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公開番号2025128583
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-03
出願番号2024025329
出願日2024-02-22
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 23/29 20060101AFI20250827BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂がパッシベーション膜から剥がれることを抑制可能な半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体装置(100,200,300)は、表面(20a)にパッシベーション膜(23)を有する半導体素子(20)と、パッシベーション膜上に配置されている樹脂突起(30)と、半導体素子及び樹脂突起を覆う封止樹脂(40)とを備えている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
表面にパッシベーション膜を有する半導体素子と、
前記パッシベーション膜上に配置されている樹脂突起と、
前記半導体素子及び前記樹脂突起を覆う封止樹脂とを備える、半導体装置。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記樹脂突起は、フォトレジストで形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂突起の幅は、前記パッシベーション膜に近づくにつれて小さくなっている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂突起と前記パッシベーション膜との間の密着強度は、前記封止樹脂と前記パッシベーション膜との間の密着強度よりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
光学フィルタをさらに備え、
前記半導体素子は、受光部を有し、
前記光学フィルタは、平面視において前記受光部と重なるように前記パッシベーション膜上に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記光学フィルタは、無機材料で形成されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記樹脂突起は、平面視において前記光学フィルタの外側にある前記パッシベーション膜の部分上に配置されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記光学フィルタは、平面視において前記受光部よりも外側にある部分を有し、
前記樹脂突起は、平面視において前記受光部よりも外側にある前記光学フィルタの部分上に配置されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記樹脂突起は、前記光学フィルタの平面視における外周縁部上及び平面視において前記光学フィルタの周囲にある前記パッシベーション膜の部分上に跨って配置されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封止樹脂は、透明樹脂である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば特開２０２３－８５９０９号公報（特許文献１）には、半導体装置が記載されている。特許文献１に記載の半導体装置は、基板と、半導体素子と、封止樹脂とを有している。半導体素子は、表面及び裏面を有しており、裏面が基板と対向するように基板上に配置されている。半導体素子は、受光部を有している。封止樹脂は、半導体素子を覆うように、基板上に配置されている。封止樹脂は、透明樹脂である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－８５９０９号公報［概要］半導体素子は、通常、表面にパッシベーション膜を有している。そのため、半導体素子の表面では、パッシベーション膜と封止樹脂とが接触することになる。しかしながら、パッシベーション膜と封止樹脂との間の界面における密着強度は不十分であり、封止樹脂が吸湿する又は変形することに伴って、封止樹脂が半導体素子の表面から剥がれてしまうことがある。
【０００４】
本開示の半導体装置は、表面にパッシベーション膜を有する半導体素子と、パッシベーション膜上に配置されている樹脂突起と、半導体素子及び樹脂突起を覆う封止樹脂とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
半導体装置１００の平面図である。
図１のＩＩ－ＩＩにおける半導体装置１００の断面図である。
半導体装置１００の製造工程図である。
樹脂突起形成工程Ｓ２を説明する断面図である。
半導体素子搭載工程Ｓ３を説明する断面図である。
半導体装置２００の平面図である。
図６のＶＩＩ－ＶＩＩにおける半導体装置２００の断面図である。
半導体装置３００の平面図である。
図６のＩＸ－ＩＸにおける半導体装置３００の断面図である。
【０００６】
［詳細な説明］
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【０００７】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る半導体装置を説明する。第１実施形態に係る半導体装置を、半導体装置１００とする。
【０００８】
＜半導体装置１００の構成＞
以下に、半導体装置１００の構成を説明する。
【０００９】
図１は、半導体装置１００の平面図である。図１中では、封止樹脂４０の樹脂が省略されている。図２は、図１のＩＩ－ＩＩにおける半導体装置１００の断面図である。図１及び図２に示されているように、半導体装置１００は、基板１０と、半導体素子２０と、樹脂突起３０と、封止樹脂４０とを有している。
【００１０】
基板１０は、例えば、基材１１と、導体パターン１２と、導体パターン１３とを有している。
（【００１１】以降は省略されています）

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