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公開番号2025099487
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216178
出願日2023-12-21
発明の名称樹脂組成物
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 63/00 20060101AFI20250626BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】誘電正接が低く、反りを抑制でき、かつ、導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)特定の構造を有する第一エポキシ樹脂、(B)第一エポキシ樹脂以外の第二エポキシ樹脂、(C)硬化剤、(D)低弾性ポリマー、及び、(E)無機充填材、を含む樹脂組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）式（Ａ－１）で表される第一エポキシ樹脂、（Ｂ）第一エポキシ樹脂以外の第二エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、（Ｄ）低弾性ポリマー、及び、（Ｅ）無機充填材、を含む樹脂組成物。
TIFF
2025099487000014.tif
113
151
（前記式において、
Ｒ
ａ１
は、それぞれ独立に、炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ２
は、それぞれ独立に、水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、式（Ａ－３ａ）で表される基、又は、式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；少なくとも２つのＲ
ａ２
のうち、１つは式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基を示し、もう１つは式（Ａ－３ａ）もしくは式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；
Ｒ
ａ３
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ４
は、それぞれ独立に、水素原子又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
Ａ
ａ
は、式（Ａ－１）から２つのＲ
ａ２
を除いた残基であって、残基中のＲ
ａ２
は水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
ｉ
ａ
は、０～２の整数を示し；
ｎ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０～５の数であり；
ｐ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０．０１～３の数である。）
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
（Ｅ）無機充填材の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、５０質量％以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ）第二エポキシ樹脂が、芳香環構造を含有するエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｂ）第二エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びフェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる１以上を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）低弾性ポリマーが、５，０００より大きい重量平均分子量を有する、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）低弾性ポリマーが、ポリブタジエン構造、ポリカーボネート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリスチレン構造からなる群より選択される１以上を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
絶縁層形成用の、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
【請求項９】
請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
【請求項１０】
請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及びその硬化物、樹脂シート、回路基板及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,900 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板等の回路基板は、各種電子機器に広く使用されている。回路基板の製造方法としては、内層基板に絶縁層と導体層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、例えば、樹脂組成物の硬化物によって形成される。具体例を挙げると、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成し、その樹脂組成物層を硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層が形成される。このような樹脂組成物としては、エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物が知られていた（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０２３／１００５７２号
特開２０２２－１５０７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
絶縁層には、一般に、誘電正接が低いことが求められる。ところが、低い誘電正接を得るためのエポキシ樹脂を用いた場合、従来は、密着性及び反りに劣っていた。具体的には、低い誘電正接が得られる従来のエポキシ樹脂を用いた絶縁層を回路基板に設けると、回路基板の反りが大きくなる傾向があった。また、そのような反りを抑制しながら低い誘電正接を得られるエポキシ樹脂を用いた場合には、絶縁層と導体層との密着性が低くなる傾向があった。
【０００５】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、誘電正接が低く、反りを抑制でき、かつ、導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、特定のエポキシ樹脂と、当該特定のエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂と、硬化剤と、低弾性ポリマーと、無機充填材と、を組み合わせた場合に、前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
【０００７】
＜１＞（Ａ）式（Ａ－１）で表される第一エポキシ樹脂、（Ｂ）第一エポキシ樹脂以外の第二エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、（Ｄ）低弾性ポリマー、及び、（Ｅ）無機充填材、を含む樹脂組成物。
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2025099487000001.tif
113
143
（前記式において、
Ｒ
ａ１
は、それぞれ独立に、炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ２
は、それぞれ独立に、水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、式（Ａ－３ａ）で表される基、又は、式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；少なくとも２つのＲ
ａ２
のうち、１つは式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基を示し、もう１つは式（Ａ－３ａ）もしくは式（Ａ－３ｂ）で表される基を示し；
Ｒ
ａ３
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１～８の炭化水素基を示し；
Ｒ
ａ４
は、それぞれ独立に、水素原子又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
Ａ
ａ
は、式（Ａ－１）から２つのＲ
ａ２
を除いた残基であって、残基中のＲ
ａ２
は水素原子、式（Ａ－２ａ）もしくは式（Ａ－２ｂ）で表されるジシクロペンテニル基、又は式（Ａ－３ａ）で表される基を示し；
ｉ
ａ
は、０～２の整数を示し；
ｎ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０～５の数であり；
ｐ
ａ
は、繰り返し数を示し、その平均値は０．０１～３の数である。）
＜２＞（Ｅ）無機充填材の量が、樹脂組成物中の不揮発成分１００質量％に対して、５０質量％以上である、＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞（Ｂ）第二エポキシ樹脂が、芳香環構造を含有するエポキシ樹脂を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。
＜４＞（Ｂ）第二エポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びフェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる１以上を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜５＞（Ｄ）低弾性ポリマーが、５，０００より大きい重量平均分子量を有する、＜１＞～＜４＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜６＞（Ｄ）低弾性ポリマーが、ポリブタジエン構造、ポリカーボネート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリスチレン構造からなる群より選択される１以上を含む、＜１＞～＜５＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜７＞絶縁層形成用の、＜１＞～＜６＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
＜８＞支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、＜１＞～＜７＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
＜９＞＜１＞～＜７＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
＜１０＞＜１＞～＜７＞のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
＜１１＞＜１０＞に記載の回路基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、誘電正接が低く、反りを抑制でき、かつ、導体層との密着性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して説明する。ただし、本発明は、下記に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において変更して実施してもよい。
【００１０】
本明細書において、化合物又は基についていう「置換基を有していてもよい」という用語は、該化合物又は基の水素原子が置換基で置換されていない場合、及び、該化合物又は基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されている場合の双方を意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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