段10は、蛍光材FM、夜光材NMおよび蓄光材PMの少なくとも1つが点在するように配合されたマーキング材IKによって半導体装置SDに所定の印MKを付与する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
マーキング材によって半導体装置に所定の印を付与するマーキング手段を備えた半導体処理装置において、
前記マーキング手段は、蛍光材、夜光材および蓄光材の少なくとも１つが点在するように配合された前記マーキング材によって前記半導体装置に前記所定の印を付与することを特徴とする半導体処理装置。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記半導体装置は、所定のエネルギーの付与によって当該所定のエネルギー特有の変化を起こす被覆材が半導体本体に被覆されたものとされ、
前記被覆材に前記所定のエネルギーを付与するエネルギー付与手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置。
【請求項３】
前記所定の印を撮像して前記蛍光材、前記夜光材および前記蓄光材の少なくとも１つによる個別認識が可能な個別認識画像を形成し、当該個別認識画像を他の装置に出力する撮像手段を備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体処理装置。
【請求項４】
前記撮像手段によって前記所定の印を撮像する際に、当該所定の印の周辺部の光強度を調整する光強度調整手段を備えていることを特徴とする請求項３に記載の半導体処理装置。
【請求項５】
マーキング材によって半導体装置に所定の印を付与するマーキング工程を実施する半導体処理方法において、
前記マーキング工程では、蛍光材、夜光材および蓄光材の少なくとも１つが点在するように配合された前記マーキング材によって前記半導体装置に前記所定の印を付与することを特徴とする半導体処理方法。
【請求項６】
マーキング材によって所定の印が付与された半導体装置において、
前記マーキング材には、蛍光材、夜光材および蓄光材のうち少なくとも１つが点在するように配合されていることを特徴とする半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体処理装置および半導体処理方法、並びに、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに所定の印を付与する半導体処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１１２５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたレーザ加工装置（半導体処理装置）では、レーザ照射によって半導体ウエハ１０（半導体装置）に付与したＩＤや偽造防止用のマーク１１０（所定の印）を読み取ることで、半導体装置の個別認識が行える技術が開示されているが、近年では新たな方法によって半導体装置の個別認識が行える技術が求められている。
【０００５】
本発明の目的は、新たな方法によって半導体装置の個別認識が行える半導体処理装置および半導体処理方法を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、新たな方法によって個別認識が行える半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、請求項に記載した構成を採用した。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、蛍光材、夜光材および蓄光材の少なくとも１つが点在するように配合されたマーキング材によって半導体装置に所定の印を付与するので、点在する蛍光材、夜光材および蓄光材の少なくとも１つによって個別認識を行うといった新たな方法によって半導体装置の個別認識を行うことができる。
また、本発明によれば、蛍光材、夜光材および蓄光材のうち少なくとも１つが点在するように配合されたマーキング材によって半導体装置に所定の印が付与されているので、点在する蛍光材、夜光材および蓄光材の少なくとも１つによって個別認識を行うといった新たな方法によって個別認識が行える半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
（Ａ）～（Ｆ）は、本発明の一実施形態に係る半導体処理装置および半導体装置の説明図。（Ｇ）～（Ｊ）は、変形例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Ｙ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸と平行な図１（Ａ）中手前方向で「後」がその逆方向とする。
【００１０】
本発明の半導体処理方法を実施する半導体処理装置ＥＡは、マーキング材としての油性インクＩＫ（図１（Ｄ）参照）によって半導体装置ＳＤに所定の印ＭＫを付与するマーキング工程を実施するマーキング手段１０と、被覆材としての接着シートＡＳに所定のエネルギーとしての熱ＨＡを付与するエネルギー付与工程を実施するエネルギー付与手段２０と、印ＭＫを撮像して蛍光材ＦＭ（図１（Ｄ）参照）による個別認識が可能な個別認識画像ＩＰを形成し、当該個別認識画像ＩＰを他の装置ＥＢに出力する撮像工程を実施する撮像手段３０と、撮像手段３０によって印ＭＫを撮像する際に、当該印ＭＫの周辺部の明るさを調整する光強度調整手段４０とを備え、半導体装置ＳＤを搬送する移動手段５０の上方に配置されている。
なお、本実施形態の半導体装置ＳＤは、熱ＨＡの付与によって当該熱ＨＡ特有の変化としての硬化を起こす接着シートＡＳが、半導体本体としての半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」ともいう）ＷＦに被覆されたものとなっている。
（【００１１】以降は省略されています）

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