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公開番号2025130296
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-08
出願番号2024027384
出願日2024-02-27
発明の名称ダイシング方法およびダイシングシステム
出願人株式会社東京精密
代理人個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250901BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ブレードの摩耗を低減することのできるダイシング方法およびダイシングシステムを提供する。
【解決手段】ダイシング方法は、ウエハ10にレーザ加工を行うレーザ加工工程と、レーザ加工後のウエハ10に対してブレード32を用いた切削加工を行うことでウエハ10を切断するブレード加工工程と、を備える。レーザ加工工程では、ウエハ10の内部にレーザを照射し、ブレード32による切削領域12に改質層15を形成する。改質層15は、ウエハの厚さ方向における端面である第1加工面10aおよび第2加工面10bよりも内側の領域に形成される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ウエハにレーザ加工を行うレーザ加工工程と、
前記レーザ加工後の前記ウエハに対してブレードを用いた切削加工を行うことで前記ウエハを切断するブレード加工工程と、を備えるダイシング方法であって、
前記レーザ加工工程では、前記ウエハの内部にレーザを照射し、前記ブレードによる切削領域であって前記ウエハの厚さ方向における端面よりも内側の領域に改質層を形成する
ダイシング方法。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記改質層は、前記切削領域からはみ出すことなく形成される
請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項３】
前記レーザ加工工程では、前記ウエハの厚さ方向における複数の位置に前記改質層を形成する
請求項１または２に記載のダイシング方法。
【請求項４】
前記レーザ加工工程では、前記ブレードの幅方向における複数の位置に前記改質層を形成する
請求項１または２に記載のダイシング方法。
【請求項５】
前記レーザ加工工程では、前記ウエハに対する透過率が最も高いピーク透過率に対する比が０．９５以上にある透過率に対応する波長のレーザを用いて前記レーザ加工を行う
請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項６】
前記レーザ加工工程では、前記ウエハに対する透過率が最も高くなるピーク波長から±２００ｎｍの範囲にある波長のレーザを用いて前記レーザ加工を行う
請求項５に記載のダイシング方法。
【請求項７】
ウエハにレーザ加工を行うレーザ加工装置と、
前記レーザ加工後の前記ウエハに対してブレードを用いた切削加工を行うことで前記ウエハを切断するブレード加工装置と、
前記レーザ加工装置から前記ブレード加工装置へ前記ウエハを搬送する搬送装置と、
前記搬送装置による前記ウエハの搬送を制御する制御装置と、を備え、
前記レーザ加工装置は、前記ウエハの内部にレーザを照射し、前記ブレードによる切削領域であって前記ウエハの厚さ方向における端面よりも内側の領域に改質層を形成するものであり、
前記ブレード加工装置を複数備え、
前記制御装置は、前記複数のブレード加工装置の駆動状況に応じて、前記レーザ加工後の前記ウエハの搬送先を前記複数のブレード加工装置のなかから選択する
ダイシングシステム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング方法およびダイシングシステムに関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置や電子部品などの各種素子が形成されるウエハは、ダイシングラインに沿ってダイシングされることにより個々のチップに分割される。例えば特許文献１には、レーザ加工によってウエハに改質層を形成したのち、ブレードを用いてウエハを切削することにより、ウエハをダイシングするダイシング方法が開示されている。
【０００３】
図１３を用いて、特許文献１に記載のダイシング方法について説明する。図１３は、従来例のダイシング方法を説明するための図である。図１３において、紙面直交方向は、ブレードの進行方向である。
【０００４】
図１３に示すように、特許文献１では、ブレード１０１による切削加工時にウエハ１００の裏面１００ｂ付近に欠けが生じることを抑えるべく、ブレード１０１の進行方向の両側に改質層１０２が形成されている。改質層１０２は、ウエハ１００の裏面１００ｂに露出するように形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１３－２４７１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの難削材からなるウエハを切削する場合にブレードが摩耗しやすかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するダイシング方法は、ウエハにレーザ加工を行うレーザ加工工程と、前記レーザ加工後の前記ウエハに対してブレードを用いた切削加工を行うことで前記ウエハを切断するブレード加工工程と、を備える。前記レーザ加工工程では、前記ウエハの内部にレーザを照射し、前記ブレードによる切削領域であって前記ウエハの厚さ方向における端面よりも内側の領域に改質層を形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ブレードの摩耗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、ダイシング方法の一実施形態によってダイシングされるウエハを模式的に示す平面図である。
図２は、ダイシング方法の手順を示すフローチャートである。
図３は、レーザ加工後のウエハにおけるダイシングライン付近の断面を模式的に示す図である。
図４は、レーザ加工装置の一例の概略構成を模式的に示す図である。
図５は、レーザの波長と透過率との関係の一例を示したグラフである。
図６は、レーザ加工装置によるレーザ加工の様子を模式的に示す図である。
図７は、レーザ加工装置によるレーザ加工が終了する直前の様子を模式的に示す図である。
図８は、改質層の形成位置の他の一例をレーザ加工装置とともに模式的に示す図である。
図９（ａ）は改質層の形成位置の他の一例を模式的に示す図であり、図９（ｂ）は改質層の形成位置の他の一例を模式的に示す図である。
図１０（ａ）は改質層の形成位置の他の一例を模式的に示す図であり、図１０（ｂ）は改質層の形成位置の他の一例を模式的に示す図であり、図１０（ｃ）は改質層の形成位置の他の一例を模式的に示す図である。
図１１は、ブレード加工装置によるブレード加工の様子を模式的に示す図である。
図１２は、ダイシングシステムの一実施形態の概略構成を示すブロック図である。
図１３は、従来例におけるダイシング方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１～図１２を参照して、ダイシング方法およびダイシングシステムの一実施形態について説明する。
図１に示すように、ウエハ１０は、格子状のダイシングライン１１に沿ってダイシングされることにより個々のチップに分割される。ウエハ１０において、半導体装置や電子部品等の各種素子が形成される面を第１加工面１０ａといい、第１加工面１０ａの反対側の面を第２加工面１０ｂ（図３参照）という。ウエハ１０は、難削材である。本実施形態において、ウエハ１０は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）で形成された炭化ケイ素ウエハである。ＳｉＣ製のウエハ１０では、第１加工面１０ａがＳｉ面であり、第２加工面１０ｂがＣ面である。なお、難削材に該当するウエハ１０は、炭化ケイ素で形成されているものに限られない。例えば、シリコン、サファイア、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ
２
Ｏ
３
）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などで形成されたウエハ１０も難削材に該当する。
（【００１１】以降は省略されています）

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