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公開番号2025062112
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-11
出願番号2025017977,2023148168
出願日2025-02-05,2017-09-14
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 12/00 20250101AFI20250404BHJP()
要約【課題】半導体装置においては、ターンオン損失等の特性を改善することが好ましい。
【解決手段】半導体基板の上面側に複数のトレンチ部が設けられ、前記トレンチ部の間の領域である第1メサ部および第2メサ部が形成された半導体装置であって、第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方の前記第1メサ部および前記第2メサ部に設けられた第2導電型のベース領域と、前記半導体基板の深さ方向において前記ドリフト領域と前記ベース領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度が高い第1導電型の高濃度領域とを備え、前記第1メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置は、前記第2メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置よりも深い半導体装置を提供する。
【選択図】図7a
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板の上面側に複数のトレンチ部が設けられ、前記トレンチ部の間の領域である第１メサ部および第２メサ部が形成された半導体装置であって、
第１導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上方の前記第１メサ部および前記第２メサ部に設けられた第２導電型のベース領域と、
前記半導体基板の深さ方向において前記ドリフト領域と前記ベース領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度が高い第１導電型の高濃度領域と、
を備え、
前記第１メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置は、前記第２メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置よりも深い
半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等の半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１特開２００７－３１１６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置においては、ターンオン損失等の特性を改善することが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、半導体基板の上面側に複数のトレンチ部が設けられ、前記トレンチ部の間の領域である第１メサ部および第２メサ部が形成された半導体装置を提供する。
【０００５】
上記半導体装置は、第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方の前記第１メサ部および前記第２メサ部に設けられた第２導電型のベース領域と、前記半導体基板の深さ方向において前記ドリフト領域と前記ベース領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度が高い第１導電型の高濃度領域とを備えてよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記第１メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置は、前記第２メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域の下端の深さ位置よりも深くてよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置において、前記第１メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域のドーピング濃度を前記深さ方向に積分した積分濃度は、前記第２メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域のドーピング濃度を前記深さ方向に積分した積分濃度よりも高くてよい。
【０００８】
本発明の第２の態様においては、半導体基板の上面側に複数のトレンチ部が設けられ、少なくとも第１メサ部および第２メサ部が形成された半導体装置を提供する。
【０００９】
上記半導体装置は、第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の上方の前記第１メサ部および前記第２メサ部に設けられた第２導電型のベース領域と、前記半導体基板の深さ方向において前記ドリフト領域と前記ベース領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度が高い第１導電型の高濃度領域とを備えてよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置において、前記第１メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域のドーピング濃度を前記深さ方向に積分した積分濃度は、前記第２メサ部の前記ベース領域と前記ドリフト領域との間の前記高濃度領域のドーピング濃度を前記深さ方向に積分した積分濃度よりも高くてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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