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公開番号2025099465
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216144
出願日2023-12-21
発明の名称樹脂組成物
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 63/00 20060101AFI20250626BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】高温高周波での誘電正接が低く、かつ、HAST後の導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)特定のエポキシ樹脂、(B)マレイミド樹脂、及び、(C)無機充填材を含む樹脂組成物であって;(B)マレイミド樹脂の量が、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、2質量%以上、30質量%以下であり、(C)無機充填材の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、65%質量以上である、樹脂組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）式（Ａ－１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）マレイミド樹脂、及び、（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、
（Ｂ）マレイミド樹脂の量が、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、２質量％以上、３０質量％以下であり、
（Ｃ）無機充填材の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、６５％質量以上である、樹脂組成物。
TIFF
2025099465000022.tif
115
151
（前記式において、
Ｒ
ａ１
は、それぞれ独立に、炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ２
は、それぞれ独立に、水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、式（Ａ－３ａ）で表される基、又は、式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；少なくとも２つのＲ
ａ２
のうち、１つは式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基を示し、もう１つは式（Ａ－３ａ）もしくは式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；
Ｒ
ａ３
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ４
は、それぞれ独立に、水素原子又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
Ａ
ａ
は、式（Ａ－１）から２つのＲ
ａ２
を除いた残基であって、残基中のＲ
ａ２
は水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
ｉ
ａ
は、０～２の整数を示し；
ｎ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０～５の数であり；
ｐ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０．０１～３の数である。）
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
（Ｂ）マレイミド樹脂が、芳香族マレイミド樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ）マレイミド樹脂が、脂環式骨格を含有するマレイミド樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）重合性不飽和樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｅ－１）活性エステル系樹脂を含む（Ｅ）硬化剤を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
【請求項７】
請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
【請求項８】
請求項１～５のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
【請求項９】
請求項８に記載の回路基板を含む、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及びその硬化物、樹脂シート、回路基板及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板等の回路基板は、各種電子機器に広く使用されている。回路基板の製造方法としては、内層基板に絶縁層と導体層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、例えば、樹脂組成物の硬化物によって形成される。具体例を挙げると、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成し、その樹脂組成物層を硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層が形成される。このような樹脂組成物としては、エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物が知られていた（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／１００５７２号
特開２０２２－１５０７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第５世代移動通信システム（５Ｇ）などの高速通信では、高周波環境で作動させる際に伝送損失を抑制することが求められる。また、回路基板は半導体チップの発熱によって高温になることがある。そこで、本発明者は、高温高周波での誘電正接を低くできる絶縁層の開発を試みた。
【０００５】
ところが、本発明者の検討によれば、高温高周波での誘電正接を低くした絶縁層は、導体層との密着性に劣ることが判明した。具体的には、下記の通りである。一般に、絶縁層は、導体層と接合するように形成されることがあり、回路基板の信頼性向上のためには絶縁層と導体層との間の密着性が高いことが望まれる。特に、長期間にわたって高い信頼性を達成して回路基板の長寿命化を実現する観点では、ＨＡＳＴ（ＨｉｇｈＡｃｃｅｌｅｒａｔｅｄＳｔｒｅｓｓＴｅｓｔ；加速環境試験）後において絶縁層と導体層との間の密着性に優れることが望ましい。ところが、高温高周波での誘電正接の低い絶縁層は、ＨＡＳＴ後の密着性に劣る傾向があった。
【０００６】
本発明は前記の課題に鑑みて創案されたものであって、高温高周波での誘電正接が低く、かつ、ＨＡＳＴ後の導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、特定のエポキシ樹脂と、特定範囲の量のマレイミド樹脂と、特定範囲の量の無機充填材と、を組み合わせて含む樹脂組成物が、前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
【０００８】
＜１＞（Ａ）式（Ａ－１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）マレイミド樹脂、及び、（Ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、
（Ｂ）マレイミド樹脂の量が、樹脂組成物中の樹脂成分１００質量％に対して、２質量％以上、３０質量％以下であり、
（Ｃ）無機充填材の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、６５％質量以上である、樹脂組成物。
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2025099465000001.tif
115
158
（前記式において、
Ｒ
ａ１
は、それぞれ独立に、炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ２
は、それぞれ独立に、水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、式（Ａ－３ａ）で表される基、又は、式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；少なくとも２つのＲ
ａ２
のうち、１つは式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基を示し、もう１つは式（Ａ－３ａ）もしくは式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；
Ｒ
ａ３
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ４
は、それぞれ独立に、水素原子又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
Ａ
ａ
は、式（Ａ－１）から２つのＲ
ａ２
を除いた残基であって、残基中のＲ
ａ２
は水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
ｉ
ａ
は、０～２の整数を示し；
ｎ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０～５の数であり；
ｐ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０．０１～３の数である。）
＜２＞（Ｂ）マレイミド樹脂が、芳香族マレイミド樹脂を含む、＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞（Ｂ）マレイミド樹脂が、脂環式骨格を含有するマレイミド樹脂を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞（Ｄ）重合性不飽和樹脂を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜５＞（Ｅ－１）活性エステル系樹脂を含む（Ｅ）硬化剤を含む、＜１＞～＜４＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜６＞支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、＜１＞～＜５＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
＜７＞＜１＞～＜５＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
＜８＞＜１＞～＜５＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
＜９＞＜８＞に記載の回路基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高温高周波での誘電正接が低く、かつ、ＨＡＳＴ後の導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して説明する。ただし、本発明は、下記に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において変更して実施してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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