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公開番号2024102266
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-30
出願番号2024076232,2022185967
出願日2024-05-09,2018-10-22
発明の名称メルカプト化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人
主分類C07C 323/61 20060101AFI20240723BHJP(有機化学)
要約【課題】化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板の金属表面上にめっき造形物の鋳型となるレジストパターンを形成する場合に、非レジスト部においてトップ(レジスト層の表面側)の幅よりもボトム(支持体表面側)の幅のほうが狭くなる「フッティング」の発生と、現像残渣の発生とを抑制できる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、パターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法とを提供すること。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤(A)と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(B)と、を含む化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物に、特定の構造のメルカプト化合物を含有させる。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（Ｃ１－１）：
TIFF
2024102266000101.tif
29
134
（式（Ｃ１－１）中、Ａ
ｃ
は１以上の置換基を有してもよく、ヘテロ原子を含んでいてもよい、（ｎ１＋ｎ２）価の脂肪族環式基であり、Ｒ
ｃ１
はそれぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、又は酸解離性基であり、ｎ１は１以上４以下の整数であり、ｎ２が２であり、Ｒ
ｃ１
の少なくとも１つは、水素原子、又は酸解離性基である。）
で表されるメルカプト化合物。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
下記式（Ｃ１－３）：
TIFF
2024102266000102.tif
37
134
（式（Ｃ１－３）中、Ｒ
ｃ１
は、前記式（Ｃ１－１）と同様であり、Ｒ
ｃ２
、及びＲ
ｃ６
は、それぞれ独立に水素原子、又はアルキル基であるか、又はＲ
ｃ２
とＲ
ｃ６
とが、互いに結合して－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＨ
２
－、及び－Ｃ（ＣＨ
３
）
２
－からなる群より選択される２価基を形成してもよく、Ｒ
ｃ３
、Ｒ
ｃ４
、Ｒ
ｃ５
、Ｒ
ｃ７
は、それぞれ独立に水素原子、又はメルカプト基であり、Ｒ
ｃ９
は、水素原子、炭化水素基、又は酸解離性基であり、Ｒ
ｃ１
、及び
Ｒｃ９
の少なくとも一方は、水素原子、又は酸解離性基であり、Ｒ
ｃ３
、Ｒ
ｃ４
、Ｒ
ｃ５
、及びＲ
ｃ７
の少なくとも１つはメルカプト基である。）
で表されるメルカプト化合物である、請求項１に記載のメルカプト化合物。
【請求項３】
下記式（Ｃ１－５）：
TIFF
2024102266000103.tif
29
134
（式（Ｃ１－５）中、Ｒ
ｃ１
はそれぞれ独立に、水素原子、炭化水素基、又は酸解離性基であり、ｎ１は１以上４以下の整数であり、ｎ２が１又は２であり、Ｒ
ｃ１
の少なくとも１つは、水素原子、又は酸解離性基であり、Ｘ
ｃ１
は、（ｎ１＋１）価の含窒素複素環基であり、Ｘ
ｃ３
は、電子吸引基で置換された（ｎ２＋１）価の芳香族炭化水素基である。）
で表されるメルカプト化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法とに関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
現在、ホトファブリケーションが精密微細加工技術の主流となっている。ホトファブリケーションとは、ホトレジスト組成物を被加工物表面に塗布してホトレジスト層を形成し、ホトリソグラフィー技術によってホトレジスト層をパターニングし、パターニングされたホトレジスト層（ホトレジストパターン）をマスクとして化学エッチング、電解エッチング、又は電気めっきを主体とするエレクトロフォーミング等を行って、半導体パッケージ等の各種精密部品を製造する技術の総称である。
【０００３】
また、近年、電子機器のダウンサイジングに伴い、半導体パッケージの高密度実装技術が進み、パッケージの多ピン薄膜実装化、パッケージサイズの小型化、フリップチップ方式による２次元実装技術、３次元実装技術に基づいた実装密度の向上が図られている。このような高密度実装技術においては、接続端子として、例えば、パッケージ上に突出したバンプ等の突起電極（実装端子）や、ウェーハ上のペリフェラル端子から延びる再配線と実装端子とを接続するメタルポスト等が基板上に高精度に配置される。
【０００４】
上記のようなホトファブリケーションにはホトレジスト組成物が使用されるが、そのようなホトレジスト組成物としては、酸発生剤を含む化学増幅型ホトレジスト組成物が知られている（特許文献１、２等を参照）。化学増幅型ホトレジスト組成物は、放射線照射（露光）により酸発生剤から酸が発生し、加熱処理により酸の拡散が促進されて、組成物中のベース樹脂等に対し酸触媒反応を起こし、そのアルカリ溶解性が変化するというものである。
【０００５】
このような化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、例えばめっき工程によるバンプやメタルポストのようなめっき造形物の形成等に用いられている。具体的には、化学増幅型ホトレジスト組成物を用いて、金属基板のような支持体上に所望の膜厚のホトレジスト層を形成し、所定のマスクパターンを介して露光し、現像して、バンプやメタルポストを形成する部分が選択的に除去（剥離）された鋳型として使用されるホトレジストパターンを形成する。そして、この除去された部分（非レジスト部）に銅等の導体をめっきによって埋め込んだ後、その周囲のホトレジストパターンを除去することにより、バンプやメタルポストを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開平９－１７６１１２号公報
特開平１１－５２５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のめっき工程によるバンプやメタルポスト等の接続端子の形成において、鋳型となるレジストパターンの非レジスト部について、トップ（レジスト層の表面側）の幅よりもボトム（支持体表面側）の幅のほうが大きいことが望まれる。そうすることにより、バンプやメタルポスト等の接続端子の底面と、支持体との接触面積が増加し、接続端子と支持体との密着性が改良されるためである。
【０００８】
しかし、特許文献１、２等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いて、バンプやメタルポスト等の形成用の鋳型となるレジストパターンを金属基板上に形成する場合、基板表面とレジストパターンの接触面においてレジスト部が非レジスト部側に張り出してしまうことによって、非レジスト部においてトップの幅よりもボトムの幅のほうが狭くなる「フッティング」が生じやすい。
このため、特許文献１、２等に開示されるような、従来から知られる化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いる場合、金属基板上にトップの幅よりもボトムの幅のほうが大きい非レジスト部を備えるレジストパターンを形成することが困難である。
【０００９】
また、金属基板上に、化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いて、めっき用の鋳型となるレジストパターンを形成する場合、現像残渣が生じにくいことも望まれる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いて、金属表面を有する基板の金属表面上にめっき造形物の鋳型となるレジストパターンを形成する場合に、非レジスト部においてトップ（レジスト層の表面側）の幅よりもボトム（支持体表面側）の幅のほうが狭くなる「フッティング」の発生と、現像残渣の発生とを抑制できる化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物と、当該化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を備える感光性ドライフィルム、当該感光性ドライフィルムの製造方法と、前述の化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物を用いるパターン化されたレジスト膜の製造方法と、前述の感光性樹脂組成物を用いる鋳型付き基板の製造方法と、当該鋳型付き基板を用いるめっき造形物の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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