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公開番号2024044105
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-02
出願番号2022149450
出願日2022-09-20
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 1/02 20060101AFI20240326BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】表裏の導体層間の電気抵抗のばらつき及び各導体層の厚さのむらの抑制。
【解決手段】実施形態の配線基板1は、貫通孔4aを備える絶縁層2と、絶縁層2の2つの表面にそれぞれ形成されている第1導体層31及び第2導体層32と、貫通孔4aにそれぞれ形成されていて第1導体層31と第2導体層32とを接続する複数の層間導体4と、を含んでいる。配線基板1は、それぞれに複数の層間導体4の一部が形成されている第1領域A1及び第2領域A2を有し、複数の層間導体4は、第1領域A1に形成されている第1層間導体41と、第1層間導体41の密度よりも高い密度で第2領域A2に形成されている第2層間導体42と、を含み、第1層間導体41の端部の厚さは、第2層間導体42の端部の厚さと略同じか大きく、第1層間導体41の中央部の厚さは、第2層間導体42の中央部の厚さよりも大きい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
対向する２つの表面を有していて、前記２つの表面の間を貫く貫通孔を備える絶縁層と、
前記２つの表面の一方及び他方にそれぞれ形成されている第１導体層及び第２導体層と、
前記貫通孔を囲む壁面に沿ってそれぞれ膜状に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の層間導体と、
を含む配線基板であって、
前記配線基板は、それぞれに前記複数の層間導体の一部が形成されている第１領域及び第２領域を有し、
前記複数の層間導体は、前記第１領域に形成されている第１層間導体と、前記第１領域における前記第１層間導体の密度よりも高い密度で前記第２領域に形成されている第２層間導体と、を含み、
前記第１層間導体における前記絶縁層の厚さ方向の端部の厚さは、前記第２層間導体における前記厚さ方向の端部の厚さと略同じか大きく、
前記第１層間導体における前記厚さ方向の中央部の厚さは、前記第２層間導体における前記厚さ方向の中央部の厚さよりも大きい。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間導体の前記中央部の厚さと前記第２層間導体の前記中央部の厚さとの差である第１差異が、前記第１層間導体の前記端部の厚さと前記第２層間導体の前記端部の厚さとの差である第２差異よりも大きい。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板であって、前記第１差異は、前記第２差異の２倍以上、５倍以下である。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間導体の前記中央部の厚さは、前記第２層間導体の前記中央部の厚さの１．５倍以上、３倍以下である。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１層間導体の前記中央部の厚さは、前記第１層間導体の前記端部の厚さの１．５倍以上、３倍以下である。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１層間導体及び前記第２層間導体は、それぞれ、前記壁面に接する下層膜と、前記下層膜上に形成されていて電解めっき膜からなる上層膜とを含んでおり、
前記第１層間導体に含まれる前記上層膜の前記中央部での厚さと前記第２層間導体に含まれる前記上層膜の前記中央部での厚さとの差が、前記第１層間導体に含まれる前記上層膜の前記端部での厚さと前記第２層間導体に含まれる前記上層膜の前記端部での厚さとの差の２倍以上、５倍以下である。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１領域における前記第１層間導体の密度は、０．６個／ｍｍ
2
以上、１．２個／ｍｍ
2
以下であり、
前記第２領域における前記第２層間導体の密度は、６個／ｍｍ
2
以上、１０個／ｍｍ
2
以下である。
【請求項８】
請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層の厚さは、１．０ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下である。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板であって、前記貫通孔の内径は１５０μｍ以上、２００μｍ以下である。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、３つのスルーホール群が互いに異なる配列密度でコア基板のそれぞれの領域に配列されている配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１９２４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板では、スルーホール群の配列密度の高い領域と低い領域との間で、互いに同じ大きさの導体パターンに接続されるスルーホールの数が異なっていると考えられる。そのため、スルーホール群の配列密度の高い領域と低い領域との間で、スルーホールによって接続されるコア基板の表裏の導体パターン間の電気抵抗が異なることがある。各導体層内の領域ごとに導体パターンの電気的特性に差異が生じ、配線基板を用いる機器において所望の性能が得られないことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、対向する２つの表面を有していて、前記２つの表面の間を貫く貫通孔を備える絶縁層と、前記２つの表面の一方及び他方にそれぞれ形成されている第１導体層及び第２導体層と、前記貫通孔を囲む壁面に沿ってそれぞれ膜状に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の層間導体と、を含んでいる。そして、前記配線基板は、それぞれに前記複数の層間導体の一部が形成されている第１領域及び第２領域を有し、前記複数の層間導体は、前記第１領域に形成されている第１層間導体と、前記第１領域における前記第１層間導体の密度よりも高い密度で前記第２領域に形成されている第２層間導体と、を含み、前記第１層間導体における前記絶縁層の厚さ方向の端部の厚さは、前記第２層間導体における前記厚さ方向の端部の厚さと略同じか大きく、前記第１層間導体における前記厚さ方向の中央部の厚さは、前記第２層間導体における前記厚さ方向の中央部の厚さよりも大きい。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、配線基板の表裏の導体層同士を接続する層間導体の領域間での配置密度の差異による表裏の導体層間の電気抵抗の領域間でのばらつき及び各導体層の厚さのむらが小さいことがある。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
図１の配線基板の平面図。
図１のIIIＡ部の拡大図。
図１のIIIＢ部の拡大図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１の配線基板１の平面図が示されている。図１は、配線基板１の図２に示されるＩ－Ｉ線での断面図である。図３Ａには、図１のIIIＡ部の拡大図が示されており、図３Ｂには、図１のIIIＢ部の拡大図が示されている。なお、配線基板１は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。例えば、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。すなわち、実施形態の配線基板は、配線基板１が有する絶縁層及び導体層に加えて、任意の数の絶縁層及び導体層を含み得る。なお、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
【０００９】
図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層２と、絶縁層２の表面にそれぞれ形成されている導体層３１（第１導体層）及び導体層３２（第２導体層）と、導体層３１と導体層３２とを接続する複数の層間導体４と、を含んでいる。絶縁層２は、配線基板１の厚さ方向と略直交すると共に互いに対向する２つの表面として第１面２ａ及び第２面２ｂを有している。導体層３１は第１面２ａ上に形成されており、導体層３２は第２面２ｂ上に形成されている。絶縁層２は、さらに、第１面２ａと第２面２ｂとの間を貫く複数の貫通孔４ａを備えている。複数の層間導体４は、それぞれ、複数の貫通孔４ａそれぞれを囲む内壁に沿って膜状に形成されている。すなわち、各層間導体４は、部分的に膜状の形体を有していて全体的には中空部を有する筒状の形体を有している。筒状の各層間導体４の中空部は、例えばエポキシ樹脂のような任意の樹脂からなる充填体５で充填されている。図１の例の配線基板１には、部品Ｅが実装される。
【００１０】
絶縁層２を貫通して２つの導体層（図１の例において導体層３１と導体層３２）同士を接続する層間導体４は、所謂スルーホール導体であり得る。層間導体４はビア導体と称されることもある。しかし、層間導体４は、絶縁層２によって覆われる導体層と他のいずれかの導体層とを接続しているのではなく、厚さ方向と交差する絶縁層２の２つの表面それぞれの上に直接形成されている導体層同士を接続する導電体である。
（【００１１】以降は省略されています）

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