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公開番号2025051076
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023159987
出願日2023-09-25
発明の名称アレイ基板及び表示装置
出願人シャープディスプレイテクノロジー株式会社
代理人弁理士法人暁合同特許事務所
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250328BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】第2配線の負荷を低減する。
【解決手段】アレイ基板21は、第1配線25と、第2配線26と、第1配線25を横切るよう延在し、一方の端部が第2配線26と重畳して配される半導体部27Dと、第1配線25と半導体部27Dとの間に介在する第1絶縁膜32と、第1配線25のうち、半導体部27Dに対して第1絶縁膜32を介して重畳する部分からなる第1電極27Aと、第2配線26のうち、半導体部27Dに対して重畳する部分からなり、半導体部27Dに接続される第2電極27Bと、半導体部27Dのうちの他方の端部に対して重畳して配されて、半導体部27Dに接続される第3電極27Cと、を備え、半導体部27Dは、第1電極27Aとは非重畳となる部分が低抵抗化された低抵抗化領域38とされ、第1電極27A及び第2配線26の一部ずつに対して重畳して配される第1重畳部43を有する。
【選択図】図10
特許請求の範囲【請求項１】
第１配線と、
前記第１配線と交差する第２配線と、
半導体材料からなり、前記第１配線を横切るよう延在し、一方の端部が前記第２配線と重畳して配される半導体部と、
前記第１配線と前記半導体部との間に介在する第１絶縁膜と、
前記第１配線のうち、前記半導体部に対して前記第１絶縁膜を介して重畳する部分からなる第１電極と、
前記第２配線のうち、前記半導体部に対して重畳する部分からなり、前記半導体部に接続される第２電極と、
前記半導体部のうちの他方の端部に対して重畳して配されて、前記半導体部に接続される第３電極と、を備え、
前記半導体部は、前記第１電極とは非重畳となる部分が低抵抗化された低抵抗化領域とされ、前記第１電極及び前記第２配線の一部ずつに対して重畳して配される第１重畳部を有するアレイ基板。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記半導体部は、前記第１配線及び前記第２配線の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在していて前記第１配線を横切る第１延在部を有しており、
前記第１重畳部は、前記第１延在部の一部からなる請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記半導体部は、前記一方の端部を含んでいて前記第２配線に並行して延在する第２延在部を有しており、
前記第２延在部は、前記第１延在部に連なるとともに前記第２配線に対して重畳して配される請求項２記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記半導体部は、前記低抵抗化領域のうちの前記他方の端部から前記第１配線に至るまでの部分が、前記第２配線とは非重畳となるよう配される請求項２または請求項３記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記半導体部は、前記第２配線と重畳する形で前記第２配線に沿って延在していて前記第１配線を横切る第３延在部を有しており、
前記第１重畳部は、前記第３延在部の一部からなる請求項１記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記第１配線と重畳する形で前記第１配線に沿って延在していて前記第１配線よりも幅広な第１遮光部を備えており、
前記第１遮光部は、前記第１配線とは非重畳で且つ前記第３延在部の一部と重畳して配される第２重畳部を有する請求項５記載のアレイ基板。
【請求項７】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項５及び請求項６のいずれか１項に記載のアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向するよう配される対向基板と、を備える表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、アレイ基板及び表示装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された表示装置では、酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２０５４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載の表示装置では、酸化物半導体層の高抵抗ソース領域が、ソース配線から分岐された部分に接続されており、酸化物半導体層がソース配線とは非重畳の配置とされる。このため、酸化物半導体層のうち、ソース配線と同電位になる高抵抗ソース領域と、他の電極や配線と、の間に生じる寄生容量が大きくなりがちであり、その寄生容量に起因してソース配線の負荷が過大となる問題があった。
【０００５】
本明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、第２配線の負荷を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本明細書に記載の技術に関わるアレイ基板は、第１配線と、前記第１配線と交差する第２配線と、半導体材料からなり、前記第１配線を横切るよう延在し、一方の端部が前記第２配線と重畳して配される半導体部と、前記第１配線と前記半導体部との間に介在する第１絶縁膜と、前記第１配線のうち、前記半導体部に対して前記第１絶縁膜を介して重畳する部分からなる第１電極と、前記第２配線のうち、前記半導体部に対して重畳する部分からなり、前記半導体部に接続される第２電極と、前記半導体部のうちの他方の端部に対して重畳して配されて、前記半導体部に接続される第３電極と、を備え、前記半導体部は、前記第１電極とは非重畳となる部分が低抵抗化された低抵抗化領域とされ、前記第１電極及び前記第２配線の一部ずつに対して重畳して配される第１重畳部を有する。
【０００７】
（２）また、上記アレイ基板は、上記（１）に加え、前記半導体部は、前記第１配線及び前記第２配線の双方に対して傾いた斜め方向に沿って延在していて前記第１配線を横切る第１延在部を有しており、前記第１重畳部は、前記第１延在部の一部からなってもよい。
【０００８】
（３）また、上記アレイ基板は、上記（２）に加え、前記半導体部は、前記一方の端部を含んでいて前記第２配線に並行して延在する第２延在部を有しており、前記第２延在部は、前記第１延在部に連なるとともに前記第２配線に対して重畳して配されてもよい。
【０００９】
（４）また、上記アレイ基板は、上記（２）または上記（３）に加え、前記半導体部は、前記低抵抗化領域のうちの前記他方の端部から前記第１配線に至るまでの部分が、前記第２配線とは非重畳となるよう配されてもよい。
【００１０】
（５）また、上記アレイ基板は、上記（１）に加え、前記半導体部は、前記第２配線と重畳する形で前記第２配線に沿って延在していて前記第１配線を横切る第３延在部を有しており、前記第１重畳部は、前記第３延在部の一部からなってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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