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公開番号2024005089
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-01-17
出願番号2022105098
出願日2022-06-29
発明の名称配線基板
出願人新光電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/46 20060101AFI20240110BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】半導体チップと接続する場合の接続信頼性を向上可能な配線基板を提供する。
【解決手段】本配線基板は、交互に積層された複数のパッドと複数の絶縁層と、各々の前記絶縁層を貫通し、各々の前記パッドを介して垂直方向に積層され、各々の前記パッドを相互に接続するビア配線と、を有し、前記複数のパッドは、最上層の前記絶縁層上に設けられ、半導体チップと電気的に接続される最上層に位置する第1パッドと、前記第1パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第2パッドと、前記第2パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第3パッドと、を有し、前記第1パッドと前記第2パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さは、前記第2パッドと前記第3パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さよりも厚い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
交互に積層された複数のパッドと複数の絶縁層と、
各々の前記絶縁層を貫通し、各々の前記パッドを介して垂直方向に積層され、各々の前記パッドを相互に接続するビア配線と、を有し、
前記複数のパッドは、
最上層の前記絶縁層上に設けられ、半導体チップと電気的に接続される最上層に位置する第１パッドと、
前記第１パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第２パッドと、
前記第２パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第３パッドと、を有し、
前記第１パッドと前記第２パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さは、前記第２パッドと前記第３パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さよりも厚い、配線基板。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記第３パッドより下層の前記絶縁層に被覆された第４パッドを有し、
前記第２パッドと前記第３パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さは、前記第３パッドと前記第４パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さよりも厚い、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
最上層の前記絶縁層に設けられた前記ビア配線のアスペクト比は０．４以上である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
下層の前記絶縁層側から最上層の前記絶縁層側に行くにつれて、各々の前記ビア配線の前記アスペクト比が高くなる、請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２パッド及び前記第３パッドは、上面中央部に周縁部より窪んだ凹部を有し、
前記第３パッドの前記凹部は、前記第２パッドの前記凹部よりも浅い、請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
交互に積層された複数のパッドと複数の絶縁層と、
各々の前記絶縁層を貫通し、各々の前記パッドを介して垂直方向に積層され、各々の前記パッドを相互に接続するビア配線と、を有し、
前記絶縁層の積層数をｎとし、ｎを３以上の整数としたときに、
ｎ層目の前記パッドとｎ＋１層目の前記パッドとの間に位置するｎ層目の前記絶縁層の厚さは、ｎ－１層目の前記パッドとｎ層目の前記パッドとの間に位置するｎ－１層目の前記絶縁層の厚さよりも厚い、配線基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、交互に積層された複数のパッドと複数の絶縁層とを有する配線基板が知られている。この種の配線基板は、例えば、各々の絶縁層を貫通し、各々のパッドを介して垂直方向にビア配線が積層された所謂スタックビア構造を有する。また、スタックビア構造の最上層のパッド上に、例えば、半導体チップと接続される複数のハンダバンプが形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第３７８６８９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線基板では、各絶縁層が概ね同じ厚さであるため、ビア配線の厚さも概ね同じになる。各絶縁層に形成されるビア配線が同じ厚さであると、最上層のパッドの上面に凹部が形成される場合がある。このような場合、凹部の深さによっては、ハンダバンプの高さにばらつきが生じ、配線基板と半導体チップとの接続信頼性を確保することが困難となる。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体チップと接続する場合の接続信頼性を向上可能な配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本配線基板は、交互に積層された複数のパッドと複数の絶縁層と、各々の前記絶縁層を貫通し、各々の前記パッドを介して垂直方向に積層され、各々の前記パッドを相互に接続するビア配線と、を有し、前記複数のパッドは、最上層の前記絶縁層上に設けられ、半導体チップと電気的に接続される最上層に位置する第１パッドと、前記第１パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第２パッドと、前記第２パッドより下層の前記絶縁層上に設けられた第３パッドと、を有し、前記第１パッドと前記第２パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さは、前記第２パッドと前記第３パッドとの間に位置する前記絶縁層の厚さよりも厚い。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、半導体チップと接続する場合の接続信頼性を向上可能な配線基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。
絶縁層の厚さとパッドの凹部の深さの検討結果である。
ビアホールのアスペクト比について説明する図である。
第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
［第１実施形態］
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する部分断面図である。図１を参照すると、第１実施形態に係る配線基板１は、配線層１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７とを有するコアレスの配線基板である。
（【００１１】以降は省略されています）

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