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公開番号2025084691
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2024181820
出願日2024-10-17
発明の名称基板処理装置
出願人ユ-ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
代理人弁理士法人前田特許事務所
主分類C23C 16/455 20060101AFI20250527BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】弁ブロック部を介して工程ガスの供給を制御する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が支持される基板支持部と、前記基板支持部と対向して配設され、前記基板に向かって工程ガスを噴射するシャワーヘッド部と、前記シャワーヘッド部に前記工程ガスを供給するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部は、前記シャワーヘッド部の上部に配設されて前記工程ガスの流れを調節する弁ブロック部を備える基板処理装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板が支持される基板支持部と、
前記基板支持部と対向して配設され、前記基板に向かって工程ガスを噴射するシャワーヘッド部と、
前記シャワーヘッド部に前記工程ガスを供給するガス供給部と、
を備え、
前記ガス供給部は、前記シャワーヘッド部の上部に配設されて前記工程ガスの流れを調節する弁ブロック部を備える、基板処理装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記工程ガスは、複数のガスを含み、
前記ガス供給部は、前記複数のガスを順次に前記シャワーヘッド部に供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記弁ブロック部は、
前記複数のガスがそれぞれ供給される複数本のガスラインがそれぞれ接続される複数の弁と、
前記シャワーヘッド部の上部面に固定されて前記複数の弁を支持する弁ブロックと、
を備える、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記弁ブロック部は、前記弁ブロックを加熱するヒーターをさらに備える、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記弁ブロック部は、前記弁ブロックの温度を測定する温度測定部材をさらに備える、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記弁ブロックは、前記複数本のガスラインと接続される内部ガス流路を備え、
前記弁は、前記内部ガス流路における前記複数のガスの流動を制御する、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記内部ガス流路の内面には、表面処理が施される、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記弁ブロック部は、前記複数の弁のそれぞれと前記弁ブロックとの間にそれぞれ配設される複数のガスケットをさらに備える、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記弁ブロック部は、前記シャワーヘッド部の流入部に直結される、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記複数のガスは、ソースガスと反応ガスを含み、
前記シャワーヘッド部の流入部には、前記ソースガスと前記反応ガスとが分離されて流れ込む、請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、さらに詳しくは、弁ブロック部を介して工程ガスの供給を制御する基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、工程空間内に処理しようとする基板を位置させた後、化学気相蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法又は原子層蒸着（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）法などを用いて工程空間内に注入された工程ガスに含まれている反応粒子を基板の上に蒸着する装置である。このような基板処理装置としては、１枚の基板に対して処理工程が行える枚葉式（ＳｉｎｇｌｅＷａｆｅｒＴｙｐｅ）基板処理装置と、複数枚の基板に対して同時に処理工程が行えるバッチ式（ＢａｔｃｈＴｙｐｅ）基板処理装置と、が挙げられる。
【０００３】
半導体製造工程のうち、原子層蒸着（ＡＬＤ）工程は、１時間当たりの生産数（ＵｎｉｔＰｅｒＨｏｕｒ；ＵＰＨ）を改善するために、特定の圧力以上の多量のガスを瞬時に供給及び排出して行われている。しかしながら、チャンバーに供給されるガスラインに配設された弁の位置に応じて、最終弁の以降からチャンバーまでの距離の問題による遅れ時間などによって時間を最短化させるのに制限を受ける。
【０００４】
したがって、ガスの供給時間を短縮させて生産性を向上させることのできる基板処理装置が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
大韓民国登録特許第１０－２０２８２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、シャワーヘッド部の上部に弁ブロック部を配設して工程ガスの供給を制御する基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、基板が支持される基板支持部と、前記基板支持部と対向して配設され、前記基板に向かって工程ガスを噴射するシャワーヘッド部と、前記シャワーヘッド部に前記工程ガスを供給するガス供給部と、を備え、前記ガス供給部は、前記シャワーヘッド部の上部に配設されて前記工程ガスの流れを調節する弁ブロック部を備えていてもよい。
【０００８】
前記工程ガスは、複数のガスを含み、前記ガス供給部は、前記複数のガスを順次に前記シャワーヘッド部に供給してもよい。
【０００９】
前記弁ブロック部は、前記複数のガスがそれぞれ供給される複数本のガスラインがそれぞれ接続される複数の弁と、前記シャワーヘッド部の上部面に固定されて前記複数の弁を支持する弁ブロックと、を備えていてもよい。
【００１０】
前記弁ブロック部は、前記弁ブロックを加熱するヒーターをさらに備えていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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