TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025089862
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-16
出願番号
2023204785
出願日
2023-12-04
発明の名称
シリカ粉末、樹脂組成物、及び基板。
出願人
株式会社トクヤマ
代理人
主分類
C01B
33/18 20060101AFI20250609BHJP(無機化学)
要約
【課題】
高周波数帯での誘電正接の周波数依存性が小さいシリカ粉末を提供すること。
【解決手段】
シリカ粉末を30体積%の割合でポリプロピレン樹脂に練り込んで得られた試験用組成物を厚さ0.35mm~0.45mmのシート状に成形し、共振器法にて該シート誘電正接を測定したときに、周波数10GHzで測定した誘電正接tanδ
10
と、周波数91GHzで測定した誘電正接tanδ
91
との比tanδ
91
/tanδ
10
が1.6以下であることを特徴とする、シリカ粉末。
【選択図】 なし
特許請求の範囲
【請求項1】
シリカ粉末であって、
前記シリカ粉末を30体積%の割合でポリプロピレン樹脂に練り込んで得られた試験用組成物を厚さ0.35mm~0.45mmのシート状に成形し、共振器法にて該シート誘電正接を測定したときに、周波数10GHzで測定した誘電正接tanδ
10
と、周波数91GHzで測定した誘電正接tanδ
91
との比tanδ
91
/tanδ
10
が1.6以下であることを特徴とする、シリカ粉末。
続きを表示(約 340 文字)
【請求項2】
前記シリカ粉末を30体積%の割合でポリプロピレン樹脂に練り込んで得られた試験用組成物を厚さ0.35mm~0.45mmのシート状に成形し、共振器法にて該シートの比誘電率を測定したときに、周波数10GHzで測定した比誘電率が3.0以下である、請求項1記載のシリカ粉末。
【請求項3】
レーザー回折法によって測定されたメジアン径D50が0.05~10μm、窒素吸着法によって測定された比表面積が0.5~50m
2
/gである、請求項1記載のシリカ粉末。
【請求項4】
請求項1~3いずれか一項に記載のシリカ粉末と、樹脂とを含む、樹脂組成物。
【請求項5】
請求項4に記載の樹脂組成物又はその硬化物を含む基板。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明はシリカ粉末、樹脂組成物、及び基板に関するものである。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
樹脂にシリカ粉末を充填した樹脂組成物は、基板用途、半導体封止用途、プリント配線板の絶縁層用途などの広く利用されている。近年では電子機器や情報端末の高性能化や高速通信化に伴い、基板、半導体用封止材、絶縁層用材料などの誘電特性を制御するために、樹脂組成物の誘電正接を制御することが必要となってきている。樹脂組成物の低誘電正接化のための一つの手段として、充填されるシリカ粉末の誘電正接を制御することが考えられ、様々な検討が行われている。
【0003】
例えば特許文献1は、誘電正接が非常に小さいシリカ粉体と、それを含む樹脂組成物を提供することを目的としたものであり、周波数10GHzで測定した誘電正接が0.0005以下である低誘電シリカ粉体が開示されている。
【0004】
例えば特許文献2は、誘電正接が十分に小さく、樹脂組成物との混合性に優れたシリカ粉末を提供することを目的としたものであり、周波数1GHzで測定した誘電正接が0.020以下であるシリカ粉末が開示されている。
【0005】
特許文献1、2では、シリカ粉末の表面のシラノール基(Si-OH)を少なくすることで、シリカ粉末の低誘電正接化ができることが記載されている。シラノール基を少なくする手段としては、シリカ粉末を高温処理したり、表面処理をしたり、粒径や比表面積を制御したりすることが挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2021-187714号公報
WO2023/008290号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
近年では、beyond5Gや6Gなどの通信技術の発展により、基板用途、半導体封止用途、プリント配線板の絶縁層用途などに使われる樹脂組成物において、数十GHz帯以上の高周波数帯での誘電特性も重視され始めている。このように使用される周波数帯が多岐にわたる場合、周波数によって誘電特性が変わると、機器の設計が複雑になるため、広い周波数において誘電特性の挙動が大きく変化しないことが好ましい。
【0008】
