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公開番号2024156463
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-06
出願番号2023070943
出願日2023-04-24
発明の名称半導体装置及び電力変換装置とその製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20241029BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】従来よりも小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の上側に設けられた物理量検出膜と、物理量検出膜の上側に設けられた上部電極と、上部電極に設けられるとともに、上部電極を挟んで物理量検出膜に対向する位置に設けられる信号ワイヤと、を備えるものである。よって、従来よりも小型の半導体装置を得ることができる。
また、半導体装置の製造方法は、物理量検出膜を形成し、上部電極及び物理量検出膜が一体化した個片を成型する工程と、個片を、物理量検出膜と半導体素子の表面電極とが接するように取り付ける工程と、を含む。よって、従来よりも小型の半導体装置を得ることができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の上側に設けられた物理量検出膜と、
前記物理量検出膜の上側に設けられた上部電極と、
前記上部電極に設けられるとともに、前記上部電極を挟んで前記物理量検出膜に対向する位置に設けられる信号ワイヤと、を備える
半導体装置。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記半導体素子の厚み方向における前記上部電極の厚みが、前記厚み方向における前記物理量検出膜の厚みより大きい
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上部電極は、前記厚み方向に貫通する貫通穴を有する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記上部電極の上側のうち、前記信号ワイヤが設けられる位置とは異なる位置に、水分侵入用ワイヤが設けられる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の上面に前記物理量検出膜及び前記上部電極が複数設けられることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
上部電極に物理量検出膜を形成し、前記上部電極及び前記物理量検出膜が一体化した個片を成型する工程と、
前記個片を、前記物理量検出膜と半導体素子の表面電極とが接するように取り付ける工程と、を含む
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子の表面電極の上面に物理量検出膜を形成する工程と、
前記物理量検出膜の上面に上部電極を形成する工程と、
前記上部電極を挟んで前記物理量検出膜に対向する位置において、前記上部電極の上面に信号ワイヤを接合する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部電極に前記信号ワイヤを接合する前記工程において、
前記上部電極と前記信号ワイヤは、超音波接合により接合する
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記上部電極の上面のうち前記信号ワイヤが設けられる位置とは異なる位置に水分侵入用ワイヤを接合する工程をさらに有する
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備えた電力変換装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、物理量を検出する構成を備えた半導体装置及び電力変換装置とその製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
従来技術では、感湿膜の上面は平坦であり、この上面に、平板状の上部電極が形成され、上部電極は、感湿膜を介して下部電極に対向する位置に形成された湿度検出装置が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－８５４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術では、上部電極をパッドに接続するための配線が第２配線層により形成されているため、上部電極の配線を引き回すことになり、半導体装置の小型化が困難であるという課題があった。
【０００５】
本開示は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、従来よりも小型の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の上側に設けられた物理量検出膜と、物理量検出膜の上側に設けられた上部電極と、上部電極に設けられるとともに、上部電極を挟んで物理量検出膜に対向する位置に設けられる信号ワイヤと、を備えるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る半導体装置によれば、従来よりも小型の半導体装置を得ることができる。また、本開示に係る電力変換装置によれば、従来よりも小型の電力変換装置を得ることができる。また、本開示に係る半導体装置の製造方法によれば、従来よりも小型の半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態１に係る上部電極の変形例を示す平面図である。
本開示の実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
本開示の実施の形態４に係る電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的に示したものであり、異なる図面にそれぞれ示されているサイズ及び位置の相互関係は、必ずしも記載されたものに限定されず、適宜変更され得る。また、以下の説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称及び機能も同一又は同様のものとする。よって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
実施の形態１における半導体装置１０１について、図１から図１２を用いて説明する。図１は実施の形態１に係る半導体装置１０１の断面図である。なお、図１は、半導体装置１０１の一部分を示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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