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公開番号2025083003
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-30
出願番号2023196616
出願日2023-11-20
発明の名称遮蔽体の進退動作レシピを設定する方法、および、めっき装置
出願人株式会社荏原製作所
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C25D 21/12 20060101AFI20250523BHJP(電気分解または電気泳動方法;そのための装置)
要約【課題】基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができる方法、めっき装置を提供する。
【解決手段】基板の被めっき面とアノードとの間に介在する遮蔽位置と、前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間から退避した退避位置と、に移動可能な遮蔽体を備えるめっき装置における前記遮蔽体の進退動作レシピをコンピュータにおいて設定する方法が提案され、当該方法は、前記基板のレジストパターンを取得するステップと、取得した前記レジストパターンに基づいて前記基板の所定角度領域ごとのめっき成長係数を算出するステップと、算出した前記めっき成長係数に基づいて前記遮蔽体の進退動作レシピを設定するステップと、を含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板の被めっき面とアノードとの間に介在する遮蔽位置と、前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間から退避した退避位置と、に移動可能な遮蔽体を備えるめっき装置における前記遮蔽体の進退動作レシピをコンピュータにおいて設定する方法であって、
前記基板のレジストパターンを取得するステップと、
取得した前記レジストパターンに基づいて前記基板の所定角度領域ごとのめっき成長係数を算出するステップと、
算出した前記めっき成長係数に基づいて前記遮蔽体の進退動作レシピを設定するステップと、
を含む方法。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記基板のレジストパターンを取得するステップでは、前記基板の撮像データを取得して当該撮像データを解析することにより前記基板のレジストパターンを取得する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記めっき成長係数を算出するステップでは、前記レジストパターンに基づいて前記基板の所定角度領域ごとのレジスト層の開口率を算出し、算出した前記開口率に基づいて前記めっき成長係数を算出する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記進退動作レシピとして前記基板の角度位置ごとの前記遮蔽体の進退位置を示す情報を表示部に表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
算出した前記基板の所定角度領域ごとのめっき成長係数を示すめっき成長係数情報を表示部に表示するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記めっき成長係数情報は、所定角度領域ごとの前記めっき成長係数を正規化した情報である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記めっき成長係数情報を前記表示部に表示するステップでは、基板を模した基板グラフィックを表示するとともに、前記基板グラフィックにおける所定角度領域ごとに前記めっき成長係数情報を表示する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記めっき成長係数情報として、所定角度領域ごとの前記めっき成長係数または正規化した所定角度領域ごとの前記めっき成長係数に対して予め定めた図形、模様、文字、色、またはこれらの組み合わせを表示する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板の被めっき面に形成されるめっき膜の膜厚に関するパラメータをめっき処理中に取得するステップと、
取得した前記パラメータと前記レジストパターンとを学習モデルに入力して当該学習モデルの学習を行うステップと、
を含み、
前記めっき成長係数を算出するステップでは、取得した前記レジストパターンを前記前記学習モデルに入力することにより前記めっき成長係数を算出する、
請求項１から８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
めっき槽と、
基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダに保持された基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、
前記基板の被めっき面と前記アノードとの間に介在する遮蔽位置と、前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間から退避した退避位置と、に移動可能な遮蔽体と、
前記基板のレジストパターンに基づいて前記基板の所定角度領域ごとのめっき成長係数を算出し、算出した前記めっき成長係数に基づいて前記遮蔽体の進退動作レシピを設定するレシピ設定モジュールと、
めっき処理中に前記進退動作レシピに基づいて前記遮蔽体を制御するコントローラと、
を備える、めっき装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願は、遮蔽体の進退動作レシピを設定する方法、および、めっき装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
めっき装置の一例として、基板とアノードを垂直に配置したいわゆるディップ方式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、めっき装置の別の一例として、カップ式の電解めっき装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜（めっき膜）を析出させる。
【０００３】
めっき装置では、一般に、めっき処理を施す基板の目標とするめっき膜厚や実めっき面積に基づいて、めっき電流値およびめっき時間等のパラメータをめっき処理レシピとしてユーザーが予め設定し、設定された処理レシピに基づいてめっき処理が行われる。また、めっき処理中に、めっき膜厚に関するパラメータをセンサで検出してめっき膜の膜厚を測定し、めっき条件を調整することも行われている。特許文献２では、めっき条件を調整するために、基板の被めっき面とアノードとの間で進退することが可能な遮蔽体を設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－２９８６３号公報
特許第７０７４９３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
遮蔽体を、基板の被めっき面とアノードの間に介在する遮蔽位置と、被めっき面とアノードとの間から退避した退避位置とで動作させることにより、特定部分のめっき膜の成長速度を調整することができる。こうした遮蔽体は、めっき処理中に検出される検出値に基づいて動作させることも考えられるが、めっき処理レシピの一部として予め動作を定めることにより、制御効率を向上させることができると共にめっき膜の均一性を向上させることができる。
【０００６】
以上の実情に鑑みて、本願は、基板に形成されるめっき膜の均一性を向上させることができるめっき装置を提案することを１つの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態によれば、基板の被めっき面とアノードとの間に介在する遮蔽位置と、前記基板の前記被めっき面と前記アノードとの間から退避した退避位置と、に移動可能な遮蔽体を備えるめっき装置における前記遮蔽体の進退動作レシピをコンピュータにおいて設定する方法が提案され、前記方法は、前記基板のレジストパターンを取得するステップと、取得した前記レジストパターンに基づいて前記基板の所定角度領域ごとのめっき成長係数を算出するステップと、算出した前記めっき成長係数に基づいて前記遮蔽体の進退動作レシピを設定するステップと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。
本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。
本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。
本実施形態の遮蔽体と基板とを下方から見た模式図である。
制御モジュールによる進退動作レシピを設定する方法の一例を説明するフローチャートである。
めっき成長係数の一例を示すグラフである。
めっき成長係数の算出に用いる被めっき面の領域の例を示す図である。
一実施形態における制御モジュールの概略的な機能ブロック図である。
本実施形態における機械学習装置の概略的な機能ブロック図である。
進退動作レシピとして基板の角度位置ごとの遮蔽体の進退動作位置の一例を示すグラフである。
所定角度領域ごとのめっき成長係数または遮蔽体の進退動作レシピの表示部への表示の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００１０】
＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。本実施形態のめっき装置は、基板に対してめっき処理を施すために使用される。基板は、角形基板、円形基板を含む。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール（コントローラ）８００を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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