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公開番号2024154780
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2023068836
出願日2023-04-19
発明の名称感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
出願人JSR株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/039 20060101AFI20241024BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】レジストパターン形成方法及び重合体を提供する。
【解決手段】脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第1構造単位、フェノール性ヒドロキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第2構造単位、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が置換又は非置換の不飽和脂環式炭化水素基で置換された部分構造を含む第3構造単位、及び、芳香族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が酸解離性基で置換された部分構造を含む第4構造単位からなる群より選択される少なくとも一種の構造単位を有する第1重合体を含有する感放射線性組成物。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024154780000041.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">47</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">165</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第1構造単位、フェノール性ヒドロキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第2構造単位、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が置換又は非置換の不飽和脂環式炭化水素基で置換された部分構造を含む第3構造単位、及び、芳香族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が酸解離性基で置換された部分構造を含む第4構造単位からなる群より選択される少なくとも一種の構造単位を有する第1重合体と、
1価の感放射線性オニウムカチオン部及び1価の有機酸アニオン部を有し、前記1価の感放射線性オニウムカチオン部は、少なくとも1つの水素原子がヨード基で置換された芳香環構造、並びに、少なくとも1つの水素原子がシアノ基、フルオロ基及びフッ素原子含有基からなる群より選択される少なくとも一種の基で置換された芳香環構造を含む化合物と
を含有する感放射線性組成物。
TIFF
2024154780000037.tif
30
165
(式(a-1)中、Ar

は、置換又は非置換の環員数5~30の芳香環構造から1個の水素原子を除いた基である。R

及びR

は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数1~10の1価の脂肪族炭化水素基であるか、又はR

とR

とが互いに合わせられAr

が結合する炭素原子と共に炭素数3~8の飽和脂環式炭化水素環を形成する。*は、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基のエーテル性酸素原子又はフェノール性ヒドロキシ基の酸素原子との結合部位を示す。)
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2024154780000038.tif
39
165
(式(a-2)中、R
v1
~R
v3
は、それぞれ独立して、水素原子又は置換若しくは非置換の炭素数1~10の1価の鎖状炭化水素基である。tは、1又は2である。*は、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基のエーテル性酸素原子又はフェノール性ヒドロキシ基の酸素原子との結合部位を示す。)
続きを表示(約 1,900 文字)【請求項2】
上記感放射線性オニウムカチオン部が下記式(2)で表される請求項1に記載の感放射線性組成物。
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2024154780000039.tif
57
165
式(2)中、aは、0~7の整数である。bは、0~4の整数である。cは、0~4の整数である。但し、a+b+cは、2以上である。R

、R

及びR

は、それぞれ独立して、炭素数1~20の1価の有機基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基又はハロゲノ基である。但し、R

、R

及びR

のうち少なくとも1つはヨード基であり、且つR

、R

及びR

のうち少なくとも1つはシアノ基、フルオロ基及びフッ素原子含有基からなる群より選択される少なくとも一種の基である。aが2以上の場合、複数のR

は互いに同一又は異なる。bが2以上の場合、複数のR

は互いに同一又は異なる。cが2以上の場合、複数のR

は互いに同一又は異なる。R

及びR

は、それぞれ独立して、水素原子、シアノ基、ハロゲノ基若しくは炭素数1~10の1価のフッ素化炭化水素基であるか、又はR

とR

とが互いに合わせられ単結合を表す。n

は、0又は1である。
【請求項3】
上記式(a-1)のAr

を与える置換又は非置換の環員数5~30の芳香環構造が、置換又は非置換の環員数6~30の芳香族炭化水素環構造である請求項1に記載の感放射線性組成物。
【請求項4】
上記第1構造単位が下記式(3-1)で表され、上記第2構造単位が式(3-2)で表され、上記第3構造単位が式(3-3)で表され、上記第4構造単位が式(3-4)で表される、請求項1に記載の感放射線性組成物。
TIFF
2024154780000040.tif
56
165
(上記式(3-1)中、Zは、上記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基である。W

は、置換若しくは非置換の2価の脂肪族炭化水素基、又は、置換若しくは非置換の2価の脂環式炭化水素基であり、当該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基はラクトン環含有基、-COO-又は-O-で置換されていても良い。sは、0又は1である。R
11
は、水素原子又はメチル基である。
上記式(3-2)中、Zは、上記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基である。Ar

