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公開番号2024080529
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-13
出願番号2022193807
出願日2022-12-02
発明の名称NANDフラッシュメモリ
出願人東芝情報システム株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G11C 29/50 20060101AFI20240606BHJP(情報記憶)
要約【課題】NANDフラッシュメモリへ送出した信号の観測を適切に行う。
【解決手段】信号取込期間の始まりを指示する信号取込期間スタート情報と、信号取込期間に取り込み選択する対象信号を指示する取込選択対象信号情報を設定しておくための情報保持部310と、NANDコントローラ1から到来する信号を前記信号取込期間に記憶する記憶回路320と、前記記憶回路320に記憶された信号について前記内部コントロール回路10を介して前記NANDコントローラ1へ取り込ませる経路とを具備する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
ＮＡＮＤメモリセルと内部コントロール回路とを備え、ＮＡＮＤコントローラから前記内部コントロール回路へ信号を送って前記ＮＡＮＤメモリセルのアクセスを行うようにしたＮＡＮＤフラッシュメモリにおいて、
前記ＮＡＮＤコントローラから送られる信号取込期間の始まりを指示する信号取込期間スタート情報と、前記信号取込期間に取り込み選択する対象信号を指示する取込選択対象信号情報を設定しておくための情報保持部と、
前記ＮＡＮＤコントローラから前記信号取込期間に到来する信号を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路に記憶された信号について前記内部コントロール回路を介して前記ＮＡＮＤコントローラへ取り込ませる経路と、
前記情報保持部に設定された信号取込期間スタート情報に基づき信号取込期間スタートを検出して前記ＮＡＮＤコントローラからの信号を取込んで前記記憶回路へ記憶し、前記情報保持部に保持されている取込選択対象信号情報に従って前記記憶回路に記憶された信号から取込選択対象信号を取り出して、この信号を前記経路を介して前記ＮＡＮＤコントローラへ与える制御回路と
を具備することを特徴とするＮＡＮＤフラッシュメモリ。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記制御回路は、前記ＮＡＮＤコントローラから波形観測モード時の指示を受けたときに、前記情報保持部に設定された信号取込期間スタート情報に基づき信号取込期間スタートを検出して前記ＮＡＮＤコントローラからの信号を取込んで前記記憶回路へ記憶し、前記情報保持部に保持されている取込選択対象信号情報に従って前記記憶回路に記憶された信号から取込選択対象信号を取り出して、この信号を前記経路を介して前記ＮＡＮＤコントローラへ与える制御を行うことを特徴とする請求項１に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項３】
前記情報保持部は、
信号取込期間の始まりを指示する信号取込期間スタート情報が設定されると共に、前記信号取込期間に取り込み選択する対象信号を指示する取込選択対象信号情報が設定される条件設定レジスタ、
により構成されることを特徴とする請求項２に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項４】
前記記憶回路は、
前記ＮＡＮＤコントローラから到来する信号を一時記憶するラッチ回路と、
前記取込選択対象信号を保持する信号レジスタと、
により構成され、
前記制御回路は、前記信号取込期間に前記ＮＡＮＤコントローラから到来する信号を全て前記ラッチ回路へ記憶する制御を行い、
前記制御回路は、前記ラッチ回路の記憶された信号から前記取込選択対象信号情報に合致した信号を選択して、前記信号レジスタに移して保持する制御を行うことを特徴とする請求項３に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項５】
前記記憶回路は、
前記ＮＡＮＤコントローラから到来する信号を一時記憶するラッチ回路と、
前記取込選択対象信号を保持する信号レジスタと、
により構成され、
前記ラッチ回路は、前記信号取込期間に前記ＮＡＮＤコントローラから到来する信号を全てラッチ回路へ記憶する前記制御回路の機能を有し、
前記ラッチ回路は、前記ラッチ回路に記憶された信号が前記取込選択対象信号情報に合致すると、当該信号を選択して、前記信号レジスタに移して保持させる前記制御回路の機能を有する、ことを特徴とする請求項４に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項６】
前記条件設定レジスタは、前記ＮＡＮＤコントローラからのいくつかの所定信号のＨレベルとＬレベルのパターンが所定パターンとなったときに、波形観測モード時の指示を受け、設定を受け付けることを特徴とする請求項３に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項７】
前記ラッチ回路に一時記憶された信号と前記条件設定レジスタに設定された情報とを比較する比較回路を具備し、
前記制御回路は、
