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公開番号2024082727
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022196777
出願日2022-12-09
発明の名称メモリリフレッシュ制御装置、メモリリフレッシュ制御方法、及び、メモリリフレッシュ制御プログラム
出願人NECプラットフォームズ株式会社
代理人個人,個人
主分類G11C 11/406 20060101AFI20240613BHJP(情報記憶)
要約【課題】メモリチャネルの温度の変化に伴いリフレッシュ動作の周期が動的に変更される場合でも、メモリチャネル間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期を維持する。
【解決手段】メモリリフレッシュ制御装置40は、メモリチャネル50の温度帯に応じて基本周期及び基本周期の周波数を逓倍した周波数の周期である逓倍周期のいずれかでリフレッシュ動作が行われるメモリチャネル50の温度を取得する取得部41と、当該リフレッシュ動作の周期が基本周期であるときのリフレッシュ動作が行われるタイミングを示す同期制御情報420を生成する生成部42と、以降のリフレッシュ動作の周期を、取得部41が取得した温度に応じて、少なくとも同期制御情報420が示すタイミングでリフレッシュ動作が行われるように、基本周期あるいは逓倍周期に設定する設定部43と、設定された周期で当該リフレッシュ動作を実行する実行部44と、を備える。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
メモリチャネルの温度帯に応じて基本周期及び前記基本周期の周波数を逓倍した周波数の周期である逓倍周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得する取得手段と、
複数の前記メモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が前記基本周期であるときのリフレッシュ動作が行われるタイミングを示す同期制御情報を生成する生成手段と、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を、前記取得手段が取得した温度に応じて、少なくとも前記同期制御情報が示すタイミングでリフレッシュ動作が行われるように、前記基本周期あるいは前記逓倍周期に設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された周期で前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する実行手段と、
を備えるメモリリフレッシュ制御装置。
続きを表示（約 2,000 文字）【請求項２】
前記設定手段は、前記取得手段が取得した前記メモリチャネルの温度が高いほど、より大きい逓倍比の値の前記逓倍周期に設定する、
請求項１に記載のメモリリフレッシュ制御装置。
【請求項３】
前記逓倍周期は前期基本周期の２分の１である、
請求項１または請求項２に記載のメモリリフレッシュ制御装置。
【請求項４】
メモリチャネルの温度帯に応じた複数の周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した複数の前記メモリチャネルの個々の温度のうちで最も高い温度を特定する特定手段と、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を前記最も高い温度と対応付けられたリフレッシュ動作の周期に設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された周期で、前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する実行手段と、
を備えるメモリリフレッシュ制御装置。
【請求項５】
前記設定手段は、外部から入力されたモード情報が、前記メモリチャネルの間におけるリフレッシュ動作の同期制御を行わないことを示す場合、前記同期制御情報が示すタイミングに関わらずリフレッシュ動作が行われるように、前記メモリチャネルのリフレッシュ動作の周期を設定する、
請求項１に記載のメモリリフレッシュ制御装置。
【請求項６】
前記取得手段は、複数の前記メモリチャネルの個々の温度の推移を表す情報を出力する、
請求項１または請求項４に記載のメモリリフレッシュ制御装置。
【請求項７】
情報処理装置によって、
メモリチャネルの温度帯に応じて基本周期及び前記基本周期の周波数を逓倍した周波数の周期である逓倍周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得し、
複数の前記メモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が前記基本周期であるときのリフレッシュ動作が行われるタイミングを示す同期制御情報を生成し、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を、取得した温度に応じて、少なくとも前記同期制御情報が示すタイミングでリフレッシュ動作が行われるように、前記基本周期あるいは前記逓倍周期に設定し、
設定した周期で前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する、
メモリリフレッシュ制御方法。
【請求項８】
情報処理装置によって、
メモリチャネルの温度帯に応じた複数の周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得し、
取得した複数の前記メモリチャネルの個々の温度のうちで最も高い温度を特定し、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を前記最も高い温度と対応付けられたリフレッシュ動作の周期に設定し、
設定した周期で、前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する、
メモリリフレッシュ制御方法。
【請求項９】
メモリチャネルの温度帯に応じて基本周期及び前記基本周期の周波数を逓倍した周波数の周期である逓倍周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得する取得処理と、
