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公開番号2024093301
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-09
出願番号2022209593
出願日2022-12-27
発明の名称窒化物の製造方法
出願人株式会社燃焼合成
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C01B 21/06 20060101AFI20240702BHJP(無機化学)
要約【課題】結晶成長助剤としてのハロゲン化物の少量添加と、断熱により、合成結晶の大型化を可能とした窒化物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物の製造方法は、燃焼合成法により窒化物を得る製造方法であって、前記窒化物に含まれる元素と、希釈材と、ハロゲン化物を0.1wt%以上2wt%以下含む結晶成長助剤と、を含有する原料を、断熱性坩堝に充填し、窒素雰囲気下にて燃焼合成法により、前記窒化物を合成する、ことを特徴とする。本発明では、前記ハロゲン化物に、NH₄Clを含むことが好ましい。
【選択図】なし

特許請求の範囲【請求項１】
燃焼合成法により窒化物を得る製造方法であって、
前記窒化物に含まれる元素と、希釈材と、ハロゲン化物を０．１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下含む結晶成長助剤と、を含有する原料を、断熱性坩堝に充填し、
窒素雰囲気下にて燃焼合成法により、前記窒化物を合成する、
ことを特徴とする窒化物の製造方法。
続きを表示（約 380 文字）【請求項２】
前記ハロゲン化物に、ＮＨ
４
Ｃｌを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物の製造方法。
【請求項３】
前記結晶成長助剤として、さらに、金属、或いは、金属酸化物を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物の製造方法。
【請求項４】
前記原料の層厚を、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下に調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物の製造方法。
【請求項５】
前記希釈材の希釈率は、前記窒化物が、Ｓｉ
３
Ｎ
４
であるとき、３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、前記窒化物が、ＡｌＮであるとき、４２ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であり、前記窒化物が、ＢＮであるとき、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、燃焼合成法により窒化物を合成する製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の高性能化に伴い、半導体デバイスの高密度実装化が進んでいる。これに伴い、発熱密度の増加など熱対策が大きな課題となっており、高い熱伝導率を持ったセラミックス基板や放熱材料が求められている。
【０００３】
放熱材料に使用されるフィラー粒子として、熱伝導性の高い粒径の大きい大型粒子を添加することで飛躍的に性能を上げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平７－２１５７０７号公報
特開２００４－３５２５３９号公報
特表２０２２－５４１２０８号公報
【非特許文献】
【０００５】
T. Sakurai, Y. Miyamoto, O. Yamada, Combustion synthesis of fine and high-purity AlN powder and its reaction control, J. Soc. Mater. Sci. Jpn., 54 (2005) 574-579.
Hai-Bo Jin, Yun Yang, Yi-Xiang Chen, Zhi-Ming Lin, and Jiang-Tao Liw Mechanochemical-Activation-Assisted Combustion Synthesis of a-Si3N4, J. Am. Ceram. Soc., 89 [3] 1099－1102 (2006)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来において、燃焼合成時に生じる熱を利用して、合成体結晶を大型化する技術は確立されていなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、結晶成長助剤としてのハロゲン化物の少量添加と、断熱により、合成結晶の大型化を可能とした窒化物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明における窒化物の製造方法は、燃焼合成法により窒化物を得る製造方法であって、前記窒化物に含まれる元素と、希釈材と、ハロゲン化物を０．１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下含む結晶成長助剤と、を含有する原料を、断熱性坩堝に充填し、窒素雰囲気下にて燃焼合成法により、前記窒化物を合成する、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明では、前記ハロゲン化物に、ＮＨ
４
Ｃｌを含むことが好ましい。
本発明では、前記結晶成長助剤として、さらに、金属、或いは、金属酸化物を含むことが好ましい。
本発明では、前記原料の層厚を、５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下に調整することが好ましい。
【００１０】
本発明では、前記希釈材の希釈率は、前記窒化物が、Ｓｉ
３
Ｎ
４
であるとき、３ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、前記窒化物が、ＡｌＮであるとき、４２ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であり、前記窒化物が、ＢＮであるとき、３０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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