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公開番号2024043056
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-29
出願番号2022148039
出願日2022-09-16
発明の名称磁気記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類H10B 61/00 20230101AFI20240322BHJP()
要約【課題】パターニングを適切に行うことが可能な磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る磁気記憶装置は、電極20と、電極上に設けられた磁気抵抗効果素子10とを備え、電極は、第1の電極部分21と、磁気抵抗効果素子と第1の電極部分との間に設けられ且つモリブデン(Mo)及びルテニウム(Ru)から選択された金属元素を含有する第2の電極部分22とを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
電極と、
前記電極上に設けられた磁気抵抗効果素子と、
を備える磁気記憶装置であって、
前記電極は、第１の電極部分と、前記磁気抵抗効果素子と前記第１の電極部分との間に設けられ且つモリブデン（Ｍｏ）及びルテニウム（Ｒｕ）から選択された金属元素を含有する第２の電極部分とを含む
ことを特徴とする磁気記憶装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１の電極部分は、カーボン（Ｃ）を含有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子上に設けられたハードマスクをさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子の側面及び前記第２の電極部分の側面に沿って設けられた側壁絶縁層をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子は、可変の磁化方向を有する第１の磁性層と、固定された磁化方向を有する第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた非磁性層とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子に対して直列に接続されたスイッチング素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
第１の方向に延伸する第１の配線と、
前記第１の方向と交差する第２の方向に延伸する第２の配線と、
をさらに備え、
前記磁気抵抗効果素子及び前記スイッチング素子は、前記第１の配線と前記第２の配線との間に設けられている
ことを特徴とする請求項６に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
第１の電極層及び前記第１の電極層上の第２の電極層を含む電極層を形成する工程と、
前記電極層上に磁気抵抗効果素子層を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子層上にハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクをマスクとして用いて前記磁気抵抗効果素子層及び前記第２の電極層をエッチングする工程と、
を備える磁気記憶装置の製造方法であって、
前記第２の電極層は、モリブデン（Ｍｏ）及びルテニウム（Ｒｕ）から選択された金属元素を含有する
ことを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の電極層は、カーボン（Ｃ）を含有する
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記磁気抵抗効果素子層及び前記第２の電極層をエッチングする工程は、ＩＢＥ（Ion Beam Etching）によって行われる
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気記憶装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記憶装置に関する。
続きを表示（約 880 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に磁気抵抗効果素子が集積化された磁気記憶装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－０４９８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パターニングを適切に行うことが可能な磁気記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る磁気記憶装置は、電極と、前記電極上に設けられた磁気抵抗効果素子と、を備える磁気記憶装置であって、前記電極は、第１の電極部分と、前記磁気抵抗効果素子と前記第１の電極部分との間に設けられ且つモリブデン（Ｍｏ）及びルテニウム（Ｒｕ）から選択された金属元素を含有する第２の電極部分とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る磁気記憶装置の構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置に含まれる磁気抵抗効果素子の構成を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
実施形態に係る磁気記憶装置の適用例の概略構成を模式的に示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。
【０００８】
図１は、実施形態に係る磁気記憶装置の構成を模式的に示した断面図である。
【０００９】
本実施形態に係る磁気記憶装置は、半導体基板を含む下部構造（図示せず）上に複数の積層構造１００が設けられた構造を有している。
【００１０】
積層構造１００は、磁気抵抗効果素子１０、電極２０、ハードマスク３０及び側壁絶縁層４０を含んでいる。
（【００１１】以降は省略されています）

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