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公開番号2025033255
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-13
出願番号2023138842
出願日2023-08-29
発明の名称冷却装置
出願人日本電信電話株式会社,国立大学法人北海道大学
代理人個人,個人
主分類G21F 3/00 20060101AFI20250306BHJP(核物理;核工学)
要約【課題】冷媒2内に浸漬されている半導体基板3に照射される熱中性子を遮蔽することが可能な冷却装置100を提供する。
【解決手段】半導体基板3を冷却する冷却装置100であって、容器1と、容器1内に注入された冷媒2と、を備え、冷媒2はホウ素を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板を冷却する冷却装置であって、
容器と、
前記容器内に注入された冷媒と、を備え、
前記冷媒はホウ素を含む
冷却装置。
続きを表示（約 310 文字）【請求項２】
前記容器内に設けられ、前記容器内で蒸発した冷媒を冷却する冷却部、を更に備えた
請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記冷媒は、フッ素系不活性液体を含む
請求項１または２に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記フッ素系不活性液体は、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）、パーフルオカーボン（ＰＦＣ）、及びハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）からなる群より選択される少なくとも１つを含む
請求項３に記載の冷却装置。
【請求項５】
前記ホウ素は、ホウ酸及び酸化ホウ素の少なくとも１つを含む
請求項１または２に記載の冷却装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体基板を冷却する冷却装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等の半導体に放射線（例えば、中性子）が照射されると、ＳＥＵ（Single Event Upset；ソフトエラーともいう）が発生する。ソフトエラーの発生原因は、地上においては高エネルギー中性子によるものが支配的であると考えられていたが、昨今においては熱中性子（エネルギーが１０
－８
［ＭeV］付近の中性子)に起因するソフトエラー発生率が高いことが判明している。
【０００３】
また、半導体基板に生じる熱を排熱するために、冷媒を注入した容器を備えた冷却装置内に半導体基板を浸漬して、該半導体基板を冷却する液浸冷却が行なわれている。
【０００４】
高エネルギー中性子が水素など軽元素が含まれる材料へ入射すると、該高エネルギー中性子は減速し、エネルギーが低下して熱中性子へと変化する。このため、液浸冷却する半導体基板には、高エネルギー中性子が冷媒を通過することにより生成される熱中性子が照射され、ソフトエラーを発生させる可能性がある。
【０００５】
非特許文献１には、ポリエチレン、シリコンゴムなどにホウ素を添加した遮蔽板を用いて熱中性子を遮蔽する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-M-7016.pdf
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、冷媒を注入した冷却装置内では、半導体基板は冷媒内に浸漬され、該半導体基板の周囲で冷媒が循環するため、冷媒と半導体との間にホウ素を添加した遮蔽板を設置することが難しいという問題がある。
【０００８】
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、冷媒内に浸漬されている半導体基板に照射される熱中性子を遮蔽することが可能な冷却装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一態様の冷却装置は、半導体基板を冷却する冷却装置であって、容器と、前記容器内に注入された冷媒と、を有し、前記冷媒はホウ素を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、冷媒内に浸漬されている半導体基板に照射される熱中性子を遮蔽することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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