しかし、上記のように、10GHz帯以下で誘電正接が低いシリカ粉末は公知であるが、数十GHz帯以上の高周波数帯での誘電特性の挙動が十分に検討されているとは言えない。特に、一般にシリカ粉末の誘電正接は周波数依存性があり、周波数が大きくなるにつれて誘電正接も大きくなってしまうが、数十GHz帯以上の高周波数帯での周波数依存性に着目した検討はされているとは言えない。実際に、既存のシリカ粉末の例として、火炎溶融法で製造されたため表面シラノール基が少ないエクセリカSE-8(トクヤマ製)や、表面処理が施されていて表面シラノール基が少ないサンシールSP-10M(トクヤマ製)について、高周波数帯での誘電特性を評価すると、本願参考例で示すように、91GHzでの誘電正接が10GHzでの誘電正接の約2倍の値であり、誘電正接の周波数依存性が比較的大きいものである。
【0009】
本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであり、高周波数帯での誘電正接の周波数依存性が小さいシリカ粉末を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するために本発明者らは鋭意検討を行った結果、既存のシリカ粉末と比較して、周波数10GHzで測定した誘電正接と周波数91GHzで測定した誘電正接の差が小さいシリカ粉末を得ることに成功した。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
株式会社トクヤマ
窒化ケイ素基板の製造方法
9日前
株式会社トクヤマ
有機ケイ素化合物の製造方法
今日
株式会社トクヤマデンタル
歯科用セメント調製用キット
1日前
株式会社トクヤマ
接着剤組成物および光学デバイス
8日前
株式会社トクヤマ
ケイ化ルテニウム除去用半導体処理液
今日
株式会社トクヤマ
サフィナミド若しくはその塩の製造方法
6日前
株式会社トクヤマデンタル
ポリウレタン系複合材料成形体の製造方法
6日前
株式会社トクヤマ
果実の日焼け防止剤、及び果実の日焼け防止方法
6日前
株式会社トクヤマ
接着剤組成物およびその製造方法、ならびに、光学デバイス
8日前
株式会社トクヤマ
ハロカルボン酸誘導体及びその製造方法、カルボン酸塩化物及びその製造方法、並びに、チオラクトン誘導体の製造方法
1日前
燐化学工業株式会社
精製リン酸およびその製造方法
2日前
株式会社合同資源
ヨウ化水素ガスの製造方法
6日前
DIC株式会社
モリブデン化合物の回収方法
1日前
太平洋セメント株式会社
無機酸化物中空粒子
6日前
株式会社アストム
炭酸ナトリウムの製造方法
2日前
星和電機株式会社
多孔質炭素材料およびその製造方法
2日前
イビデン株式会社
高純度炭化ケイ素粉末の製造方法
2日前
artience株式会社
炭素材料分散液、電極スラリー、電極、及び二次電池の製造方法
今日
住友金属鉱山株式会社
二酸化炭素の固定方法、及び、炭酸マグネシウムの製造方法
今日
東レ株式会社
粒子表面が不燃材料でコーティングされた過硫酸塩粒子組成物、およびその製造方法
6日前
日産化学株式会社
アルコール分散大粒子シリカゾル及びその製造方法
8日前
高純度シリコン株式会社
ポリシリコン還元炉、および、ポリシリコンの製造方法
1日前
デンカ株式会社
酸化マグネシウム粉末及びその製造方法、混合粉末、並びに樹脂組成物
7日前
artience株式会社
炭素材料分散組成物、合材スラリー、電極膜、二次電池、および車両
今日
株式会社レゾナック
容器入り酸化チタン粒子及びその製造方法、並びに酸化チタン保管容器
今日
奥多摩工業株式会社
低活性生石灰、それを用いた土壌改良剤、及び低活性生石灰の製造方法
今日
ロレアル
黒鉛状窒化炭素粒子の粒径低減のための方法
6日前
積水化学工業株式会社
ガス製造装置、ガス製造システムおよびガス製造方法
1日前
日揮触媒化成株式会社
高純度シリカ微粒子分散液の製造方法、および高純度シリカ微粒子分散液
6日前
ヘムロック・セミコンダクター・オペレーションズ・エルエルシー
高純度シリコン粒子状材料および作製方法
5日前
蘇州立昂新材料有限公司
電波吸収材料を含有するオールゼオライト分子篩の製造方法と使用
8日前
清水建設株式会社
水素貯蔵容器および水素吸蔵合金の投入方法
9日前
マテリオン コーポレイション
嵩密度が改善されたモリブデンオキシクロリド
1日前
日産化学株式会社
1価アルカリ金属イオン含有中空シリカゾル及びその製造方法
5日前
三菱ケミカル株式会社
シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
8日前
エス・ケイ・インコーポレイテッド
カーボンナノチューブ分散液、その製造方法、これを含む電極スラリー組成物及び二次電池
8日前
続きを見る
他の特許を見る