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公開番号2025000213
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-07
出願番号2023099934
出願日2023-06-19
発明の名称表示装置およびアレイ基板
出願人株式会社ジャパンディスプレイ
代理人弁理士法人筒井国際特許事務所
主分類G02F 1/1335 20060101AFI20241224BHJP(光学)
要約【課題】外光の反射を低減する。
【解決手段】本開示では、表示装置は、有機絶縁膜100Aと、有機絶縁膜100Aと接する高屈折率膜400と、高屈折率膜400と接する画素電極PEと、画素電極PEと接する容量絶縁膜CIと、容量絶縁膜CIと接する共通電極CEとを備える。ここで、高屈折率膜400の屈折率は、有機絶縁膜100Aの屈折率よりも高い。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜と接する高屈折率膜と、
前記高屈折率膜と接する画素電極と、
前記画素電極と接する容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜と接する共通電極と、
を備え、
前記高屈折率膜の屈折率は、前記有機絶縁膜の屈折率よりも高い、表示装置。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記高屈折率膜の屈折率は、１．７以上１．９以下である、表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の表示装置において、
前記高屈折率膜は、窒化シリコン膜である、表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の表示装置において、
前記表示装置は、前記有機絶縁膜と接するカラーフィルタを有し、
前記有機絶縁膜は、前記カラーフィルタを覆うように形成されている、表示装置。
【請求項５】
カラーフィルタと、
前記カラーフィルタと接する高屈折率膜と、
前記高屈折率膜と接する画素電極と、
前記画素電極と接する容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜と接する共通電極と、
を備え、
前記高屈折率膜の屈折率は、前記カラーフィルタの屈折率よりも高い、表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の表示装置において、
前記高屈折率膜の屈折率は、１．７以上１．９以下である、表示装置。
【請求項７】
請求項５に記載の表示装置において、
前記高屈折率膜は、窒化シリコン膜である、表示装置。
【請求項８】
有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜と接する高屈折率膜と、
前記高屈折率膜と接する画素電極と、
前記画素電極と接する容量絶縁膜と、
前記容量絶縁膜と接する共通電極と、
を備え、
前記高屈折率膜の屈折率は、前記有機絶縁膜の屈折率よりも高い、アレイ基板。
【請求項９】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記高屈折率膜の屈折率は、１．７以上１．９以下である、アレイ基板。
【請求項１０】
請求項８に記載のアレイ基板において、
前記高屈折率膜は、窒化シリコン膜である、アレイ基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびアレイ基板に適用して有効な技術に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０２２－１５３０５５号公報（特許文献１）には、酸化物半導体を有する薄膜トランジスタが使用された表示装置およびアレイ基板に関する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１５３０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置では、視認性を向上するため、外光の反射を低減することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施の形態における表示装置は、有機絶縁膜と、有機絶縁膜と接する高屈折率膜と、高屈折率膜と接する画素電極と、画素電極と接する容量絶縁膜と、容量絶縁膜と接する共通電極と、を備え、高屈折率膜の屈折率は、有機絶縁膜の屈折率よりも高い。
【０００６】
一実施の形態における表示装置は、カラーフィルタと、カラーフィルタと接する高屈折率膜と、高屈折率膜と接する画素電極と、画素電極と接する容量絶縁膜と、容量絶縁膜と接する共通電極と、を備え、高屈折率膜の屈折率は、カラーフィルタの屈折率よりも高い。
【０００７】
一実施の形態におけるアレイ基板は、有機絶縁膜と、有機絶縁膜と接する高屈折率膜と、高屈折率膜と接する画素電極と、画素電極と接する容量絶縁膜と、容量絶縁膜と接する共通電極と、を備え、高屈折率膜の屈折率は、有機絶縁膜の屈折率よりも高い。
【０００８】
一実施の形態におけるアレイ基板は、カラーフィルタと、カラーフィルタと接する高屈折率膜と、高屈折率膜と接する画素電極と、画素電極と接する容量絶縁膜と、容量絶縁膜と接する共通電極と、を備え、高屈折率膜の屈折率は、カラーフィルタの屈折率よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
液晶表示装置の模式的な構成例を示す分解斜視図である。
表示パネルの概略構成を示す平面図である。
副画素の平面レイアウトの一例を示す平面図である。
副画素を構成する要素の一部を示す概略的な平面図である。
図４のＡ－Ａ線で切断した模式的な断面図である。
導電膜の構成例を示す模式図である。
図４を簡素化した模式的な平面図である。
図７のＡ－Ａ線で切断した模式的な断面図である。
具現化態様を説明する図であって、図７のＡ－Ａ線での切断断面に対応した模式的な断面図である。
変形例を説明する図であって、図７のＡ－Ａ線での切断断面に対応した模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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