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公開番号2025107447
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-17
出願番号2025080849,2024063077
出願日2025-05-14,2019-03-27
発明の名称チャックテーブル
出願人株式会社東京精密
代理人個人
主分類B24B 41/06 20120101AFI20250710BHJP(研削;研磨)
要約【課題】非円形状の基板を所望の厚みに平面加工する基板加工装置に適用可能なチャックテーブルを提供する。
【解決手段】チャックテーブル21は、非円形状の基板Wを吸着保持可能な吸着体23と、吸着体23を埋設する空間である第1領域及び第1領域の外周に配置された第2領域を含む緻密体24と、を回転可能に備えている。緻密体24の第2領域は、砥石31で緻密体24の表面が研削される際に、基板Wが砥石31で加工される場合に基板Wと砥石31とが接触する予想接触面積の緻密体24の回転角度毎の変化に応じて、緻密体24の回転角度毎に砥石31との接触面積が拡縮する切り欠き部26が形成されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
非円形状の基板を吸着保持可能な吸着体と、
前記吸着体を埋設する空間である第１領域及び前記第１領域の外周に配置された第２領域を含む緻密体と、を回転可能に備え、
前記第２領域は、砥石で前記緻密体の表面が研削される際に、前記基板が前記砥石で加工される場合に前記基板と前記砥石とが接触する予想接触面積の前記緻密体の回転角度毎の変化に応じて、前記緻密体の回転角度毎に前記砥石との接触面積が拡縮する切り欠き部が形成されている、ことを特徴とするチャックテーブル。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、非円形状の基板を平面加工する基板加工装置に適用可能なチャックテーブルに関するものである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体基板（以下、「基板」という）を薄く平坦に平面加工する基板加工装置が知られている。
【０００３】
特許文献１には、チャックテーブルに保持された矩形ワークの上面に回転する砥石を接触させ、矩形ワークを所定厚みに研削する研削装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第５２３０９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、チャックテーブルに保持された矩形ワークに対して平行に砥石を接触させて研削を行う場合、チャックテーブルの所定回転毎における砥石と矩形ワークとの接触面積は一定ではなく、接触面積が比較的大きい領域では、矩形ワークの研削量は少なくなり、接触面積が比較的小さい領域では、矩形ワークの研削量は大きくなりがちである。すなわち、加工中における砥石と矩形ワークとの接触面積の大小に応じて、矩形ワークの厚みがばらつき、矩形ワークを所望の厚みに仕上げられないという問題があった。
【０００６】
そこで、非円形状の基板を所望の厚みに平面加工するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るチャックテーブルは、非円形状の基板を吸着保持可能な吸着体と、前記吸着体を埋設する空間である第１領域及び前記第１領域の外周に配置された第２領域を含む緻密体と、を回転可能に備え、前記第２領域は、砥石で前記緻密体の表面が研削される際に、前記基板が前記砥石で加工される場合に前記基板と前記砥石とが接触する予想接触面積の前記緻密体の回転角度毎の変化に応じて、前記緻密体の回転角度毎に前記砥石との接触面積が拡縮する切り欠き部が形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、非円形状の基板の研削量が局所的に変化する厚みバラつきが相殺されるように、緻密体の第２領域は、砥石が緻密体の表面を研削するセルフグラインドの研削量が緻密体の回転角度に応じて増減するように形成されているため、基板の形状に起因する加工後の基板の厚みバラつきを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るチャックテーブルを適用した基板加工装置を示す模式図。
セルフグラインドの様子を示す模式図。
基板内の２箇所における基板と砥石との予想接触面積を比較した平面図。
チャックテーブルの形状を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
（【００１１】以降は省略されています）

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