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公開番号2025128384
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-02
出願番号2025104031,2024086138
出願日2025-06-19,2019-11-20
発明の名称半導体レーザ装置
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01S 5/0239 20210101AFI20250826BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】インダクタンス成分の低減を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置A2は、半導体レーザ素子4と、スイッチング素子5と、z方向の一方側にスイッチング素子5が配置された第2導電部312と、z方向の一方側に半導体レーザ素子4が配置された第3導電部313と、を備え、第2導電部312および第3導電部313は、y方向に離間しており、第2導電部312は、y方向において他方側に凹む第2凹部3121を有し、第3導電部313は、y方向の他方側に突出する第3凸部3132を有し、第3凸部3132および第2凹部3121は、y方向視において重なり、半導体レーザ素子4は、少なくとも一部が第3凸部313上に配置されている。このような構成により、半導体レーザ装置A2のy方向寸法を縮小することができる。
【選択図】図21
特許請求の範囲【請求項１】
半導体レーザ素子と、
ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有するスイッチング素子と、
第１方向の一方側に前記スイッチング素子が配置された第２導電部と、
前記第１方向の前記一方側に前記半導体レーザ素子が配置された第３導電部と、を備え、
前記第２導電部および前記第３導電部は、前記第１方向と交差する第２方向に離間しており、
前記第２導電部は、前記第２方向において前記第２導電部に対して前記第３導電部が位置する一方側とは反対側である他方側に凹む第２凹部を有し、
前記第３導電部は、前記第２方向の前記他方側に突出する第３凸部を有し、
前記第３凸部および前記第２凹部は、前記第２方向視において重なり、
前記半導体レーザ素子は、少なくとも一部が前記第３凸部上に配置されている、半導体レーザ装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第２導電部および前記第３導電部を前記第１方向の他方側から支持する基材を含み、
前記基材は、前記第３導電部に対して前記第２方向の前記一方側に位置し且つ前記第２方向の前記他方側に凹む基材凹部を有し、
前記第３導電部は、前記第２方向の前記他方側に凹む第３凹部を有し、
前記基材凹部および前記第３凹部は、前記第２方向視において前記第２凹部、前記第３凸部および前記半導体レーザ素子と重なる、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
２つの前記半導体レーザ素子を備えており、
前記２つの半導体レーザ素子は、少なくとも一部ずつが前記第３凸部上に配置されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第２導電部および前記第３導電部から離間した第１導電部と、
前記ソース電極および前記第１導電部を接続する１以上の第２ワイヤと、を備える、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第３導電部から前記第１導電部へ向かう通電を許容するダイオードと、を備える、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ素子を覆う透光樹脂を備え、
前記基材凹部には、前記透光樹脂の一部が充填されている、請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記ダイオードは、前記第１導電部上に配置されている、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第２導電部および前記第３導電部にそれぞれが導通接合された２つのコンデンサを備え、
前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向において、前記半導体レーザ素子は、前記２つのコンデンサの間に位置する、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記ソース電極および前記半導体レーザ素子に接続された１以上の第１ワイヤを備える、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記第２導電部および前記第３導電部から離間した第４導電部と、
前記ゲート電極および前記第４導電部に接続された第３ワイヤと、を備える、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体レーザ装置に関する。
続きを表示（約 3,400 文字）【背景技術】
【０００２】
自動車等に用いられる３次元距離計測に、ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）を用いたシステムが提案されている（たとえば、特許文献１）。ＬｉＤＡＲの光源として用いられる半導体レーザ装置は、パルス幅が数十ｎＳ以下のパルスレーザ光を出射する。このため、電流の時間変化率が高まり、半導体レーザ装置内のインダクタンス成分に起因する損失が増大する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１２８４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、インダクタンス成分の低減を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示によって提供される半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子および前記半導体レーザ素子への導通経路を構成する導電部を有し且つ前記半導体レーザ素子および前記スイッチング素子を支持する支持部材と、を備える半導体レーザ装置であって、前記導電部は、前記半導体レーザ素子から離間した第１部を有し、前記スイッチング素子の前記ソース電極と前記半導体レーザ素子とに接続された１以上の第１ワイヤと、前記スイッチング素子の前記ソース電極と前記導電部の前記第１部とに接続された１以上の第２ワイヤと、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の半導体レーザ装置によれば、インダクタンス成分の低減を図ることができる。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。
図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。
図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を含むレーザシステムを示す回路図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を含むレーザシステムの第１変形例を示す回路図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置を含むレーザシステムの第２変形例を示す回路図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す底面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す底面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す底面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す底面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第５変形例を示す要部平面図である。
本開示の第１実施形態に係る半導体レーザ装置の第５変形例を示す底面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部底面図である。
図２３のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部平面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部底面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す要部平面図である。
本開示の第２実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す要部底面図である。
本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第３実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す底面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
図３４のＸＸＸＶＩＩ－ＸＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第４実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す底面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
図４１のＸＬＩＩＩ－ＸＬＩＩＩ線に沿う断面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す底面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す要部平面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第２変形例を示す底面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す要部平面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第３変形例を示す底面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す要部平面図である。
本開示の第５実施形態に係る半導体レーザ装置の第４変形例を示す底面図である。
本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第６実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部底面図である。
本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す要部平面図である。
本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置を示す底面図である。
本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す要部平面図である。
本開示の第７実施形態に係る半導体レーザ装置の第１変形例を示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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