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公開番号2024104726
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-05
出願番号2023190577
出願日2023-11-08
発明の名称軟磁性材料および軟磁性材料の製造方法
出願人大同特殊鋼株式会社
代理人弁理士法人上野特許事務所
主分類H01F 1/147 20060101AFI20240729BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】磁化曲線の角形性に優れるとともに、磁気特性の温度変化が小さく、かつ飽和磁束密度の大きい軟磁性材料、およびそのような軟磁性材料の製造方法を提供する。
【解決手段】質量%で、47%≦Ni≦49%、0.4%≦Mn≦0.7%、0.1%≦Si≦0.3%、0.01%≦Al≦0.04%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物よりなり、表面において、<100>方位から10°以内の結晶方位の領域が、20%以上を占める、軟磁性材料とする。また、80%以上の圧延率で冷間圧延を行う工程を含んで、そのような軟磁性材料を製造する、軟磁性材料の製造方法とする。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
質量％で、
４７％≦Ｎｉ≦４９％、
０．４％≦Ｍｎ≦０．７％、
０．１％≦Ｓｉ≦０．３％
０．０１％≦Ａｌ≦０．０４％
を含有し、
残部がＦｅおよび不可避的不純物よりなり、
表面において、＜１００＞方位から１０°以内の結晶方位の領域が、２０％以上を占める、軟磁性材料。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００の値について、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲における変化量が、２５℃における値に対して、±４％の範囲内に収まっている、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項３】
１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００に対する残留磁束密度Ｂｒの割合であるＢｒ／Ｂ１００として評価される角形比について、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲における変化量が、２５℃における値に対して、±４％の範囲内に収まっている、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項４】
１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００に対する残留磁束密度Ｂｒの割合であるＢｒ／Ｂ１００として評価される角形比が、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲で、８５％以上の値をとる、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項５】
２５℃において、１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００が、１．１Ｔ以上である、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項６】
１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００の温度変化の勾配を示すΔＢ／ΔＴが、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲で、－５Ｇ／℃以上、０Ｇ／℃以下である、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項７】
２５℃において、８００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ８００が、１．４５Ｔ以上である、請求項１に記載の軟磁性材料。
【請求項８】
８０％以上の圧延率で冷間圧延を行う工程を含んで、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の軟磁性材料を製造する、軟磁性材料の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性材料およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、可飽和トランス用コア等を構成するのに用いることができる軟磁性材料およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば下記の特許文献１にまとめられているように、可飽和トランス用のコア材等、高い制御性を求められる軟磁性材料としては、磁化曲線の角形性に優れた材料を用いることが好ましい。その種の軟磁性材料の例として、従来、Ｃｏ系アモルファス合金や、ナノ結晶よりなるＦｅ系合金が用いられてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－２５２１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、Ｃｏ系アモルファス合金やナノ結晶磁性材料は、磁化曲線の角形性に優れているが、磁気特性の温度変化が大きくなりやすい。よって、可飽和トランス用コア等、各種装置を構成するのに用いた際に、動作点の温度変化が大きくなり、温度によって一定の動作を示しにくくなる。加えて、Ｃｏ系アモルファス合金やナノ結晶磁性材料においては、飽和磁束密度もそれほど高くならず、用途の自由度に制約が生じる。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、磁化曲線の角形性に優れるとともに、磁気特性の温度変化が小さく、かつ飽和磁束密度の大きい軟磁性材料、およびそのような軟磁性材料の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明にかかる軟磁性材料および軟磁性材料の製造方法は、以下の構成を有する。
［１］本発明にかかる軟磁性材料は、質量％で、４７％≦Ｎｉ≦４９％、０．４％≦Ｍｎ≦０．７％、０．１％≦Ｓｉ≦０．３％、０．０１％≦Ａｌ≦０．０４％を含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物よりなり、表面において、＜１００＞方位から１０°以内の結晶方位の領域が、２０％以上を占める。
【０００７】
［２］上記［１］の態様において、１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００の値について、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲における変化量が、２５℃における値に対して、±４％の範囲内に収まっているとよい。
【０００８】
［３］上記［１］または［２］の態様において、１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００に対する残留磁束密度Ｂｒの割合であるＢｒ／Ｂ１００として評価される角形比について、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲における変化量が、２５℃における値に対して、±４％の範囲内に収まっているとよい。
【０００９】
［４］上記［１］から［３］のいずれか１つの態様において、１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００に対する残留磁束密度Ｂｒの割合であるＢｒ／Ｂ１００として評価される角形比が、－１０℃以上９０℃以下の温度範囲で、８５％以上の値をとるとよい。
【００１０】
［５］上記［１］から［４］のいずれか１つの態様において、２５℃において、１００Ａ／ｍの磁界を印加した際の磁束密度Ｂ１００が、１．１Ｔ以上であるとよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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