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公開番号2024122542
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-09
出願番号2023030134
出願日2023-02-28
発明の名称半導体集積回路及び機器
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/768 20060101AFI20240902BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
配線の自由度を得るのに有利な技術を提供すること。
【解決手段】
半導体集積回路は、半導体層と第一配線層とを有する第一積層領域と、第二配線層と、を有し、前記第一積層領域は第一端子と第二端子とを有する回路素子を含む。前記第一端子および前記第二端子の一方は入力端子であり、他方は出力端子である。前記第一配線層の第一所定領域内に少なくとも2つの第一導電パターンと少なくとも1つの第二導電パターンとが配置される。前記第一導電パターンと前記第二導電パターンとは第一方向に沿って延びかつ前記第一方向と交差する第二方向に並び、前記少なくとも1つの第二導電パターンは前記少なくとも2つの第一導電パターンにより挟まれて配置される。前記少なくとも2つの第一導電パターンは電気的に接続されて、前記回路素子の前記第一端子に電気的に接続され、前記第二導電パターンは前記回路素子の前記第二端子に電気的に接続される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体層と第一配線層とを有する第一積層領域と、第二配線層と、を有し、
前記第一積層領域は第一端子と第二端子とを有する回路素子を含み、前記第一端子および前記第二端子の一方は入力端子であり、他方は出力端子であり、
前記第一配線層の第一所定領域内に少なくとも２つの第一導電パターンと少なくとも１つの第二導電パターンとが配置され、
前記第二配線層は、第三導電パターンと、第四導電パターンとを有し、
前記第一導電パターンと前記第二導電パターンとは第一方向に沿って延びかつ前記第一方向と交差する第二方向に並び、前記少なくとも１つの第二導電パターンは前記少なくとも２つの第一導電パターンにより挟まれて配置され、
前記少なくとも２つの第一導電パターンは電気的に接続されて、前記回路素子の前記第一端子に電気的に接続され、前記第二導電パターンは前記回路素子の前記第二端子に電気的に接続され、
前記第一導電パターンと前記第三導電パターン及び前記第二導電パターンと前記第四導電パターンとはそれぞれ、前記第一所定領域に重なりかつ前記第三導電パターンの少なくとも一部と前記第四導電パターンの少なくとも一部とを含む第二所定領域内において接続された、半導体集積回路。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記第三導電パターンと前記第四導電パターンとは前記第二方向において離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記第一積層領域と同じ構造の第二積層領域が、前記第一積層領域と隣接して前記第二方向に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記第二配線層は前記第一積層領域と前記第二積層領域とを接続する配線を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記第一積層領域及び前記第二積層領域それぞれにマスタとしての動作とスレーブとしての動作を制御信号に応じて切り替えて動作する回路が配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記第一導電パターン及び前記第二導電パターンの配線幅よりも前記第三導電パターン及び前記第四導電パターンの配線幅が広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記少なくとも２つの第一導電パターンは、前記第一所定領域内において前記第二方向に沿って配置された接続用配線によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記第二配線層は単層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記回路素子はバッファ又はインバータであることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
前記第一導電パターンと前記第三導電パターン及び前記第二導電パターンと前記第四導電パターンとはそれぞれ前記第二方向に延びる線上で接続されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路及び半導体集積回路を使用した機器に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路において伝送される信号の品質の劣化を抑制するためにバッファやインバータを使うことがある。また、バッファやインバータが形成された下地構造の上の配線層でバッファやインバータに対する配線をすることがある。入力信号の導電パターンから見た出力信号の導電パターンの方向とバッファやインバータの入力端子及び出力端子の方向とが同じ方向であれば信号の流れる向きを一方向にできる。しかしバッファやインバータに入力信号と出力信号とを供給する導電パターンの入力から見た出力の方向がバッファやインバータの入力端子から見た出力端子の方向とは逆の場合がある。その場合は、上の層に形成された配線層において配線を迂回させるなどして対処していた。
【０００３】
例えば、半導体集積回路の複数領域に同じ下地構造を形成することがある。その場合、複数の領域のそれぞれに作成されたバッファやインバータなどの回路素子の入力端子及び出力端子の向きは、他の回路素子の配置に対して同じ方向を向く。そのために、バッファやインバータの入力信号と出力信号とを供給する方向がバッファやインバータの入力端子から見た出力端子の方向とは逆になることがあり、その場合に配線を迂回させることがあった。
【０００４】
特許文献１には配線に関し、繋ぎ露光を使って液晶表示装置を作成する際に、画素ずれを防止するために最上位の画素電極を含む配線は一括露光を用いて形成することが記載されている。特許文献２には、下層の配線層に予備の配線を配置しておき、上層の配線層の変更、追加により設計終了後の配線の変更、修正に対応することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第６２４０４３３号
特開平５－２４３５３５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バッファやインバータなどの回路素子へ入力信号と出力信号を供給する配線を迂回させて配線すると、配線層において導電パターンを折り返す部分が生じることがある。そのために配線が占める領域が増えるので配線層に配置される配線本数等が制約を受け、配線の自由度に影響が出ることがある。
【０００７】
本発明はそのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線の自由度を得るのに有利な技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体集積回路は、半導体層と第一配線層とを有する第一積層領域と、第二配線層と、を有し、前記第一積層領域は第一端子と第二端子とを有する回路素子を含み、前記第一端子および前記第二端子の一方は入力端子であり、他方は出力端子であり、前記第一配線層の第一所定領域内に少なくとも２つの第一導電パターンと少なくとも１つの第二導電パターンとが配置され、前記第二配線層は、第三導電パターンと、第四導電パターンとを有し、前記第一導電パターンと前記第二導電パターンとは第一方向に沿って延びかつ前記第一方向と交差する第二方向に並び、前記少なくとも１つの第二導電パターンは前記少なくとも２つの第一導電パターンにより挟まれて配置され、前記少なくとも２つの第一導電パターンは電気的に接続されて、前記回路素子の前記第一端子に電気的に接続され、前記第二導電パターンは前記回路素子の前記第二端子に電気的に接続され、前記第一導電パターンと前記第三導電パターン及び前記第二導電パターンと前記第四導電パターンとはそれぞれ、前記第一所定領域に重なりかつ前記第三導電パターンの少なくとも一部と前記第四導電パターンの少なくとも一部とを含む第二所定領域内において接続されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、配線の自由度を得るのに有利な技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
実施形態に関わる半導体集積回路の平面図と断面図。
実施形態に関わる構成を分解して説明する図。
実施形態に関わる構成を分解して説明する図。
実施形態に関わる構成を分解して説明する図。
実施形態に関わる構成を分解して説明する図。
実施形態に関わる構成を分解して説明する図。
実施形態との比較例。
半導体集積回路の例。
導電パターンの幅が異なる例。
導電パターンの幅が異なる例。
導電パターンの幅が異なる例。
導電パターンの幅が異なる例。
複数の信号を伝送する例。
半導体集積回路を使用した機器。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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