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公開番号2025133845
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-11
出願番号2025112295,2022546996
出願日2025-07-02,2021-09-06
発明の名称ウェハー処理方法
出願人日産化学株式会社
代理人弁理士法人津国
主分類H01L 21/66 20060101AFI20250904BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
従来の検査方法では検出することが不可能な半導体製造用シリコンウェハー表面の不純物検出方法、該ウェハー表面の不純物が除去された半導体製造用ウェハーの製造方法及び半導体製造用ウェハーの選別方法を提供する。
【解決手段】
半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法であって、該ウェハー表面に膜形成組成物を塗布し、焼成して、膜を形成する工程、次いでウェハー検査装置にて不純物を検出する工程を含む、半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法であって、
該ウェハー表面に膜形成組成物を塗布し、焼成して、膜厚２５ｎｍ～８００ｎｍの膜を形成する工程、次いでウェハー検査装置にて不純物を検出する工程を含む、半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法。
続きを表示（約 230 文字）【請求項２】
前記不純物が、フッ素原子を含む、請求項１に記載の不純物検出方法。
【請求項３】
前記膜形成組成物が、樹脂を含む、請求項１又は２に記載の不純物検出方法。
【請求項４】
前記膜形成組成物が、リソグラフィー用塗布膜形成組成物である、請求項１～３何れか１項に記載の不純物検出方法。
【請求項５】
前記膜形成組成物が、レジスト下層膜形成組成物である、請求項１～４何れか１項に記載の不純物検出方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体製造用シリコンウェハー表面の不純物検出方法、該ウェハー表面の不純物が除去された半導体製造用ウェハーの製造方法及び半導体製造用ウェハーの選別方法等のウェハー処理方法に関する。
続きを表示（約 790 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造に使用されるシリコン等の材料で作られるウェハーは、限りなく表面異物等の不純物低減が求められている。
【０００３】
特許文献１にはシリコン基板などの半導体基板上にフォトレジスト塗膜を形成した反射型の被検体を用いて、このフォトレジスト塗膜の内部に埋まっている異物を高い信頼性で検出することができる異物検出方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－２０９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の検査方法では検出することが不可能な半導体製造用シリコンウェハー表面の不純物検出方法、該ウェハー表面の不純物が除去された半導体製造用ウェハーの製造方法及び半導体製造用ウェハーの選別方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は以下を包含する。
【０００７】
［１］半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法であって、
該ウェハー表面に膜形成組成物を塗布し、焼成して、膜を形成する工程、次いでウェハー検査装置にて不純物を検出する工程を含む、半導体製造用ウェハー表面の不純物検出方法。
【０００８】
［２］前記不純物が、フッ素原子を含む、［１］に記載の不純物検出方法。
【０００９】
［３］前記膜形成組成物が、樹脂を含む、［１］又は［２］に記載の不純物検出方法。
【００１０】
［４］前記膜形成組成物が、リソグラフィー用塗布膜形成組成物である、［１］～［３］何れか１項に記載の不純物検出方法。
（【００１１】以降は省略されています）

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