前記条件設定レジスタに設定された信号取込期間スタート情報に基づき信号取込期間スタートを検出し、前記ラッチ回路への信号取込及び一時記憶を制御し、前記比較回路による比較結果に基づき上記ラッチ回路から取込選択対象信号情報を取り出して前記信号レジスタへ保持させる制御を行うことを特徴とする請求項４に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項８】
前記信号レジスタは、所定容量の信号を保持できるものであることを特徴とする請求項１に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項９】
前記信号レジスタに所定量の信号が保持されると、前記経路を介して、前記信号レジスタに保持された信号について前記内部コントロール回路を介して前記ＮＡＮＤコントローラへ取り込ませる波形観測可通知回路、を具備することを特徴とする請求項８に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。
【請求項１０】
上記ラッチ回路が信号を取り込む場合のクロック周波数を設定可能であることを特徴とする請求項２に記載のＮＡＮＤフラッシュメモリ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＮＡＮＤフラッシュメモリに関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ＭｕｌｔｉＣｈｉｐＰａｃｋａｇｅ（以降ＭＣＰと記述）製品では、ＭＣＰの外で使用される信号に対してのみ、外部端子を用意している。そのため、ＭＣＰではコントローラとＮＡＮＤＦｌａｓｈメモリ間の信号を観測することができない。
【０００３】
特許文献１には、パッケージ基板に内部信号観測用の外部接続端子を用いることが開示されている。この特許文献１に記載の技術では外部接続端子による基板面積の増大および配線容量による波形品質の劣化が問題となる。また、コントローラとＮＡＮＤ信号間の経路に故障がある場合、信号を直接観測出来ず、故障箇所を特定することが困難である。
【０００４】
特許文献２には、オシロスコープによって信号波形の観測を行うシステムが開示されている。
【０００５】
特許文献３には、ＮＡＮＤフラッシュメモリがＲｅａｄｙ信号を出力するまで、ＮＡＮＤフラッシュメモリのＲｅａｄｙ／Ｂｕｓｙ端子に出力される信号を観測することが開示されている。この発明では、不揮発性半導体装置に発生するカラム不良に対応可能な、半導体記憶装置およびシステムを提供するものである。例えば、コントローラは、書き込みエラーのあったカラムアドレスを格納する不良アドレスレジスタを有する。そして、書き込み時や読み出し時にＥＣＣエラーが検出されるとエラーのあったカラムアドレスを不良アドレスレジスタに格納する。コントローラは、この不良アドレスレジスタに格納されたカラムアドレスの一致により書き込みや読み出し時のエラーをカラム不良によるものと判断する。
【０００６】
特許文献４には、実装基板における任意の信号を観測する実装基板上にモニタポイントを配置することなく、適切な位置で信号を観測することができる半導体パッケージ、半導体装置及び観測信号生成方法を提供することが開示されている。この発明に係る半導体パッケージは、半導体装置に実装され、当該半導体装置に実装された他の半導体パッケージから伝送路を介して入力された入力信号に応じた処理を実行する半導体パッケージである。しかして、半導体パッケージは、入力信号に応じた処理を実行する処理回路と、処理回路の前段から入力信号を取得し、取得した入力信号を、当該入力信号を観測するテスト信号として半導体装置の外部に対して出力する転送回路とを備える。
【０００７】
特許文献５の発明は、半導体チップの構造によらず、正確に信号波形を測定可能な構造の半導体装置を提供するものである。この半導体装置は、配線基板と、配線基板の一方の面上に搭載され、第１の電極パッドを有する半導体チップを有する。半導体チップの上方には評価用基板が設けられ、評価用基板には第１の電極パッドと電気的に接続され、半導体チップの入出力信号波形を検査する装置と接続可能な評価用パッドが備えられる。評価用パッド、半導体チップ、評価用基板を覆うように配線基板上封止体が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開昭５６－１６４５９３号公報
特開２０１４－２３８６７０号公報
特開２００６－４８７７７号公報
特開２０１１－１４９７９８号公報
特開２０１６－５７１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のようにメモリや半導体の信号観測には、様々な工夫がなされているが、外部のＮＡＮＤコントローラからＮＡＮＤフラッシュメモリへ送出した信号がどのような状態で伝送されているかを観測できるようにはなっていない。
【００１０】
本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、その目的は、ＮＡＮＤコントローラからＮＡＮＤフラッシュメモリへ送出した信号の観測を適切に行うことができるＮＡＮＤフラッシュメモリを提供することである。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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