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公開番号2025010366
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-20
出願番号2024192557,2022579537
出願日2024-11-01,2022-01-31
発明の名称電子部品、電子部品の製造方法、フィルタモジュール及び電子機器
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人楓国際特許事務所
主分類H03H 7/01 20060101AFI20250109BHJP(基本電子回路)
要約【課題】小型でありながら、キャパシタとともにQ値の高いインダクタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器を提供する。
【解決手段】電子部品11は、インダクタ形成用の第1導体パターンCL11及びキャパシタ形成用の第1電極パターンEC11が形成された第1絶縁体層S1と、インダクタ形成用の第2導体パターンCL12及びキャパシタ形成用の第2電極パターンEC12が形成された第2絶縁体層S2と、を備える。第1電極パターンEC11と第2電極パターンEC12とが第2絶縁体層S2を介して対向することでキャパシタが構成され、第2導体パターンCL12は第1導体パターンCL11に沿って導通する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンが形成された第１絶縁体層と、
前記インダクタ形成用の第２導体パターン及び前記キャパシタ形成用の第２電極パターンが形成された第２絶縁体層と、
を備え、
前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとが前記第２絶縁体層を介して対向することでキャパシタが構成され、
前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って少なくとも一部が導通し、
前記第２絶縁体層内に形成されている前記第２導体パターンの線幅は、前記第２絶縁体層の上面に形成されている前記第２導体パターンの線幅及び前記第１導体パターンの線幅より細い、
電子部品。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記第１導体パターン及び前記第１電極パターンは第１パターン形成工程により同時に形成され、
前記第２導体パターン及び前記第２電極パターンは第２パターン形成工程により同時に形成された、
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２絶縁体層において、前記第１導体パターンの直上の少なくとも一部に開口部を備え、前記開口部に前記第２電極パターンが形成されている、
請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンはループ形状又はループの一部を形成する形状であり、前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンの積層方向から視た平面視での前記ループの内縁は前記第１導体パターン及び前記第２導体パターンとで同一箇所にある、
請求項１から３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
第１絶縁体層に、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンを同時に形成する工程と、
前記第１絶縁体層における前記第１導体パターンが形成された面に、前記第１導体パターンの上部を開口させた第２絶縁体層を形成する工程と、
前記開口内及び前記第２絶縁体層上に前記インダクタ形成用の第２導体パターンを形成し、前記第２絶縁体層を介して前記第１電極パターンに対向する位置に前記キャパシタ形成用の第２電極パターンを形成する工程と、
を備え、
前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って少なくとも一部が導通し、
前記第２絶縁体層内に形成されている前記第２導体パターンの線幅は、前記第２絶縁体層の上面に形成されている前記第２導体パターンの線幅及び前記第１導体パターンの線幅より細い、
電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の電子部品と、当該電子部品に接続された、インダクタ又はキャパシタとを備えた、
フィルタモジュール。
【請求項７】
請求項１から４のいずれかに記載の電子部品又は請求項６に記載のフィルタモジュールを備える電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ及びキャパシタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１の電子部品では、インダクタ形成用の導体層とキャパシタ形成用の導体層とが同一層に形成されている。また、特許文献１の電子部品では、それぞれ異なる層に形成されたインダクタ形成用の導体層が並列接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－１８６６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の電子部品のように、インダクタを並列接続することによってインダクタのＱ値を改善する構造では、インダクタの体積効率が低い。そのため、Ｑ値の高いインダクタを得るためには電子部品が大型化し、また、外形サイズの限られた電子部品においては、インダクタのＱ値の改善効果が低い。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、小型でありながら、キャパシタとともにＱ値の高いインダクタを備える電子部品、この電子部品の製造方法、その電子部品を備えるフィルタモジュール、及びそれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（Ａ）本開示の一例としての電子部品は、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンが形成された第１絶縁体層と、前記インダクタ形成用の第２導体パターン及び前記キャパシタ形成用の第２電極パターンが形成された第２絶縁体層と、を備える。そして、前記第１電極パターンと前記第２電極パターンとが前記第２絶縁体層を介して対向することでキャパシタが構成され、前記第２導体パターンは前記第１導体パターンに沿って導通することを特徴とする。
【０００７】
上記構成によれば、第２導体パターンが第１導体パターンに沿って導通するので、単位体積あたりのインダクタ形成用導体の占有率が高い。そのため、Ｑ値の高いインダクタが得られる。また、キャパシタ形成用の第１電極パターンと第２電極パターンとは単一の絶縁体層を介して対向するので、単位体積あたりに得られるキャパシタ形成用電極の占有率を低下させることもない。
【０００８】
（Ｂ）本発明の一例としての電子部品の製造方法は、第１絶縁体層に、インダクタ形成用の第１導体パターン及びキャパシタ形成用の第１電極パターンを同時に形成する工程と、前記第１絶縁体層における前記第１導体パターンが形成された面に、前記第１導体パターンの上部を開口させた第２絶縁体層を形成する工程と、前記開口内及び前記第２絶縁体層上に前記インダクタ形成用の第２導体パターンを形成し、前記第２絶縁体層を介して前記第１電極パターンに対向する位置に前記キャパシタ形成用の第２電極パターンを形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
上記製造方法によれば、第２絶縁体層上及び開口内に第２電極パターンと共に第２導体パターンを同時に形成できるので、電子部品を少ない工程数で製造できる。
【００１０】
（Ｃ）本開示の一例としてのフィルタモジュールは、（Ａ）に記載の電子部品と当該電子部品の前記インダクタ又は前記キャパシタに接続されたインダクタ又はキャパシタとを備えて構成される。
（【００１１】以降は省略されています）

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