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公開番号2025105592
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2024233156
出願日2024-12-27
発明の名称ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法
出願人エスケーエンパルスカンパニーリミテッド,SK enpulse Co.,Ltd.
代理人SK弁理士法人,個人,個人
主分類G03F 1/50 20120101AFI20250703BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】精密にパターニングされて、光学歪みの少ないフォトマスクを提供することができるブランクマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、前記光学基板上にフォトレジスト樹脂組成物を噴射するためノズルを準備する段階と、前記ノズルに前記フォトレジスト樹脂組成物を満たして、前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階と、前記ノズルの内部から前記フォトレジスト樹脂組成物を除去する段階と、前記ノズルを使用して、前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階と、を含むブランクマスクの製造方法を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、
前記光学基板上にフォトレジスト樹脂組成物を噴射するためノズルを準備する段階と、
前記ノズルに前記フォトレジスト樹脂組成物を満たして、前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階と、
前記ノズルの内部から前記フォトレジスト樹脂組成物を除去する段階と、
前記ノズルを使用して、前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階と、
を含む、
ブランクマスクの製造方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記フォトレジスト層は、
前記遮光膜上に配置される平坦部と、
前記平坦部と異なる光学厚さを有する光学凹凸と、
を含み、
前記光学凹凸は、５３２ｎｍのレーザによって検出されて、前記遮光膜上に３０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満で配置される、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項３】
前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階において、
前記フォトレジスト樹脂組成物の一部が前記ノズルの入口から外部に露出するように付く、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項４】
前記ノズルの内部に前記フォトレイスト組成物が満たされた状態で、約３０秒～約３００分間維持される、
請求項３に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項５】
前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階において、
前記ノズルの内部に付着した残留物が前記ノズルの内部面から着脱する、
請求項４に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項６】
前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階は、前記残留物が前記ノズルの内部面から着脱するまで維持される、
請求項５に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項７】
前記光学凹凸は、２０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満である、
請求項２に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項８】
透明基板と、
前記透明基板上に配置される遮光膜と、
前記遮光膜上に配置されるフォトレジスト層と、
を含み、
前記フォトレジスト層は、
前記遮光膜上に配置される平坦部と、
５３２ｎｍのレーザによって検出される光学凹凸と、
を含み、
前記光学凹凸は、前記遮光膜上に３０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満で配置される、
ブランクマスク。
【請求項９】
前記光学凹凸は、２０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満である、
請求項８に記載のブランクマスク。
【請求項１０】
前記光学凹凸は、前記フォトレジスト層と異なる屈折率を有する、
請求項８に記載のブランクマスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施例は、ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハ表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術であるリソグラフィ技術の重要性がさらに強調されている。
【０００３】
微細化した回路パターンを現像するためには、露光工程で使用される露光光源の短波長化が求められる。近年、使用される露光光源では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などがある。
【０００４】
一方、フォトマスクにはバイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙｍａｓｋ）と位相シフトマスク（Ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ）などがある。
【０００５】
バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は、露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は、露光光を遮断することによって、ウエハ表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。ただし、バイナリマスクは、パターンが微細化するほど、露光工程で透過部の縁で発生する光の回折によって微細パターンの現像に問題が発生し得る。
【０００６】
位相シフトマスクでは、レベンスン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎｔｙｐｅ）、アウトトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒｔｙｐｅ）、ハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅｔｙｐｅ）がある。そのうちハーフトーン型位相シフトマスクは、光透過性基板２０上に半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型位相シフトマスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は、露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は、減衰した露光光を透過させる。前記減衰した露光光は、透過部を通過した露光光と比較して位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺して、位相シフトマスクは、ウエハ表面にさらに精巧な微細パターンを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
これに関連する先行文献は、次のとおりである。
大韓民国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号
大韓民国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
実施例は、精密にパターニングされて、光学歪みの少ないフォトマスクを提供することができるブランクマスク及びその製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施例によるブランクマスクの製造方法は、光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、前記光学基板上にフォトレジスト樹脂組成物を噴射するためノズルを準備する段階と、前記ノズルに前記フォトレジスト樹脂組成物を満たして、前記ノズルの内部に前記フォトレジスト樹脂組成物が満たされた状態を維持する段階と、前記ノズルの内部から前記フォトレジスト樹脂組成物を除去する段階と、前記ノズルを使用して、前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階とを含む。
【００１０】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記フォトレジスト層は、前記遮光膜上に配置される平坦部と、前記平坦部と異なる光学厚さを有する光学凹凸とを含み、前記光学凹凸は、５３２ｎｍのレーザによって検出されて、前記遮光膜上に３０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満で配置されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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