は、置換又は非置換の環員数6~30の芳香族炭化水素環構造から2個の水素原子を除いた基である。R
13
は、単結合、酸素原子、-COO-又は-CONH-である。R
12
は、水素原子又はメチル基である。
上記式(3-3)中、Yは、置換又は非置換の不飽和脂環式炭化水素基である。W

は、置換若しくは非置換の2価の脂肪族炭化水素基、又は、置換若しくは非置換の2価の脂環式炭化水素基であり、当該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基はラクトン環含有基、-COO-又は-O-で置換されていても良い。tは、0又は1である。R
14
は、水素原子又はメチル基である。
上記式(3-4)中、Vは、酸解離性基である。Ar

は、置換又は非置換の2価の芳香族炭化水素基である。rは、0又は1である。R
16
は、置換又は非置換の2価の脂肪族炭化水素基、置換又は非置換の2価の脂環式炭化水素基、-CO-、-O-及び-NH-からなる群より選択される少なくとも一種を組み合わせてなる2価の基である。R
15
は、水素原子又はメチル基である。

【請求項5】
上記第1重合体がフェノール性ヒドロキシ基を含む構造単位をさらに有する、請求項1に記載の感放射線性組成物。
【請求項6】
基板に直接又は間接に請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性組成物を塗工する工程と、
上記塗工により形成されたレジスト膜を露光する工程と、
上記露光されたレジスト膜を現像する工程と
を備えるレジストパターン形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)【背景技術】
【0002】
リソグラフィーによる微細加工に用いられる感放射線性組成物は、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)等の遠紫外線、極端紫外線(EUV)(波長13.5nm)等の電磁波、電子線等の荷電粒子線などの放射線の照射により露光部に酸を発生させ、この酸を触媒とする化学反応により露光部と非露光部との現像液に対する溶解速度に差異を生じさせることで基板上にレジストパターンを形成する。
【0003】
感放射線性組成物には、極端紫外線、電子線等の露光光に対する感度が良好であることに加え、CDU(Critical Dimension Uniformity)性能及び現像欠陥抑制性等に優れることが要求される。
【0004】
これらの要求に対しては、感放射線性組成物に用いられる重合体、酸発生剤及びその他の成分の種類、分子構造などが検討され、さらにその組み合わせについても詳細に検討されている(特開2010-134279号公報、特開2014-224984号公報及び特開2016-047815号公報参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2010-134279号公報
特開2014-224984号公報
特開2016-047815号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
レジストパターンのさらなる微細化に伴い、上記性能の要求レベルはさらに高まっており、これらの要求を満たす感放射線性組成物が求められている。
【0007】
本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感度、CDU性能及び現像欠陥抑制性に優れる感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するためになされた発明は、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第1構造単位、フェノール性ヒドロキシ基の水素原子が下記式(a-1)又は式(a-2)で表される酸解離性基で置換された部分構造を含む第2構造単位、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が置換又は非置換の不飽和脂環式炭化水素基で置換された部分構造を含む第3構造単位、及び、芳香族カルボン酸のカルボキシ基の水素原子が酸解離性基で置換された部分構造を含む第4構造単位からなる群より選択される少なくとも一種の構造単位を有する第1重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)と、1価の感放射線性オニウムカチオン部及び1価の有機酸アニオン部を有し、前記1価の感放射線性オニウムカチオン部は、少なくとも1つの水素原子がヨード基で置換された芳香環構造、並びに、少なくとも1つの水素原子がシアノ基、フルオロ基及びフッ素原子含有基からなる群より選択される少なくとも一種の基で置換された芳香環構造を含む化合物(以下、「[Z]化合物」ともいう)とを含有する感放射線性組成物である。
【0009】
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2024154780000001.tif
31
165
(式(a-1)中、Ar

は、置換又は非置換の環員数5~30の芳香環構造から1個の水素原子を除いた基である。R

及びR

は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数1~10の1価の脂肪族炭化水素基であるか、又はR

とR

とが互いに合わせられAr

が結合する炭素原子と共に炭素数3~8の飽和脂環式炭化水素環を形成する。*は、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基のエーテル性酸素原子又はフェノール性ヒドロキシ基の酸素原子との結合部位を示す。)
【0010】
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2024154780000002.tif
39
165
(式(a-2)中、R
v1
~R
v3
は、それぞれ独立して、水素原子又は置換若しくは非置換の炭素数1~10の1価の鎖状炭化水素基である。tは、1又は2である。*は、脂肪族カルボン酸のカルボキシ基のエーテル性酸素原子又はフェノール性ヒドロキシ基の酸素原子との結合部位を示す。)
(【0011】以降は省略されています)

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