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公開番号2025170142
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2025153206,2025522224
出願日2025-09-16,2024-11-12
発明の名称反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類G03F 1/24 20120101AFI20251107BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】反射型マスクを静電吸着する静電チャックの摩耗を抑制する、技術の提供。
【解決手段】反射型マスクブランクは、基板と、EUV光を反射する多層反射膜と、EUV光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、且つ前記基板を基準として前記多層反射膜とは反対側に導電膜を有する。前記導電膜は、ナノインデンターで測定したヤング率が250GPa以下である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、且つ前記基板を基準として前記多層反射膜とは反対側に導電膜を有する、反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、ナノインデンターで測定したヤング率が２５０ＧＰａ以下である、反射型マスクブランク。
続きを表示（約 930 文字）【請求項２】
前記導電膜は導電性の下層と上層を有し、前記下層と前記上層はこの順番で前記基板の上に形成され、
前記下層は、Ｃｒ及びＴａから選択される少なくとも１つの金属元素を含み、
前記上層は、Ｏ、Ｂ、Ｓｉ及びＣから選択される少なくとも１つの非金属元素を合計で５ａｔ％以上含む、請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記上層は、厚みが４ｎｍ以上である、請求項２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記下層は、Ｎ、Ｂ、Ｓｉ及びＣから選択される少なくとも１つの非金属元素を含む、請求項２又は３に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記上層は、Ｃｒ及びＴａから選択される少なくとも１つの金属元素を含む、請求項２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記導電膜の接触抵抗は、１０００×１０
－３
Ωｃｍ
２
以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記導電膜の膜厚は、５０ｎｍ～４００ｎｍである、請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクを備え、
前記吸収膜に開口パターンを含む、反射型マスク。
【請求項９】
第１主面と前記第１主面とは反対向きの第２主面とを有する基板を準備することと、
前記基板の前記第１主面に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で成膜することと、
前記基板の前記第２主面に、導電膜を成膜することと、
を有し、
前記導電膜は、ナノインデンターで測定したヤング率が２５０ＧＰａ以下である、反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１～３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクを準備することと、
前記吸収膜に開口パターンを形成することと、
をこの順番で有する、反射型マスクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶとは、軟Ｘ線及び真空紫外線を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ～１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶが主に検討されている。
【０００３】
ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、例えば基板と多層反射膜と吸収膜とをこの順番で有する。多層反射膜は、ＥＵＶ光を反射する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収するだけではなく、ＥＵＶ光の位相をシフトしてもよい。つまり、吸収膜は、位相シフト膜であってもよい。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００４】
反射型マスクは、基板を基準として多層反射膜とは反対側に導電膜を有する。導電膜は、例えば反射型マスクを露光装置の静電チャックに吸着するのに用いられる。特許文献１に記載の反射型マスクの導電膜は、大気雰囲気中で測定した静摩擦係数が０．２５以上である。静摩擦係数が０．２５以上であれば、静電チャックが高速で移動しても、反射型マスクの位置ずれを抑制することができる旨、記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０１６／２０４０５１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
露光装置の静電チャックは、反射型マスクのメンテナンス又は交換などを目的として、反射型マスクの吸着と、吸着の解除とを繰り返す。このとき、静電チャックが摩耗してしまう。その結果、パーティクルが発生することがあった。パーティクルは、静電チャックと反射型マスクの間に噛み込み、反射型マスクを変形させてしまう。その結果、ＥＵＶＬの転写精度が悪化することがあった。
【０００７】
本開示の一態様は、反射型マスクを静電吸着する静電チャックの摩耗を抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係る反射型マスクブランクは、基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、且つ前記基板を基準として前記多層反射膜とは反対側に導電膜を有する。前記導電膜は、ナノインデンターで測定したヤング率が２５０ＧＰａ以下である。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、反射型マスクを静電吸着する静電チャックの摩耗を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、一実施形態に係る反射型マスクブランクを示す断面図である。
図２は、一実施形態に係る反射型マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
図３は、一実施形態に係る反射型マスクを示す断面図である。
図４は、一実施形態に係る反射型マスクの製造方法を示すフローチャートである。
図５（Ａ）はＳ２０１の一例を示す断面図であり、図５（Ｂ）はＳ２０２の一例を示す断面図であり、図５（Ｃ）はＳ２０３の一例を示す断面図である。
図６は、図３の反射型マスクで反射されるＥＵＶ光の一例を示す断面図である。
図７は、反射型マスクと静電チャックの一例を示す断面図である。
図８は、反射型マスクと静電チャックの別の一例を示す断面図である。
図９は、接触抵抗の測定に用いる電極の配置の一例を示す断面図である。
図１０は、抵抗と電極間距離と接触抵抗の関係の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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