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公開番号2025101777
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2023218762
出願日2023-12-26
発明の名称弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/17 20060101AFI20250701BHJP(基本電子回路)
要約【課題】横モードスプリアスを抑制することができる弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、支持基板と、前記支持基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極の上に形成され、少なくとも1つの第1溝が形成された圧電層と、前記圧電層の上に形成され、前記第1溝に隣接した上部電極と、前記第1溝に充填され、前記第1溝の内側面よりも前記支持基板と前記下部電極との積層方向に対して平行に近い内側面を有した第2溝が形成された絶縁体と、を備えた。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の上に形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、少なくとも１つの第１溝が形成された圧電層と、
前記圧電層の上に形成され、前記第１溝に隣接した上部電極と、
前記第１溝に充填され、前記第１溝の内側面よりも前記支持基板と前記下部電極との積層方向に対して平行に近い内側面を有した第２溝が形成された絶縁体と、
を備えた弾性波デバイス。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記支持基板と前記下部電極との間に形成された音響反射層、
を備えた請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１溝は、前記圧電層と前記下部電極と前記音響反射層とを貫くように形成された請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記音響反射層は、
酸化ハフニウムまたはタングステンで形成された高音響インピーダンス層と、
二酸化ケイ素で形成された低音響インピーダンス層と、
が交互に積層された請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記圧電層は、一対の第１溝を有し、
前記上部電極は、平面視において前記一対の第１溝の間に形成された請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
平面視において前記一対の第１溝とそれぞれ直交するように前記上部電極の外縁部に形成された一対のピストン体、
を備えた請求項５に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１溝は、平面視において前記上部電極と接続された配線部を除いた領域で前記上部電極を囲った請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記絶縁体の音響インピーダンスの値は、前記圧電層の音響インピーダンスの値の９０％から１１０％の間の値である請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記絶縁体は、シリコンと酸素と窒素とを含んだ請求項８に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
支持基板の上に下部電極を配置させる下部電極配置工程と、
前記下部電極の上に圧電層を配置させる圧電層配置工程と、
前記圧電層に第１溝を形成する第１溝形成工程と、
前記第１溝に絶縁体を充填する絶縁体充填工程と、
前記圧電層の上において前記第１溝に隣接する領域に上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記絶縁体において前記第１溝の内側面よりも前記支持基板と前記下部電極との積層方向に対して平行に近い内側面を有するように第２溝を形成する第２溝形成工程と、
を備えた弾性波デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法に関連する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、音響薄膜共振器を開示する。当該音響薄膜共振器は、ＳＭＲ（ＳｏｌｉｄｌｙＭｏｕｎｔｅｄＲｅｓｏｎａｔｏｒ）である。当該音響薄膜共振器によれば、横モードスプリアスを抑制し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２２／０８７８４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の音響薄膜共振器においては、圧電層の側面として垂直または垂直に近い角度を有することが求められるものの、その実現は容易ではない。圧電層であるタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムに対して異方性の反応性イオンエッチングを行った場合、その断面形状は大きな傾斜角を持つ傾斜面となる。レーザーエッチングを用いた場合も同様である。この場合、当該音響薄膜共振器においては、水平方向に進む弾性波が圧電層の傾斜面で反射することで、横モードスプリアスが発生する。
【０００５】
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、横モードスプリアスをより確実に抑制することができる弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る弾性波デバイスは、
支持基板と、
前記支持基板の上に形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、少なくとも１つの第１溝が形成された圧電層と、
前記圧電層の上に形成され、前記第１溝に隣接した上部電極と、
前記第１溝に充填され、前記第１溝の内側面よりも前記支持基板と前記下部電極との積層方向に対して平行に近い内側面を有した第２溝が形成された絶縁体と、
を備えた。
【０００７】
前記支持基板と前記下部電極との間に形成された音響反射層、
を備えたことが、本開示の一形態とされる。
【０００８】
前記第１溝は、前記圧電層と前記下部電極と前記音響反射層とを貫くように形成されたことが、本開示の一形態とされる。
【０００９】
前記音響反射層は、
酸化ハフニウムまたはタングステンで形成された高音響インピーダンス層と、
二酸化ケイ素で形成された低音響インピーダンス層と、
が交互に積層されたことが、本発明の一形態とされる。
【００１０】
前記圧電層は、一対の第１溝を有し、
前記上部電極は、平面視において前記一対の第１溝の間に形成されたことが、本発明の一形態とされる。
（【００１１】以降は省略されています）

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