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公開番号2025088983
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-12
出願番号2023203879
出願日2023-12-01
発明の名称記憶装置
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人秀和特許事務所
主分類G11C 17/16 20060101AFI20250605BHJP(情報記憶)
要約【課題】アンチヒューズ素子を含む不揮発性メモリを有する記憶装置において、書き込み時間を長期化させることのない書き込み手段を提供する。
【解決手段】アンチヒューズ素子により構成されるメモリ部であって、書き込み条件を記憶する書き込み条件記憶領域と、情報が書き込まれる書き込み領域と、を含むメモリ部と、アンチヒューズ素子に印加する電圧を制御することによってメモリ部に対する書き込み動作および読み出し動作を行う制御部であって、書き込み動作のときは一定の周期を有するパルス形態の書き込み電圧をアンチヒューズ素子に印加する、制御部とを備える記憶装置であって、制御部は、書き込み動作のときに書き込み条件記憶領域を参照して書き込み条件を制御する記憶装置を用いる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
アンチヒューズ素子により構成されるメモリ部であって、書き込み条件を記憶する書き込み条件記憶領域と、情報が書き込まれる書き込み領域と、を含むメモリ部と、
前記アンチヒューズ素子に印加する電圧を制御することによって前記メモリ部に対する書き込み動作および読み出し動作を行う制御部であって、前記書き込み動作のときは一定の周期を有するパルス形態の書き込み電圧を前記アンチヒューズ素子に印加する、制御部と、
を備える記憶装置であって、
前記制御部は、前記書き込み動作のときに前記書き込み条件記憶領域を参照して前記書き込み条件を制御する
ことを特徴とする記憶装置。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記メモリ部は、前記書き込み条件を決定する検査に用いられる検査領域をさらに含み、
前記制御部は、前記検査領域の前記アンチヒューズ素子に対して前記書き込み電圧を印加した結果に基づいて前記書き込み条件を決定するものであり、決定された前記書き込み条件を前記書き込み条件記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記書き込み条件を変化させながら前記検査領域の前記アンチヒューズ素子に対して前記書き込み電圧を印加し、前記アンチヒューズ素子への前記書き込み動作が正常に完了したときの前記書き込み条件を、前記書き込み条件記憶領域に記憶させる
ことを特徴とする請求項2に記載の記憶装置。
【請求項４】
前記書き込み条件は、前記アンチヒューズ素子に印加される前記書き込み電圧のパルス数である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項５】
前記書き込み条件は、前記アンチヒューズ素子に印加される前記書き込み電圧の大きさである
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記メモリ部の温度情報を検出する温度検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記温度情報に基づいて前記書き込み条件を決定する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の記憶装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記書き込み動作のときに前記温度情報が所定の閾値を超えている場合は、温度を低下させるためのウェイト制御を行う
ことを特徴とする請求項６に記載の記憶装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ＯＴＰ（ＯｎｅＴｉｍｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ）単位セルのアンチヒューズによる不揮発性メモリを搭載した記憶装置が利用されている。ＯＴＰ不揮発性メモリには、ヒューズ素子とアンチヒューズを用いた２種類がある。アンチヒューズは構造上、高集積化が可能であり、ヒューズ素子に比べて多数のデータ書き込みが可能となる。また、アンチヒューズはアンチヒューズ素子に並列に接続されている抵抗値の製造バラつき、および環境による温度変化に伴い、アンチヒューズの状態変化を起こすために必要なパルス数や電圧に違いが生じる。このバラつきを吸収するために、ワーストケースに合わせたパルス数をアンチヒューズに印加することが一般的になっている。アンチヒューズが状態変化を起こすために必要なパルス数・電圧の違いを吸収するために、書き込み時間や、書き込み電圧を制御することを特徴とする特許文献１に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１では、ＯＴＰ単位セルのアンチヒューズに対して書き込みをする際に、書き込み動作と読み出し動作を１周期にして実施する。読み出し動作にて検出されたデータと基準値を比較し、検出されたデータと基準値が異なる場合、書き込み動作時間や書き込み電圧の振幅を増加させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００９－２５９３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記文献においては、印加前の段階でＯＴＰ単位セルのアンチヒューズの特性を判断できず、一度は書き込み動作と読み出し動作を行わなければ、書き込み時間や、書き込み電圧の制御が不可能であり、書き込み時間の長期化に課題が残る。従来のヒューズに比べ、アンチヒューズは構造上、高集積化が可能であり、従来と同面積でも多数のデータ書き込みが可能となる一方で、書き込み時間の長期化はユーザビリティの低下につながり、今後顕在化する課題である。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アンチヒューズを含む不揮発性メモリを有する記憶装置において、書き込み時間を長期化させることのない書き込み手段を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の構成を採用する。すなわち、
アンチヒューズ素子により構成されるメモリ部であって、書き込み条件を記憶する書き込み条件記憶領域と、情報が書き込まれる書き込み領域と、を含むメモリ部と、
前記アンチヒューズ素子に印加する電圧を制御することによって前記メモリ部に対する書き込み動作および読み出し動作を行う制御部であって、前記書き込み動作のときは一定の周期を有するパルス形態の書き込み電圧を前記アンチヒューズ素子に印加する、制御部と、
を備える記憶装置であって、
前記制御部は、前記書き込み動作のときに前記書き込み条件記憶領域を参照して前記書
き込み条件を制御する
ことを特徴とする記憶装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、アンチヒューズを含む不揮発性メモリを有する記憶装置において、書き込み時間を長期化させることのない書き込み手段を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
アンチヒューズを使用した一般的な不揮発性メモリを示した等価回路
実施例１における書き込みパルス決定のための構成ブロック図
実施例１における書き込みパルス決定のフローチャート
実施例１における書き込みパルスの設定値
実施例１における書き込み動作時のフローチャート
実施例２における書き込みパルス電圧決定のための構成ブロック図
実施例２における書き込みパルス電圧決定のためのフローチャート
実施例２における書き込み動作時のフローチャート
実施例３における書き込み動作時の構成ブロック図
実施例３における書き込み動作時のフローチャート
実施例３における温度による書き込みパルス設定値
実施例４における液体吐出装置の模式図
実施例４における液体吐出ヘッドの概略構成図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、以下の説明で一度説明した部材についての材質、形状などは、特に改めて記載しない限り、後の説明においても初めの説明と同様のものである。特に図示あるいは記述をしない構成や工程には、当該技術分野の周知技術または公知技術を適用することが可能である。また、重複する説明は省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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