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公開番号2024070050
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-22
出願番号2022180407
出願日2022-11-10
発明の名称センスアンプ、および不揮発性メモリ装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類G11C 16/26 20060101AFI20240515BHJP(情報記憶)
要約【課題】データ読出しを高速化することが可能となるセンスアンプを提供する。
【解決手段】センスアンプ(1)は、ダイオード接続される第1入力側トランジスタ(11A)と、第1出力側トランジスタ(11B)と、を有する第1カレントミラー(11)と、前記第1入力側トランジスタとメモリセル(3)との間に接続されるビットライン(BL)と、前記第1出力側トランジスタと基準電流生成回路(2)との間に接続される基準ライン(RL)と、前記基準ラインに接続され、前記基準ラインの電圧(VRL)に基づいて読み出し信号を出力するように構成される出力段(16)と、前記ビットラインと前記基準ラインとの間に接続される第1スイッチ(15)と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ダイオード接続される第１入力側トランジスタと、第１出力側トランジスタと、を有する第１カレントミラーと、
前記第１入力側トランジスタとメモリセルとの間に接続されるビットラインと、
前記第１出力側トランジスタと基準電流生成回路との間に接続される基準ラインと、
前記基準ラインに接続され、前記基準ラインの電圧に基づいて読み出し信号を出力するように構成される出力段と、
前記ビットラインと前記基準ラインとの間に接続される第１スイッチと、
を備える、センスアンプ。
続きを表示（約 740 文字）【請求項２】
前記ビットラインに接続される放電アシスト回路を備え、
前記放電アシスト回路は、ダイオード接続されるトランジスタと、前記第１スイッチと同期してオンオフ制御される第２スイッチと、を有する、請求項１に記載のセンスアンプ。
【請求項３】
前記出力段は、前記基準ラインの電圧を受信するように構成されるインバータと、前記インバータの出力端に接続されるラッチ回路と、を有する、請求項１に記載のセンスアンプ。
【請求項４】
前記基準電流生成回路に含まれて基準電流が流れるＰＭＯＳトランジスタと、
前記第１カレントミラーと接地端との間に接続されるＮＭＯＳスイッチと、
を備える、請求項１に記載のセンスアンプ。
【請求項５】
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと電源電圧の印加端との間に接続される第１キャパシタを備える、請求項４に記載のセンスアンプ。
【請求項６】
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートと、前記ＮＭＯＳスイッチのゲートとの間に接続される第２キャパシタと、を備える、請求項４に記載のセンスアンプ。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のセンスアンプと、基準電流生成回路と、メモリセルと、を備える、不揮発性メモリ装置。
【請求項８】
前記基準電流生成回路は、前記メモリセルと同じプロセスにより製造される疑似メモリセルを有する、請求項７に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項９】
前記基準電流生成回路は、前記疑似メモリセルに接続される第２入力側トランジスタを含む第２カレントミラーを有する、請求項８に記載の不揮発性メモリ装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、センスアンプに関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、メモリセルを有する不揮発性メモリ装置が知られている。メモリセルは、トランジスタにより構成される。メモリセルには、フローティングゲートを有し、上記フローティングゲートに対して電子の注入・引き抜きを行い、消去（イレース）・書き込み（プログラム）を行うものがある（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－１７４４８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
センスアンプは、メモリセルからデータを読み出す回路である。センスアンプにおいては、データを読み出すのに要する時間に改善の余地があった。
【０００５】
上記状況に鑑み、本開示は、データ読出しを高速化することが可能となるセンスアンプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
例えば、本開示に係るセンスアンプは、
ダイオード接続される第１入力側トランジスタと、第１出力側トランジスタと、を有する第１カレントミラーと、
前記第１入力側トランジスタとメモリセルとの間に接続されるビットラインと、
前記第１出力側トランジスタと基準電流生成回路との間に接続される基準ラインと、
前記基準ラインに接続され、前記基準ラインの電圧に基づいて読み出し信号を出力するように構成される出力段と、
前記ビットラインと前記基準ラインとの間に接続される第１スイッチと、を備える構成としている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係るセンスアンプによれば、データ読出しを高速化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の実施形態に係る不揮発性メモリ装置の構成を示す図である。
図２は、本開示の実施形態に係るセンスアンプによる読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。
図３は、比較例に係る不揮発性メモリ装置の構成を示す図である。
図４は、比較例に係るセンスアンプによる読み出し動作の一例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本開示の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１０】
＜１．比較例＞
本開示の実施形態について説明する前に、対比のための比較例について説明する。比較例を説明することで、課題がより明らかになる。
（【００１１】以降は省略されています）

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