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公開番号2025100921
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2025073206,2021573123
出願日2025-04-25,2021-01-15
発明の名称EUV用ペリクルフレーム及びその製造方法、並びにEUV用ペリクル
出願人信越化学工業株式会社
代理人弁理士法人英明国際特許事務所
主分類G03F 1/64 20120101AFI20250626BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】検査光に対するペリクルフレーム内面の反射率を低くすることで、該フレームからの散乱光を可及的に抑え、異物検査性を向上し得るとともに、検査光の波長に対してのみ反射率を下げることでペリクルフレームの着色等の制限の少ないペリクルフレーム及びペリクルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームの少なくとも内側面での光源波長500～1000nmの最小反射率が20%以下であるペリクルフレーム及び該ペリクルフレームを具備するペリクルを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームの少なくとも内側面での光源波長５００～１０００ｎｍの最小反射率が２０％以下であることを特徴とするペリクルフレーム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ用フォトマスクにゴミ除けとして装着されるペリクルフレーム、ペリクル、ペリクルの検査方法、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体又は液晶表示板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴って、露光光源の短波長化が進んでいる。すなわち、露光光源は水銀ランプによるｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）から、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）などに移行しており、さらには主波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を使用するＥＵＶ露光が検討されている。
【０００３】
ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体製造又は液晶表示板の製造においては、半導体ウエハまたは液晶用原版に光を照射してパターンを作製するが、この場合に用いるリソグラフィ用マスク及びレチクル（以下、総称して「露光原版」と記述する）にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジが粗雑なものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。
【０００４】
これらの作業は、通常クリーンルームで行われているが、それでも露光原版を常に清浄に保つことは難しい。そこで、露光原版表面にゴミよけとしてペリクルを貼り付けた後に露光をする方法が一般に採用されている。この場合、異物は露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上の異物は転写に無関係となる。
【０００５】
このペリクルの基本的な構成は、アルミニウムやチタンなどからなるペリクルフレームの上端面に露光に使われる光に対し透過率が高いペリクル膜が張設されるとともに、下端面に気密用ガスケットが形成されているものである。気密用ガスケットは一般的に粘着剤層が用いられ、この粘着剤層の保護を目的とした保護シートが貼り付けられる。ペリクル膜は、露光に用いる光（水銀ランプによるｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等）を良く透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなるが、ＥＵＶ露光用では、ペリクル膜として極薄シリコン膜や炭素膜が検討されている。
【０００６】
ペリクルは、露光原版に異物が付着しないよう保護することが目的であるため、ペリクルには非常に高い清浄度が求められる。そのため、ペリクル製造工程において、出荷前にペリクル膜、ペリクルフレーム、粘着剤及び保護シートに異物が付着していないかの検査を行う必要がある。
【０００７】
通常、ペリクルフレームへの異物検査は暗室で集光をフレームに当て、異物からの散乱光を目視で検出する。ペリクルフレームの内面に異物が存在すると、振動や空気の移動により容易にマスク面へ異物が落下し得る。そのため、最近では、目視検査に加え、ペリクルフレーム内面を異物検査装置により検査することが増えてきている。一般的に、異物検査装置では、Ｈｅ－Ｎｅレーザーや半導体レーザーといったレーザーをペリクルフレームに照射し、異物からの散乱光を半導体検出器（ＣＣＤ）等によって検出する。
【０００８】
しかしながら、ペリクルフレーム内面からの散乱光と異物からの散乱光とを見分ける手段はなく、検出器がペリクルフレーム起因の散乱光を検出してしまい、異物検査が正常に行えないという問題があった。
【０００９】
特許文献１では、ペリクルフレーム内面での検査光４００～１１００ｎｍに対する反射率を０．３％以下まで低くすることで検査性を向上させることが提案されている。しかしながら、４００～１１００ｎｍに対する反射率を０．３％以下にするためにはフレームを限りなく黒色に着色する必要があり、これを実現するためには、ペリクルフレーム材料や着色方法を厳密に選定する必要はあり、材料によっては実現が困難な場合があった。
【００１０】
また、検査光に使用されるＨｅ－Ｎｅレーザーや半導体レーザーの波長範囲は、例えば６４０～６６０ｎｍ等とその範囲が限定的であり、必ずしも４００～１１００ｎｍの全波長領域で反射率を低くする必要はない。
【先行技術文献】
【特許文献】
（【００１１】以降は省略されています）

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