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公開番号2025129380
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-04
出願番号2025114213,2022519954
出願日2025-07-07,2021-04-30
発明の名称半導体装置、半導体パッケージ、および、それらの製造方法
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250828BHJP()
要約【課題】機械的強度を向上できる半導体装置、半導体パッケージ、および、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、一方側の第1主面および他方側の第2主面を有する半導体層と、前記第1主面を被覆する第1電極、および、前記第1電極よりも高い硬度を有し、前記第1電極を被覆する第2電極を含む第1主面電極と、前記第1主面電極を被覆する酸化層と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する半導体層と、
前記第１主面において前記半導体層を選択的に被覆する層間絶縁層と、
前記第１主面および前記層間絶縁層を被覆する第１電極、ならびに、前記第１電極よりも高い硬度を有し、前記第１電極を被覆する第２電極を含む第１主面電極と、
前記第１主面電極を被覆する酸化層とを含み、
前記第１主面が、前記層間絶縁層の有無に起因した凹凸構造を有し、前記第１電極の表面が、前記凹凸構造に倣って形成された凹凸部を含み、
前記第２電極の厚み方向における最高位置と最低位置の差分は、前記第１電極の厚み方向における最高位置と最低位置の差分よりも小さい、半導体装置。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
前記酸化層は、金属酸化物を含む金属酸化層からなる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化層は、前記第１主面電極の酸化物を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記酸化層は、前記第１主面電極よりも薄い、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記酸化層は、前記第２電極よりも薄い、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記酸化層は、前記第２電極の酸化物を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２電極は、ニッケルおよび銅のうちのなくとも１つを含み、
前記酸化層は、ニッケルおよび銅のうちのなくとも１つの酸化物を含む、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２電極は、メッキ層からなる、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体層は、ワイドバンドギャップ半導体を主成分として含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体層は、ＳｉＣを主成分として含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０２０年５月８日に日本国特許庁に提出された特願２０２０－０８２７０２号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、半導体装置、半導体パッケージ、および、それらの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＳｉＣ半導体基板を用いた縦型半導体素子に関する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－７９９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、機械的強度を向上できる半導体装置、半導体パッケージ、および、それらの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、縦型パワー半導体素子を含む半導体装置であって、第１主面、および当該第１主面の反対側の第２主面を有し、ＳｉＣを主成分として含む半導体層と、前記半導体層の前記第１主面側に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、前記縦型パワー半導体素子の第１端子と電気的に接続され、前記第１電極層よりも硬い第２電極層と、前記ＳｉＣ半導体層の前記第２主面側に形成され、前記縦型パワー半導体素子の第２端子と電気的に接続される第３電極層と、前記第２電極層の表面に形成された酸化層と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００６】
本発明の一実施形態は、縦型パワー半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、ＳｉＣを主成分として含む半導体層の第１主面側に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に、前記縦型パワー半導体素子の第１端子と電気的に接続され、前記第１電極層よりも硬い第２電極層を形成する工程と、前記第２電極層にボンディングワイヤを接続する工程と、を含む、半導体装置の製造方法を提供する。
【０００７】
本発明の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する半導体層と、前記第１主面を被覆する第１電極、および、前記第１電極よりも高い硬度を有し、前記第１電極を被覆する第２電極を含む第１主面電極と、前記第１主面電極を被覆する酸化層と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００８】
本発明の一実施形態は、主面を有する半導体層を用意する工程と、第１電極を前記主面の上に形成し、前記第１電極より高い硬度を有する第２電極を前記第１電極の上に形成することによって、前記主面の上に前記第１電極および前記第２電極を含む第１主面電極を形成する工程と、前記第１主面電極の外面を被覆する酸化層を形成する工程と、を含む、
半導体装置の製造方法を提供する。
【０００９】
本発明の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する半導体層と、前記第１主面において前記半導体層を選択的に被覆する層間絶縁層と、前記第１主面および前記層間絶縁層を被覆する第１電極、ならびに、前記第１電極よりも高い硬度を有し、前記第１電極を被覆する第２電極を含む第１主面電極と、前記第１主面電極を被覆する酸化層とを含み、前記第１主面が、前記層間絶縁層の有無に起因した凹凸構造を有し、前記第１電極の表面が、前記凹凸構造に倣って形成された凹凸部を含む、半導体装置を提供する。前記第２電極の厚み方向における最高位置と最低位置の差分は、前記第１電極の厚み方向における最高位置と最低位置の差分よりも小さくてもよい。
【００１０】
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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