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公開番号2025116293
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2025095566,2023050979
出願日2025-06-09,2022-05-31
発明の名称SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人
主分類C30B 29/36 20060101AFI20250731BHJP(結晶成長)
要約【課題】不良が生じにくいSiC基板及びSiCエピタキシャルウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態にかかるSiC基板は、中心から半径17.5mmの円周と重なる位置にある内周支持面で内周支持した際に、上面のうち厚み方向から見て前記内周支持面と重なる第1点を繋ぐ面を第1基準面とし、前記第1基準面より上方を正とした際に、BOWが40μm未満である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣ基板と、前記ＳｉＣ基板の一面に積層されたＳｉＣエピタキシャル層とを有する、ＳｉＣエピタキシャルウェハであって、
前記ＳｉＣエピタキシャルウェハの中心から半径１７．５ｍｍの円周と重なる位置にある内周支持面で内周支持した際に、前記ＳｉＣエピタキシャルウェハの上面のうち厚み方向から見て前記内周支持面と重なる第１点を繋ぐ面を第１基準面とし、前記第１基準面より上方を正とした際に、前記ＳｉＣエピタキシャルウェハのＢＯＷが３０μｍ以下であり、
前記ＳｉＣ基板の直径が１４５ｍｍ以上である、ＳｉＣエピタキシャルウェハ。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記内周支持面で支持した際の前記ＳｉＣエピタキシャルウェハのＢＯＷが１０μｍ以下である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項３】
ＷＡＲＰが５０μｍ以下である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項４】
ＷＡＲＰが３０μｍ以下である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項５】
前記内周支持面で内周支持した際に、前記ＳｉＣ基板が上に凸にたわむ、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項６】
前記ＳｉＣ基板の中心から半径１７．５ｍｍの円周と重なる位置にある内周支持面で内周支持した際に、前記ＳｉＣ基板の上面のうち厚み方向から見て前記内周支持面と重なる第１点を繋ぐ面を第１基準面とし、前記第１基準面より上方を正とした際に、前記ＳｉＣ基板のＢＯＷが４０μｍ未満である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項７】
前記ＳｉＣ基板が単結晶からなる、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項８】
前記ＳｉＣエピタキシャル層が単結晶からなる、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項９】
前記ＳｉＣ基板の厚みが３７５μｍ以下である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【請求項１０】
前記ＳｉＣ基板の直径が１９５ｍｍ以上である、請求項１～９のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。このため、近年、上記のような半導体デバイスにＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられるようになっている。
【０００３】
ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣインゴットから切り出されたＳｉＣ基板の表面にＳｉＣエピタキシャル層を積層することで得られる。以下、ＳｉＣエピタキシャル層を積層前の基板をＳｉＣ基板と称し、ＳｉＣエピタキシャル層を積層後の基板をＳｉＣエピタキシャルウェハと称する。
【０００４】
ＳｉＣ基板やＳｉＣエピタキシャルウェハは、搬送等のプロセスにおいてたわむ場合がある。たわみは、センサーの検出不良や吸着不良等の不良の原因となる場合がある。例えば、特許文献１には、中心が外側より上方となるように反ったＳｉＣ基板を外周支持することで、搬送時のたわみを抑制することが記載されている。また特許文献２には、熱処理時のムラを抑制するために、ウェハを支持体で平面支持し、たわみを発生させないようにすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
米国特許出願公開第２０２１／０１９８８０４号
特開２０１２－１８２２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウェハの支持方法は様々あり、他の構成との関係で制約がある場合もある。特許文献１及び２に記載の方法は、特定のウェハの支持方法の場合に不良の発生を抑制できるが、例えば内周支持でウェハを支持する場合に、十分不良を低減することができなかった。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、不良が生じにくいＳｉＣ基板及びＳｉＣエピタキシャルウェハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、ウェハの形状やたわみを規定するＢＯＷやＷＡＲＰが所定の範囲内となるＳｉＣ基板を作製し、そのＳｉＣ基板を用いることで、搬送時の不良を低減できることを見出した。すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
【０００９】
（１）第１の態様にかかるＳｉＣ基板は、中心から半径１７．５ｍｍの円周と重なる位置にある内周支持面で内周支持した際に、上面のうち厚み方向から見て前記内周支持面と重なる第１点を繋ぐ面を第１基準面とし、前記第１基準面より上方を正とした際に、ＢＯＷが４０μｍ未満である。
【００１０】
（２）上記態様にかかるＳｉＣ基板は、前記内周支持面で支持した際のＷＡＲＰが６０μｍ未満でもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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