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公開番号2025129379
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-04
出願番号2025114211,2022532388
出願日2025-07-07,2021-05-12
発明の名称電子部品
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 8/60 20250101AFI20250828BHJP()
要約【課題】信頼性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品は、第1無機絶縁膜と、前記第1無機絶縁膜を被覆し、前記第1無機絶縁膜の上に電極側壁を有する電極と、前記電極から前記第1無機絶縁膜の上にライン状に引き出され、前記第1無機絶縁膜の上に配線側壁を有する配線電極と、前記電極側壁および前記配線側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する第2無機絶縁膜と、前記電極側壁および前記配線側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１無機絶縁膜と、
前記第１無機絶縁膜を被覆し、前記第１無機絶縁膜の上に電極側壁を有する電極と、
前記電極から前記第１無機絶縁膜の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜の上に配線側壁を有する配線電極と、
前記電極側壁および前記配線側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する第２無機絶縁膜と、
前記電極側壁および前記配線側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記第２無機絶縁膜は、前記配線電極の全域を露出させ、前記有機絶縁膜は、前記配線電極の全域を被覆している、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記有機絶縁膜は、前記内被覆部を被覆している、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記内被覆部は、前記電極の周縁部を露出させており、
前記有機絶縁膜は、前記電極の周縁部を被覆している、請求項１～３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記内被覆部は、前記電極の内方部を露出させている、請求項１～４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記内被覆部は、前記電極の内方部を取り囲んでいる、請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記電極の内方部の上に形成されたパッド電極をさらに含む、請求項５または６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記パッド電極は、前記内被覆部に接している、請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記有機絶縁膜は、前記電極の内方部側において前記内被覆部の縁部を露出させるように前記内被覆部を被覆し、
前記パッド電極は、前記内被覆部の前記縁部を被覆している、請求項７または８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記パッド電極は、前記有機絶縁膜に接している、請求項７～９のいずれか一項に記載の電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０２０年６月２６日に日本国特許庁に提出された特願２０２０－１１０８９８号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、電子部品に関する。
続きを表示（約 3,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体基板、層間絶縁層、電極、無機保護層および有機保護層を含む半導体装置を開示している。層間絶縁層は、半導体基板の上に形成され、半導体基板を露出させる開口部を有している。電極は、層間絶縁層の上から開口部に入り込み、開口部内において半導体基板に電気的に接続されている。無機保護層は、電極の縁部を被覆する内縁部、および、層間絶縁層を被覆する外縁部を有している。有機保護層は、無機保護層を挟んで電極および層間絶縁層を被覆している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１９／００８０９７６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、信頼性を向上できる電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、被覆対象と、前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する無機絶縁膜と、前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品を提供する。
【０００６】
本発明の一実施形態は、被覆対象と、前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、前記電極側壁を露出させるように前記被覆対象を被覆する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜および前記電極を被覆し、前記無機絶縁膜および前記電極の間で前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品を提供する。
【０００７】
本発明の一実施形態は、電極側壁を有する電極と、前記電極の内方部および前記電極の前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する無機絶縁膜と、前記電極の内方部を露出させ、前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、前記電極の内方部の上に形成されたパッド電極と、を含む、電子部品を提供する。
【０００８】
本発明の一実施形態は、第１無機絶縁膜と、前記第１無機絶縁膜を被覆し、前記第１無機絶縁膜の上に電極側壁を有する電極と、前記電極から前記第１無機絶縁膜の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜の上に配線側壁を有する配線電極と、前記電極側壁および前記配線側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する第２無機絶縁膜と、前記電極側壁および前記配線側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品を提供する。
【０００９】
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を示す平面図である。
図２は、図１に示すＳｉＣ半導体装置の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。
図４は、図３に示す構造の要部を拡大した断面図である。
図５Ａは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図５Ｂは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図５Ｃは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図５Ｄは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図５Ｅは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図５Ｆは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図６Ａは、図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
図６Ｂは、図６Ａの後の工程を示す断面図である。
図６Ｃは、図６Ｂの後の工程を示す断面図である。
図６Ｄは、図６Ｃの後の工程を示す断面図である。
図６Ｅは、図６Ｄの後の工程を示す断面図である。
図６Ｆは、図６Ｅの後の工程を示す断面図である。
図６Ｇは、図６Ｆの後の工程を示す断面図である。
図６Ｈは、図６Ｇの後の工程を示す断面図である。
図６Ｉは、図６Ｈの後の工程を示す断面図である。
図６Ｊは、図６Ｉの後の工程を示す断面図である。
図６Ｋは、図６Ｊの後の工程を示す断面図である。
図６Ｌは、図６Ｋの後の工程を示す断面図である。
図６Ｍは、図６Ｌの後の工程を示す断面図である。
図６Ｎは、図６Ｍの後の工程を示す断面図である。
図７は、図４に対応し、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図８は、図４に対応し、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図９は、図４に対応し、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図１０は、図４に対応し、本発明の第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図１１は、本発明の第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を示す平面図である。
図１２は、図１１に示すＳｉＣ半導体装置の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１３は、図１１に示す領域XIIIの拡大図である。
図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。
図１５は、図１１に示すXV-XV線に沿う断面図である。
図１６は、図１１に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。
図１７は、図１５に示す構造の要部を拡大した断面図である。
図１８は、図１６に示す構造の要部を拡大した断面図である。
図１９Ａは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１９Ｂは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１９Ｃは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１９Ｄは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１９Ｅは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図１９Ｆは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。
図２０は、図１７に対応し、本発明の第７実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図２１は、図１８に対応し、図２０に示すＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図２２は、図１５に対応し、本発明の第８実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図２３は、図１５に対応し、本発明の第９実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図２４は、図１３に対応し、本発明の第１０実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための拡大図である。
図２５は、図２４に示すXXV-XXV線に沿う断面図である。
図２６は、図１４に対応し、本発明の第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。
図２７は、半導体パッケージを一方側から見た平面図である。
図２８は、図２７に示す半導体パッケージを他方側から見た平面図である。
図２９は、図２７に示す半導体パッケージの斜視図である。
図３０は、図２７に示す半導体パッケージの分解斜視図である。
図３１は、図２７に示すXXXI-XXXI線に沿う断面図である。
図３２は、図２７に示す半導体パッケージの回路図である。
図３３は、図３に対応し、第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。
図３４は、図１７に対応し、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。
図３５は、図１８に対応し、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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