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公開番号2025068292
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-28
出願番号2023178083
出願日2023-10-16
発明の名称コンデンサ及びその製造方法
出願人日産自動車株式会社,ルノー エス.ア.エス.,RENAULT S.A.S.
代理人個人,個人,個人
主分類H10D 1/68 20250101AFI20250421BHJP()
要約【課題】第1保護膜6Aおよび誘電層3に起因して基板1に加わる応力を緩和する。
【解決手段】コンデンサ100は、溝2を有する基板1と、少なくとも基板1の第1主面1a及び溝2の内面に交互に積層された少なくとも1層の誘電層3及び少なくとも1層の導電層4、5を有する積層膜3~5と、第1主面1a上に堆積された積層膜3~5の上に堆積された第1保護膜6Aとを備える。第1保護膜6Aは、溝2の角部21aに起因して積層膜3~5の表面に形成された第1窪み22aの中に埋め込まれ、第1窪み22aに繋がる溝2の内部には空間7が形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
互いに対向する第1主面及び第2主面と、第1主面に形成された溝と、を有する基板と、
少なくとも前記第1主面及び前記溝の内面に交互に積層された少なくとも1層の誘電層及び少なくとも1層の導電層を有する積層膜と、
前記第1主面上に堆積された前記積層膜の上に堆積された第1保護膜と、を備え、
前記第1保護膜は、前記溝の角部に起因して前記積層膜の表面に形成された第1窪みの中に埋め込まれ、
前記第1窪みに繋がる前記溝の内部には空間が形成されている
コンデンサ。
続きを表示(約 680 文字)【請求項2】
前記空間は外部から遮断されている請求項1記載のコンデンサ。
【請求項3】
前記積層膜は、交互に積層された2層以上の前記誘電層及び2層以上の前記導電層を有する請求項1記載のコンデンサ。
【請求項4】
前記溝は、前記第2主面まで貫通し、
前記積層膜は、前記第1主面、前記第2主面及び前記溝の内面に堆積され、
コンデンサは、前記第2主面上に堆積された前記積層膜の上に堆積された第2保護膜を更に備え、
前記第2保護膜は、前記溝の角部に起因して前記第2主面上に堆積された前記積層膜の表面に形成された第2窪みの中に埋め込まれ、
前記第2窪みに繋がる前記溝の内部には前記空間が形成されている
請求項1記載のコンデンサ。
【請求項5】
第1保護膜の表面は平坦化処理が施されている請求項1記載のコンデンサ。
【請求項6】
前記第1保護膜は、シリコンと酸素を含む膜である請求項1記載のコンデンサ。
【請求項7】
前記第1保護膜には、リン及びボロンが添加されている請求項6記載のコンデンサ。
【請求項8】
前記基板は、導電性の基板である請求項1記載のコンデンサ。
【請求項9】
前記基板は、導電性の基板である請求項1記載のコンデンサ。
【請求項10】
前記溝の側面には前記基板のへき開面に沿った(111)面が表出している請求項1記載のコンデンサ。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、コンデンサ及びその製造方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、基板の表裏面を貫通する開口部を備え、開口部の中に導電性プレートとコンデンサ誘電体層を交互に形成したコンデンサが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特表2014-505354号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1では、開口部の中間付近に導電性プレート及びコンデンサ誘電体層が形成できない隙間が残ってしまい、この隙間を無機材料、ポリマ材料等の誘電物で埋めることで平坦化している。よって、半導体基板又は導電性プレートやコンデンサ誘電体層の材料と、隙間を埋めている誘電物の材料とが異なるため、開口部付近の基板に大きな応力が発生するという課題がある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みて成されたものであり、その目的は、第1保護膜および誘電層に起因して基板に加わる応力を緩和できるコンデンサ及びコンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係わるコンデンサは、溝を有する基板と、少なくとも基板の第1主面及び溝の内面に交互に積層された少なくとも1層の誘電層及び少なくとも1層の導電層を有する積層膜と、第1主面上に堆積された積層膜の上に堆積された第1保護膜とを備える。第1保護膜は、溝の角部に起因して積層膜の表面に形成された第1窪みの中に埋め込まれ、第1窪みに繋がる溝の内部には空間が形成されている。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、第1保護膜および誘電層に起因して基板に加わる応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、本発明の第1の実施形態に係るコンデンサ100の構成を示す断面図である。
図2は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その1)。
図3は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その2)。
図4は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その3)。
図5は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その4)。
図6は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その5)。
図7は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その6)。
図8は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その7)。
図9は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その8)。
図10は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その9)。
図11は、図1のコンデンサ100の製造方法の一例を示す断面図である(その10)。
図12Aは、比較例に係るコンデンサの構成を示す断面図である。
図12Bは、第1実施形態に対応するコンデンサの構成を示す断面図である。
図12Cは、図12A及び図12Bの基板1の平面形状を示す上面図である。
図13は、本発明の第2の実施形態に係るコンデンサ101の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、実施形態に係わるコンデンサ及びコンデンサの製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下で説明する実施形態は、包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素の設置位置及び接続形態は、一例であり、本開示に限定する主旨ではない。また、以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。さらに、図面の寸法比率は説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる場合がある。また、以下の実施形態及びその変形例には、同様の構成要素が含まれている場合があり、同様の構成要素には共通の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【0010】
(第1実施形態)
[コンデンサ100]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るコンデンサ100の構成を示す模式的な断面図である。第1実施形態に係るコンデンサ100は、基板1を備える。基板1は、互いに対向する第1主面1a(表面)及び第2主面1b(裏面)を有する。基板1の第1主面1aには、溝2が形成されている。基板1は、半導体基板であり、例えば、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、又は酸化ガリウム(Ga2O3)からなる単結晶基板である。
(【0011】以降は省略されています)

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