複数の前記メモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が前記基本周期であるときのリフレッシュ動作が行われるタイミングを示す同期制御情報を生成する生成処理と、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を、前記取得処理が取得した温度に応じて、少なくとも前記同期制御情報が示すタイミングでリフレッシュ動作が行われるように、前記基本周期あるいは前記逓倍周期に設定する設定処理と、
前記設定処理により設定された周期で前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する実行処理と、
をコンピュータに実行させるためのメモリリフレッシュ制御プログラム。
【請求項１０】
メモリチャネルの温度帯に応じた複数の周期のいずれかでリフレッシュ動作が繰り返し行われる複数の前記メモリチャネルの個々の温度を取得する取得処理と、
前記取得処理が取得した複数の前記メモリチャネルの個々の温度のうちで最も高い温度を特定する特定処理と、
複数の前記メモリチャネルの個々に関して、以降のリフレッシュ動作の周期を前記最も高い温度と対応付けられたリフレッシュ動作の周期に設定する設定処理と、
前記設定処理により設定された周期で、前記メモリチャネルのリフレッシュ動作を実行する実行処理と、
をコンピュータに実行させるためのメモリリフレッシュ制御プログラム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリリフレッシュ制御装置、メモリリフレッシュ制御方法、及び、メモリリフレッシュ制御プログラムに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリは、メモリセルがコンデンサで構成されているので、時間の経過と共にコンデンサ内の電荷が放電される。このようなコンデンサ内の電荷の放電によってメモリに記憶された情報が喪失することを防ぐため、定期的に電荷を補充するリフレッシュという動作が必要となる。このリフレッシュ動作が行われている時間は、ＤＲＡＭに対するライト動作およびリード動作を行うことが出来ないので、メモリアクセス性能が低下する要因となる。
【０００３】
また、大規模なデータを扱うコンピュータシステムにおいては、中央処理装置（Central Processing Unit：ＣＰＵ）と主記憶との間におけるデータのアクセス性能を向上させるため、主記憶はメモリインターリーブ方式によってアクセスされる複数のメモリチャネル（メモリバンク、メモリランクを含む）を備えている。
【０００４】
図１２は、上述したメモリインターリーブ方式によるアクセスにおいて、複数のメモリチャネルの間においてリフレッシュ動作のタイミングが同期していない場合における、メモリチャネルを跨るメモリアクセスの時間を例示する図である。図１２に示す例では、メモリチャネルｎ（ｎは２以上の任意の整数）において、メモリアクセス中にリフレッシュ動作が発生しているので、メモリチャネルｎに対するアクセス時間は、他のメモリチャネルよりも長くなる。即ち、図１２に例示する様に、各メモリチャネルにおいてリフレッシュ動作がランダムなタイミングで行われた場合、メモリチャネルを跨るメモリアクセスにおいて、いずれかのメモリチャネルにおいて、メモリアクセス中にリフレッシュ動作が行われる確率が高くなり、メモリアクセス性能が低下する要因となる。
【０００５】
したがって、近年のコンピュータシステムにおいては、上述したメモリアクセス性能の低下を回避するために、図１３に例示するように複数のメモリチャネルの間においてリフレッシュ動作のタイミングが同期するように制御することが行われている。
【０００６】
上述の技術に関連して、特許文献１には、複数ランクのメモリのリフレッシュ動作のタイミングを同期化するメモリの同期化方法が開示されている。この方法は、同期リセット信号によって初期化されるカウンタにおけるカウント値を用いて予め決められた第１の間隔で複数ランクに対して順次リフレッシュを行う。そしてこの方法は、当該同期リセット信号をトリガとして第１の間隔よりも短い第２の間隔で複数ランクに対して順次リフレッシュを行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００７－２１３１３０号公報
特開２００８－５０５４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＤＲＡＭ内のコンデンサに蓄えられた電荷は、温度が高いほど運動エネルギーが大きいので、早く放電されるという性質がある。従って近年のＤＲＡＭは、例えば特許文献２に開示されているように温度センサを内蔵し、当該温度センサによって測定されたＤＲＡＭの温度が所定の閾値を超えた場合、リフレッシュ動作の周期を短くする（例えば１／２倍に動的に変更する）機能を備える場合がある。
【０００９】
図１４は、あるメモリチャネルの温度が上昇することによってそのメモリチャネルのリフレッシュ動作の周期が動的に変化することに伴う、メモリチャネルの間におけるリフレッシュ動作のタイミングの同期が崩れることを例示する図である。図１４に例示する同期の崩れは、個々のメモリチャネルの温度変化が一様ではないことにより発生し、これは、例えば、メモリチャネルのＤＲＡＭの物理的な実装位置による冷却状態の差、各ＤＲＡＭの製造のばらつきなどに起因する。
【００１０】
図１４に示す例では、メモリチャネルｎの温度の閾値が超えたことにより、メモリチャネルｎのリフレッシュ動作の周期が１／２倍に変更されたのち、メモリチャネルｎの温度が閾値以下に戻ることによって、そのリフレッシュ動作の周期が元の値（１倍）に戻っている。この場合、メモリチャネルｎとその他のメモリチャネルとの間で、リフレッシュ動作のタイミングが同期していない状態が継続することによって、図１２を参照して説明したメモリアクセス性能の低下が発生する可能性が高くなるという問題がある。特許文献１及び２は、この問題について特に言及していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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