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公開番号2025036494
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-14
出願番号2024227034,2023183044
出願日2024-12-24,2017-11-20
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250306BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】開口率が高い液晶表示装置を提供する。消費電力の低い液晶表示装置を提供する
。
【解決手段】トランジスタと、容量素子と、を有する表示装置。トランジスタは、第1の
絶縁層と、第1の絶縁層と接する第1の半導体層と、第1の半導体層と接する第2の絶縁
層と、第2の絶縁層に設けられた開口部を介して、第1の半導体層と電気的に接続される
第1の導電層と、を有し、第1の半導体層は、チャネル領域を有する。容量素子は、第1
の絶縁層と接する第2の導電層と、第2の導電層と接する第2の絶縁層と、第2の絶縁層
と接する第1の導電層と、を有し、第2の導電層は、第1の半導体層と同様の組成を有し
、第1の導電層、および第2の導電層は、可視光を透過する機能を有する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１の絶縁層上の第１の半導体層と、
前記第１の絶縁層上の第１の導電層と、
前記第１の半導体層上に位置する領域と、前記第１の導電層上に位置する領域と、を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置する領域を有し、前記第２の絶縁層が有する第１の開口部を介して、前記第１の半導体層と電気的に接続された第２の導電層と、
前記第２の絶縁層上に位置する領域と、前記第２の導電層上に位置する領域と、を有する第３の絶縁層と、
走査線と、
を有する表示装置であって、
前記第１の半導体層は、トランジスタのチャネル領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記チャネル領域と接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記チャネル領域と重なり、且つ前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記第１の導電層は、容量素子の第１の電極として機能する領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記容量素子の誘電層として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記容量素子の第２の電極として機能する領域を有し、
前記第１の半導体層及び前記第１の導電層は、金属酸化物を有し、
前記走査線は、金属材料を有し、
前記走査線は、前記チャネル領域と重なる領域を有し、
前記表示装置は、前記容量素子にデータを書き込んだ後、前記トランジスタを非導通状態とすることにより前記データを保持する機能を有する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法、ならびに電子機器に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサ等）、入出力装置（例えば、タッチパネル等）、それら
の駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置および発光表示装置等のフラットパネルディスプレイの多くに用いられてい
るトランジスタは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコン、単結晶シリコン、
または多結晶シリコン等のシリコン半導体によって構成されている。また、該シリコン半
導体を用いたトランジスタは、集積回路（ＩＣ）等にも利用されている。
【０００４】
近年、シリコン半導体に代わって、半導体特性を示す金属酸化物をトランジスタに用いる
技術が注目されている。なお、本明細書中では、半導体特性を示す金属酸化物を酸化物半
導体と記すこととする。例えば、特許文献１および特許文献２には、酸化物半導体として
、酸化亜鉛、またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたトランジスタを作製し、該トラン
ジスタを表示装置の画素のスイッチング素子等に用いる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様は、開口率が高い液晶表示装置およびその作製方法を提供することを目的
の一とする。または、本発明の一態様は、作製工程を簡略化した液晶表示装置およびその
作製方法を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力の低い
液晶表示装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。または、本発明の一
態様は、高精細な液晶表示装置およびその作製方法を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、信頼性の高い液晶表示装置およびその作製方法を提供すること
を目的の一とする。または、本発明の一態様は、新規な液晶表示装置およびその作製方法
を提供することを目的の一とする。
【０００７】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、トランジスタと、容量素子と、を有する表示装置であって、トランジ
スタは、第１の絶縁層と、第１の絶縁層と接する第１の半導体層と、第１の半導体層と接
する第２の絶縁層と、第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、第１の半導体層と電気
的に接続される第１の導電層と、を有し、第１の半導体層は、チャネル領域を有し、容量
素子は、第１の絶縁層と接する第２の導電層と、第２の導電層と接する第２の絶縁層と、
第２の絶縁層と接する第１の導電層と、を有し、第２の導電層は、第１の半導体層と同様
の組成を有し、第１の導電層、および第２の導電層は、可視光を透過する機能を有する表
示装置である。
【０００９】
また、上記態様において、第１の半導体層、第１の導電層、および第２の導電層は、金属
酸化物を有してもよい。
【００１０】
また、上記態様において、第１の半導体層が有する金属酸化物は、第１の導電層が有する
金属酸化物に含まれる金属元素を１種類以上有してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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