特許ウォッチ

公開番号2025051229
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160242
出願日2023-09-25
発明の名称半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/02234 20210101AFI20250328BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ光の放射パターン特性を改善すること。
【解決手段】半導体発光装置10は、複数の発光部33が形成された素子表面31を含む面発光レーザ素子30と、素子表面31上に設けられ、素子表面31に垂直な方向から視て複数の発光部33を囲む周壁41と、周壁41に囲まれた領域内において複数の発光部33を覆うように設けられ、拡散材51を含む拡散層50と、を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
複数の発光部が形成された素子表面を含む面発光レーザ素子と、
前記素子表面上に設けられ、前記素子表面に垂直な方向から視て前記複数の発光部を囲む周壁と、
前記周壁に囲まれた領域内において前記複数の発光部を覆うように設けられ、拡散材を含む拡散層と、
を含む、半導体発光装置。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記拡散層は、前記複数の発光部と接している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記周壁は、前記素子表面と同じ側を向く周壁表面を含み、
前記拡散層は、前記素子表面と同じ側を向く表面を含み、
前記拡散層の前記表面は、前記周壁の前記周壁表面に対して素子表面寄りに位置している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記周壁を構成する内側面は、鏡面によって構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記周壁は、透光性の材料によって構成されている
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記周壁を構成する内側面は、前記素子表面に垂直な方向から視て円形状である
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記周壁を構成する内側面は、前記素子表面に垂直な方向に沿って延びている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記拡散層は、前記素子表面と同じ側を向く表面を含み、
前記拡散層の前記表面は、前記素子表面に平行な方向に沿う平坦面を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記周壁の内側面および前記複数の発光部と接する透明部材を含み、
前記拡散層は、前記透明部材上に設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記面発光レーザ素子は、
前記素子表面とは反対側を向く素子裏面と、
前記素子表面と前記素子裏面とを接続する素子側面と、
を含み、
前記面発光レーザ素子を支持する基板と、
前記周壁を含み、前記面発光レーザ素子の前記素子表面のうち前記複数の発光部が配置された発光領域よりも前記素子側面寄りの部分と、前記素子側面とを覆うカバー部材と、
を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の光源として、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザ素子を用いる構成が知られている。（例えば特許文献１参照）。面発光レーザ素子を用いた半導体発光装置は、たとえば、ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）等の光源として用いられることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１０９７２４号公報
【０００４】
［概要］
近年、ＬｉＤＡＲでは、長距離測定の実現のために高出力化が求められている。一般的に、面発光レーザ装置は、高出力化を目的として複数の発光部を含む構成が知られている。複数の発光部を有する面発光レーザ装置では、出射するレーザ光に輝度ムラが生じるおそれがある。そこで、複数の発光部を含む面発光レーザ素子を備える半導体発光装置から出射されるレーザ光の放射パターン特性について、改善の余地がある。
【０００５】
本開示の一様態の半導体発光装置は、複数の発光部が形成された素子表面を含む面発光レーザ素子と、前記素子表面上に設けられ、前記素子表面に垂直な方向から視て前記複数の発光部を囲む周壁と、前記周壁に囲まれた領域内において前記複数の発光部を覆うように設けられ、拡散材を含む拡散層と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、一実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置の内部構造を示す概略平面図である。
図３は、図１の半導体発光装置の概略平面図である。
図４は、図３のＦ４－Ｆ４線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図５は、図１の半導体発光装置の例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図６は、図５に続く製造工程を示す概略断面図である。
図７は、図６に続く製造工程を示す概略断面図である。
図８は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置の実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
＜実施形態＞
図１～図５を参照して、一実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略斜視構造を示している。なお、図１では、後述するカバー部材４０および拡散層５０を二点鎖線で示している。図２は、半導体発光装置１０の内部を示す概略平面構造を示している。なお、図２では、半導体発光装置１０の内部構造を図示するため、後述するカバー部材４０および拡散層５０を省略している。図３は、図１の半導体発光装置１０の概略平面構造を示している。図４は、図３のＦ４－Ｆ４線で半導体発光装置１０を切断した概略断面構造を示している。なお、本開示において使用される「平面視」という用語は、図１に示される互いに直交するＸＹＺ軸のＺ方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。
【００１０】
図１に示すように、半導体発光装置１０は、基板２０と、基板２０上に配置された面発光レーザ素子３０と、を含む。基板２０は、平面視においてＸ方向が長手方向となり、Ｙ方向が短手方向となる矩形状に形成されている。基板２０は、基板表面２１と、Ｚ方向において基板表面２１とは反対側の基板裏面２２とを有する。基板２０は、基板表面２１と基板裏面２２とを接続する第１～第４基板側面２３～２６を有する。第１基板側面２３および第２基板側面２４は基板２０のＸ方向の両端面を構成し、第３基板側面２５および第４基板側面２６は基板２０のＹ方向の両端面を構成している。なお、平面視における基板２０の形状は任意に変更可能である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許